經(jīng)過(guò)前面的一系列工藝已將光刻掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。為了制作元器件，需要將光刻膠上的圖形進(jìn)一步轉(zhuǎn)移到光刻膠下層的材料上，天津深硅刻蝕材料刻蝕價(jià)格。這個(gè)任務(wù)就由刻蝕來(lái)完成?？涛g就是將涂膠前所淀積的薄膜中沒(méi)有被光刻膠（經(jīng)過(guò)曝光和顯影后）覆蓋和保護(hù)的那部分去除掉，達(dá)到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到其下層材料上的目的，天津深硅刻蝕材料刻蝕價(jià)格。光刻膠的下層薄膜可能是二氧化硅、氮化硅，天津深硅刻蝕材料刻蝕價(jià)格、多晶硅或者金屬材料。材料不同或圖形不同，刻蝕的要求不同。實(shí)際上，光刻和刻蝕是兩個(gè)不同的加工工藝，但因?yàn)檫@兩個(gè)工藝只有連續(xù)進(jìn)行，才能完成真正意義上的圖形轉(zhuǎn)移，而且在工藝線上，這兩個(gè)工藝經(jīng)常是放在同一工序中，因此有時(shí)也將這兩個(gè)步驟統(tǒng)稱為光刻。按材料來(lái)分，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、和硅刻蝕。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅?？涛g設(shè)備

刻蝕，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展，真正意義上來(lái)講，刻蝕成了通過(guò)溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。深圳羅湖濕法刻蝕干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)：細(xì)線條操作安全，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，無(wú)化學(xué)廢液，處理過(guò)程未引入污染，潔凈度高。

在等離子蝕刻工藝中，發(fā)生著許多的物理現(xiàn)象。當(dāng)在腔體中使用電極或微波產(chǎn)生一個(gè)強(qiáng)電場(chǎng)的時(shí)候,這個(gè)電場(chǎng)會(huì)加速所有的自由電子并提高他們的內(nèi)部能量(由于宇宙射線的原因,在任何環(huán)境中都會(huì)存在一些自由電子)。自由電子與氣體中的原子/分子發(fā)生撞擊,如果在碰撞過(guò)程中,電子傳遞了足夠的能量給原子/分子,就會(huì)發(fā)生電離現(xiàn)象,并且產(chǎn)生正離子和其他自由電子若碰撞傳遞的能量不足以激發(fā)電離現(xiàn)象則無(wú)法產(chǎn)生穩(wěn)定且能發(fā)生反應(yīng)的中性物當(dāng)足夠的能量提供給系統(tǒng),一個(gè)穩(wěn)定的,氣相等離子體包含自由電子,正離子和反應(yīng)中性物等離子蝕刻工藝中等離子體中的原子、分子離子、反應(yīng)中性物通過(guò)物理和化學(xué)方式移除襯底表面的材料。純物理蝕刻采用強(qiáng)電場(chǎng)來(lái)加速正原子離子（通常使用重量較重,惰性的氬原子）朝向襯底，加速過(guò)程將能量傳遞給了離子,當(dāng)它們撞擊到襯底表面時(shí),內(nèi)部的能量傳遞給襯底表面的原子,如果足夠的能量被傳遞,襯底表面的原子會(huì)被噴射到氣體中,較終被真空系統(tǒng)抽走。

干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類型來(lái)分類。按材料來(lái)分，刻蝕一般分成三種：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、和硅刻蝕。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅。接觸孔和通孔結(jié)構(gòu)的制作需要刻蝕介質(zhì)，從而在ILD中刻蝕出窗口，而具有高深寬比（窗口的深與寬的比值）的窗口刻蝕具有一定的挑戰(zhàn)性。硅刻蝕（包括多晶硅）應(yīng)用于需要去除硅的場(chǎng)合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復(fù)合層，制作出互連線。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。晶圓不同點(diǎn)刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性（或者稱為微負(fù)載），通常以百分比表示。刻蝕流片的速度與刻蝕速率密切相關(guān)噴淋流量的大小決定基板表面藥液置換速度的快慢。

刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層（有圖形的光刻膠）來(lái)定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域，只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過(guò)程中刻掉。有圖形刻蝕可用來(lái)在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無(wú)圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個(gè)硅片沒(méi)有掩模的情況下進(jìn)行的，這種刻蝕工藝用于剝離掩模層（如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側(cè)墻的硅化物工藝后鈦的剝離）。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征）。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：無(wú)化學(xué)廢液。深圳龍華刻蝕設(shè)備

光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體?？涛g設(shè)備

同樣的刻蝕條件，針對(duì)不同的刻蝕暴露面積，刻蝕的速率會(huì)有所不一樣。通常來(lái)說(shuō)，刻蝕面積越大，刻蝕的速率越慢，暴露面積越小，刻蝕的速率越快。所以在速率調(diào)試的過(guò)程中，要使用尺寸相當(dāng)?shù)臉悠愤M(jìn)來(lái)調(diào)試，這樣調(diào)試的刻蝕速率參考意義比較大。氮化硅濕法刻蝕：對(duì)于鈍化層，另外一種受青睞的化合物是氮化硅。可以用液體化學(xué)的方法來(lái)刻蝕，但是不想其他層那樣容易。使用的化學(xué)品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會(huì)迅速蒸發(fā)，所以刻蝕要在一個(gè)裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問(wèn)題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來(lái)阻擋刻蝕劑。這兩個(gè)因素已導(dǎo)致對(duì)于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)?？涛g設(shè)備