磁控濺射的工藝研究：1、傳動速度。玻璃基片在陰極下的移動是通過傳動來進行的。低傳動速度使玻璃在陰極范圍內(nèi)經(jīng)過的時間更長，這樣就可以沉積出更厚的膜層。不過，為了保證膜層的均勻性，傳動速度必須保持恒定。鍍膜區(qū)內(nèi)一般的傳動速度范圍為每分鐘0~600英寸之間。根據(jù)鍍膜材料、功率、陰極的數(shù)量以及膜層的種類的不同，通常的運行范圍是每分鐘90~400英寸之間。2、距離與速度及附著力。為了得到較大的沉積速率并提高膜層的附著力，在保證不會破壞輝光放電自身的前提下，基片應當盡可能放置在離陰極較近的地方。濺射粒子和氣體分子的平均自由程也會在其中發(fā)揮作用。當增加基片與陰極之間的距離，碰撞的幾率也會增加，這樣濺射粒子到達基片時所具有的能力就會減少。所以，為了得到較大的沉積速率和較好的附著力，基片必須盡可能地放置在靠近陰極的位置上。磁控濺射解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題。江西雙靶磁控濺射工藝

磁控濺射的基本原理是利用Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜。磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現(xiàn)大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。磁控濺射設備一般根據(jù)所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種。直流磁控濺射的特點是在陽極基片和陰極靶之間加一個直流電壓，陽離子在電場的作用下轟擊靶材，它的濺射速率一般都比較大。江蘇專業(yè)磁控濺射儀器反應磁控濺射所用的靶材料和反應氣體純度很高，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。

磁控濺射又稱為高速低溫濺射，在磁場約束及增強下的等離子體中的工作氣體離子，在靶陰極電場的加速下，轟擊陰極材料，使材料表面的原子或分子飛離靶面，穿越等離子體區(qū)以后在基片表面淀積、遷移較終形成薄膜。與二極濺射相比較，磁控濺射的沉積速率高，基片升溫低，膜層質(zhì)量好，可重復性好，便于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。它的發(fā)展引起了薄膜制備工藝的巨大變革。磁控濺射源在結構上必須具備兩個基本條件：(1)建立與電場垂直的磁場；(2)磁場方向與陰極表面平行，并組成環(huán)形磁場。

真空磁控濺射鍍膜技術的特點：1、基片溫度低?？衫藐枠O導走放電時產(chǎn)生的電子，而不必借助基材支架接地來完成，可以有效減少電子轟擊基材，因而基材的溫度較低，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。2、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕。磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導致，靶的局部位置刻蝕速率較大，使靶材有效利用率較低。因此，想要提高靶材利用率，需要通過一定手段將磁場分布改變，或者利用磁鐵在陰極中移動，也可提高靶材利用率。磁控濺射靶材的制備方法：粉末冶金法。

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進行磁控濺射沉積。脈沖磁控濺射可以有效地抑制電弧產(chǎn)生進而消除由此產(chǎn)生的薄膜缺陷，同時可以提高濺射沉積速率，降低沉積溫度等一系列明顯的優(yōu)點，是濺射絕緣材料沉積的優(yōu)先選擇工藝過程。在一個周期內(nèi)存在正電壓和負電壓兩個階段，在負電壓段，電源工作于靶材的濺射，正電壓段，引入電子中和靶面累積的正電荷，并使表面清潔，裸露出金屬表面。加在靶材上的脈沖電壓與一般磁控濺射相同！為400~500V，電源頻率在10~350KHz，在保證穩(wěn)定放電的前提下，應盡可能取較低的頻率。由于等離子體中的電子相對離子具有更高的能動性，因此正電壓值只需要是負電壓的10%~20%，就可以有效中和靶表面累積的正電荷。占空比的選擇在保證濺射時靶表面累積的電荷能在正電壓階段被完全中和的前提下，盡可能提高占空，以實現(xiàn)電源的更大效率。磁控濺射適用于制備大面積均勻薄膜，并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。江西直流磁控濺射步驟

磁控濺射鍍膜產(chǎn)品優(yōu)點：可以沉積合金和化合物的薄膜，同時保持與原始材料相似的組成。江西雙靶磁控濺射工藝

磁控濺射方法可用于制備多種材料，如金屬、半導體、絕緣子等。它具有設備簡單、易于控制、涂覆面積大、附著力強等優(yōu)點。磁控濺射發(fā)展至今，除了上述一般濺射方法的優(yōu)點外，還實現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。磁控濺射鍍膜常見領域應用：1、各種功能薄膜。如具有吸收、透射、反射、折射、偏振等功能。例如，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。2、微電子。可作為非熱鍍膜技術，主要用于化學氣相沉積。3、裝飾領域的應用：如各種全反射膜和半透明膜；比如手機殼、鼠標等。江西雙靶磁控濺射工藝

廣東省科學院半導體研究所是以提供微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務內(nèi)的多項綜合服務，為消費者多方位提供微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務，廣東省半導體所是我國電子元器件技術的研究和標準制定的重要參與者和貢獻者。公司承擔并建設完成電子元器件多項重點項目，取得了明顯的社會和經(jīng)濟效益。產(chǎn)品已銷往多個國家和地區(qū)，被國內(nèi)外眾多企業(yè)和客戶所認可。