淺談表面功能微納結(jié)構(gòu)及其加工方法：目前可以實現(xiàn)表面微納結(jié)構(gòu)的加工方法主要有以下幾種。（1）光刻技術(shù)，利用電子束或激光光束可以得到加工尺寸在幾十納米的微納結(jié)構(gòu)，該方法優(yōu)勢在于精度高，得到的微納結(jié)構(gòu)形狀可以得到很好的控制；（2）飛秒激光加工技術(shù)，由于飛秒激光具有不受衍射極限限制的特點，可以加工出遠小于光斑直徑的尺寸，研究人員通過試驗發(fā)現(xiàn)，采用飛秒激光加工出10nm寬的納米線，在微納加工領(lǐng)域具有獨特優(yōu)勢。另外飛秒激光雙分子聚合技術(shù)可以實現(xiàn)納米尺寸結(jié)構(gòu)的加工；（3）自組裝工藝，光刻與自組裝和刻蝕工藝結(jié)合，通過自組裝工藝，可以得到6nm左右的納米孔。（4）等離子刻蝕技術(shù)，等離子刻蝕技術(shù)是應(yīng)用廣的微納米加工手段，加工精度高，是集成電路制造中關(guān)鍵的工藝之一。（5）沉積法，主要包括物相沉積和化學氣相沉積，該方法主要是利用氣相發(fā)生的物理化學過程，在工件表面形成功能型或裝飾性的金屬，可以用來實現(xiàn)微納米結(jié)構(gòu)涂層的制造。（6）微納增材制造技術(shù)，微納增材制造技術(shù)主要指微納尺度電噴增材制造和微激光增材制造技術(shù)，由于微納增材技術(shù)可以不受形狀限制，可多材料協(xié)同制造，具有較大的發(fā)展前景。除以上幾種加工技術(shù)外。 高精度的微細結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作！泰州微納加工工藝流程

      在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結(jié)合的混合方法，CVD和PECVD主要用于生長氮化硅、氧化硅等介質(zhì)膜。南平石墨烯微納加工微納加工技術(shù)對現(xiàn)代的生活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進作用，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。

    濺射鍍膜有兩種方式：一種稱為離子束濺射，指真空狀態(tài)下用離子束轟擊靶表面，使濺射出的粒子在基體表面成膜，該工藝較為昂貴，主要用于制取特殊的薄膜；另一種稱為陰極濺射，主要利用低壓氣體放電現(xiàn)象，使處于等離子狀態(tài)下的離子轟擊靶面，濺射出的粒子沉積在基體上。它采用平行板電極結(jié)構(gòu)，膜料物質(zhì)做成的大面積靶為陰極，支持基體的基板為陽極，安裝于鐘罩式真空容器內(nèi)。為減少污染，先將鐘罩內(nèi)的壓強抽到小于10-3~10-4Pa，然后充入Ar氣，使壓強維持在1~10Pa。在兩極之間加數(shù)千伏的電壓進行濺射鍍膜。與蒸發(fā)鍍膜相比，濺射鍍膜時靶材（膜料）無相變，化合物成分穩(wěn)定，合金不易分餾，因此適合制備的膜材非常廣。由于濺射沉積到襯底上的粒子能量比蒸發(fā)時的能量高50倍，它們對襯底有清洗和升溫作用，所以形成的薄膜附著力大。特別是濺射鍍膜容易控制膜的成分，通過直接濺射或者反應(yīng)濺射，可以制備大面積均勻的各種合金膜、化合物膜、多層膜和復合膜。濺射鍍膜易實現(xiàn)連續(xù)化、自動化作業(yè)和規(guī)?；a(chǎn)。但是，由于濺射時要使用高電壓和氣體，所以裝置比較復雜，薄膜易受濺射氣氛的影響，薄膜沉積速率也較低。此外，濺射鍍膜需要事先制備各種成分的靶，裝卸靶不太方便。

    微納加工即是微米級納米級單位的加工常常應(yīng)用在材料科學和芯片設(shè)計等領(lǐng)域，通俗的講就是把圖形轉(zhuǎn)移到襯底上面去，一般襯底是Si，做微納加工第一步是要做光刻版的。第一步版圖：一般要用CAD，EDA，Matlab，L-edit，potel軟件做圖形第二步制作光刻版：這里比較復雜我分為三步來介紹首先我們要了解光刻版的材料和它的結(jié)構(gòu)，光刻版即是掩膜板材質(zhì)只有兩種石英和蘇打（石英的透光率要比蘇打的透光率要好）蘇打和石英上面呢有一層ge金屬（ge金屬不透光）ge金屬上面還有一層光刻膠。第一步：我們要確定我們光刻版的大小（注意光刻版要比襯底大一個英寸以便于光刻的時候光刻版能把襯底全部掩蓋?。┮约靶【€寬和精度（這里直接關(guān)乎到我們制版的時候會用到什么設(shè)備）第二步：進行光刻我們需要用電子束將光刻版上面的光刻膠進行處理就是把圖形用電子束寫到光刻版上面去被紫外線照到的地方的光刻膠就會產(chǎn)生變性在用把光刻膠洗掉這一步也叫去膠。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線。 機械微加工是微納制造中較方便，也較接近傳統(tǒng)材料加工方式的微成型技術(shù)！

電子束光刻技術(shù)是利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影復印圖形的技術(shù).電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物，經(jīng)過電子束掃描過的電子抗蝕劑發(fā)生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發(fā)生化學性質(zhì)改變。經(jīng)過顯影和定影，獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形。電子束光刻技術(shù)的主要工藝過程為涂膠、前烘、電子束曝光、顯影和堅膜?，F(xiàn)代的電子束光刻設(shè)備已經(jīng)能夠制作小于10nm的精細線條結(jié)構(gòu)。電子束光刻設(shè)備也是制作光學掩膜版的重要工具。影響曝光精度的內(nèi)部工藝因素主要取決于電子束斑尺寸、掃描步長、電子束流劑量和電子散射引起的鄰近效應(yīng)。微納加工平臺支持基礎(chǔ)信息器件與系統(tǒng)等多領(lǐng)域、交叉學科，開展前沿信息科學研究和技術(shù)開發(fā)。大連微納加工平臺

在微納加工過程中，蒸發(fā)沉積和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。泰州微納加工工藝流程

光刻是半導體制造中常用的技術(shù)之一，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎(chǔ)。然而，深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應(yīng)的光學掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術(shù)，導致其價格都相對昂貴。因此，無掩模的高速制備法是微納結(jié)構(gòu)制備的優(yōu)先方法。在這些無掩模方法中，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術(shù)，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量。但是，實際應(yīng)用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高。泰州微納加工工藝流程

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