刻蝕原理介紹主要工藝參數(shù)刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良的產(chǎn)生原因單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式刻蝕工藝介紹辛小剛刻蝕原理介紹刻蝕主要工藝參數(shù)刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良原因分析刻蝕是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻膠保護(hù)的Metal/ITO膜通過(guò)化學(xué)反應(yīng)去除掉，較終形成制程所需要的圖形?？涛g種類目前我司的刻蝕種類主要分兩種：1、Metal刻蝕刻蝕液主要成分：磷酸、硝酸、醋酸、水。Metal：合金金屬2、ITO刻蝕刻蝕液主要成分：鹽酸、硝酸、水。ITO：氧化銦錫（混合物）Metal刻蝕前后：ITO刻蝕前后：刻蝕前后對(duì)比照片12345刻蝕液濃度刻蝕溫度刻蝕速度噴淋流量過(guò)刻量刻蝕液的濃度對(duì)刻蝕效果影響較大，所以我們主要通過(guò)：來(lái)料檢驗(yàn)、首片確認(rèn)、定期更換的方法來(lái)保證。 濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著普遍應(yīng)用：磨片、拋光、清洗、腐蝕。ICP材料刻蝕加工廠

等離子刻蝕是將電磁能量施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分（如氟或氯）的氣體中實(shí)現(xiàn)。等離子會(huì)釋放帶正電的離子來(lái)撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料，并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物。離子電荷會(huì)以垂直方向射入晶圓表面。這樣會(huì)形成近乎垂直的刻蝕形貌，這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計(jì)中制作細(xì)微特征所必需的。一般而言，高蝕速率（在一定時(shí)間內(nèi)去除的材料量）都會(huì)受到歡迎。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）的目標(biāo)是在物理刻蝕和化學(xué)刻蝕之間達(dá)到較佳平衡，使物理撞擊（刻蝕率）強(qiáng)度足以去除必要的材料，同時(shí)適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)反應(yīng)能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護(hù)性沉積。采用磁場(chǎng)增強(qiáng)的RIE工藝，通過(guò)增加離子密度而不增加離子能量（可能會(huì)損失晶圓）的方式，改進(jìn)了處理過(guò)程。中山GaN材料刻蝕外協(xié)干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學(xué)反應(yīng)兩部份刻蝕機(jī)制。

在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過(guò)光刻膠中開(kāi)出的窗口，與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)（或這兩種反應(yīng)），從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法腐蝕中，液體化學(xué)試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學(xué)方式去除硅片表面的材料。濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下（大于3微米）。濕法腐蝕仍然用來(lái)腐蝕硅片上某些層或用來(lái)去除干法刻蝕后的殘留物。

理想情況下，晶圓所有點(diǎn)的刻蝕速率都一致（均勻）。晶圓不同點(diǎn)刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性（或者稱為微負(fù)載），通常以百分比表示。減少非均勻性和微負(fù)載是刻蝕的重要目標(biāo)。應(yīng)用材料公司一直以來(lái)不斷開(kāi)發(fā)具有成本效益的創(chuàng)新解決方案，來(lái)應(yīng)對(duì)不斷變化的蝕刻難題。這些難題可能源自于器件尺寸的不斷縮?。凰貌牧系淖兓ɡ绺遦薄膜或多孔較低k介電薄膜）；器件架構(gòu)多樣化（例如FinFET和三維NAND晶體管）；以及新的封裝方式（例如硅穿孔（TSV）技術(shù)）。二氧化硅濕法刻蝕：普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅。

典型的硅刻蝕是用含氮的物質(zhì)與氫氟酸的混合水溶液。這一配比規(guī)則在控制刻蝕中成為一個(gè)重要的因素。在一些比率上，刻蝕硅會(huì)有放熱反應(yīng)。加熱反應(yīng)所產(chǎn)生的熱可加速刻蝕反應(yīng)，接下來(lái)又產(chǎn)生更多的熱，這樣進(jìn)行下去會(huì)導(dǎo)致工藝無(wú)法控制。有時(shí)醋酸和其他成分被混合進(jìn)來(lái)控制加熱反應(yīng)。一些器件要求在晶圓上刻蝕出槽或溝?？涛g配方要進(jìn)行調(diào)整以使刻蝕速率依靠晶圓的取向。取向的晶圓以45°角刻蝕，取向的晶圓以“平”底刻蝕。其他取向的晶圓可以得到不同形狀的溝槽。多晶硅刻蝕也可用基本相同的規(guī)則。光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。中山GaN材料刻蝕外協(xié)

硅材料刻蝕廠商有圖形刻蝕可以用來(lái)在硅片上制作多種不同的特征圖形。ICP材料刻蝕加工廠

    溫度越高刻蝕效率越高，但是溫度過(guò)高工藝方面波動(dòng)較大，只要通過(guò)設(shè)備自帶溫控器和點(diǎn)檢確認(rèn)?？涛g流片的速度與刻蝕速率密切相關(guān)噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢，流量控制可保證基板表面藥液濃度均勻。過(guò)刻量即測(cè)蝕量，適當(dāng)增加測(cè)試量可有效控制刻蝕中的點(diǎn)狀不良作業(yè)數(shù)量管控：每天對(duì)生產(chǎn)數(shù)量及時(shí)記錄，達(dá)到規(guī)定作業(yè)片數(shù)及時(shí)更換。作業(yè)時(shí)間管控：由于藥液的揮發(fā)，所以如果在規(guī)定更換時(shí)間未達(dá)到相應(yīng)的生產(chǎn)片數(shù)藥液也需更換。首片和抽檢管控：作業(yè)時(shí)需先進(jìn)行首片確認(rèn)，且在作業(yè)過(guò)程中每批次進(jìn)行抽檢（時(shí)間間隔約25min）。1、大面積刻蝕不干凈：刻蝕液濃度下降、刻蝕溫度變化。2、刻蝕不均勻：噴淋流量異常、藥液未及時(shí)沖洗干凈等。3、過(guò)刻蝕：刻蝕速度異常、刻蝕溫度異常等。 ICP材料刻蝕加工廠