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磁控濺射相關(guān)圖片
  • 共濺射磁控濺射分類,磁控濺射
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磁控濺射基本參數(shù)
  • 品牌
  • 芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工
  • 型號
  • 齊全
磁控濺射企業(yè)商機(jī)

磁控濺射技術(shù)有:直流濺射法。直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí),表面的離子電荷無法中和,這將導(dǎo)致靶面電位升高,外加電壓幾乎都加在靶上,兩極間的離子加速與電離的機(jī)會將變小,甚至不能電離,導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止,濺射停止。故對于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?,須用射頻濺射法。濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程:入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞,入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子;某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘,從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來,產(chǎn)生離位原子;這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞,產(chǎn)生碰撞級聯(lián);當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí),如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能,這些原子就會從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用:微電子??勺鳛榉菬徨兡ぜ夹g(shù),主要用于化學(xué)氣相沉積。共濺射磁控濺射分類

共濺射磁控濺射分類,磁控濺射

脈沖磁控濺射的分類如下:1、單向脈沖:單向脈沖正電壓段的電壓為零!濺射發(fā)生在負(fù)電壓段。由于零電壓段靶表面電荷中和效果不明顯。2、雙向脈沖:雙向脈沖在一個(gè)周期內(nèi)存在正電壓和負(fù)電壓兩個(gè)階段,在負(fù)電壓段,電源工作于靶材的濺射,正電壓段,引入電子中和靶面累積的正電荷,并使表面清潔,裸露出金屬表面。雙向脈沖更多地用于雙靶閉合式非平衡磁控濺射系統(tǒng),系統(tǒng)中的兩個(gè)磁控靶連接在同一脈沖電源上,兩個(gè)靶交替充當(dāng)陰極和陽極。陰極靶在濺射的同時(shí),陽極靶完成表面清潔,如此周期性地變換磁控靶極性,就產(chǎn)生了“自清潔”效應(yīng)。山西直流磁控濺射技術(shù)磁控濺射的原理是:靶材背面加上強(qiáng)磁體,形成磁場。

共濺射磁控濺射分類,磁控濺射

磁控濺射設(shè)備的主要用途有哪些呢?1、被應(yīng)用于裝飾領(lǐng)域,被制成全反射及半透明膜,比如我們常用常換常買的手機(jī)殼,沒想到吧;2、被應(yīng)用于機(jī)械加工行業(yè)中提高涂層產(chǎn)品的壽命壽命。因?yàn)闉R射磁控鍍膜能夠有效提高表面硬度、韌性、耐磨抗損以及耐化學(xué)侵蝕、耐高溫,從而達(dá)到提高產(chǎn)品壽命的作用;3、被應(yīng)用于微電子領(lǐng)域。在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機(jī);4、被應(yīng)用于在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽能電池等方面的研究,發(fā)揮了非常重大且重要的作用。

交流磁控濺射和直流濺射的區(qū)別如下:交流磁控濺射和直流濺射相比交流磁控濺射采用交流電源代替直流電源,解決了靶面的異常放電現(xiàn)象。交流濺射時(shí),靶對真空室壁不是恒定的負(fù)電壓,而是周期一定的交流脈沖電壓。設(shè)脈沖電壓的周期為T,在負(fù)脈沖T—△T時(shí)間間隔內(nèi),靶面處于放電狀態(tài),這一階段和直流磁控濺射相似;靶面上的絕緣層不斷積累正電荷,絕緣層上的場強(qiáng)逐步增大;當(dāng)場強(qiáng)增大至一定限度后靶電位驟降為零甚至反向,即靶電位處于正脈沖△T階段。在△T時(shí)間內(nèi),放電等離子體中的負(fù)電荷─電子向靶面遷移并中和了絕緣層表面所帶的正電荷,使絕緣層內(nèi)場強(qiáng)恢復(fù)為零,從而消除了靶面異常放電的可能性。磁控濺射是一種基于等離子體的沉積過程,其中高能離子向目標(biāo)加速。離子撞擊目標(biāo),原子從表面噴射。

共濺射磁控濺射分類,磁控濺射

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn):1、沉積速率大。由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用。2、功率效率高。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,通常為600V,因?yàn)?00V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi)。3、濺射能量低。磁控靶電壓施加較低,磁場將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)如下:沉積速率高。安徽射頻磁控濺射處理

磁控濺射鍍膜產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn):可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置。共濺射磁控濺射分類

磁控濺射技術(shù)原理如下:濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下,對陰極靶材表面進(jìn)行轟擊,把靶材表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來,被濺射出來的粒子帶有一定的動能,沿一定的方向射向基體表面,在基體表面形成鍍層。濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡單的直流二極濺射,它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡單,但是直流二極濺射沉積速率低;為了保持自持放電,不能在低氣壓下進(jìn)行;在直流二極濺射裝置中增加一個(gè)熱陰極和陽極,就構(gòu)成直流三極濺射。增加的熱陰極和陽極產(chǎn)生的熱電子增強(qiáng)了濺射氣體原子的電離,這樣使濺射即使在低氣壓下也能進(jìn)行;另外,還可降低濺射電壓,使濺射在低氣壓,低電壓狀態(tài)下進(jìn)行;同時(shí)放電電流也增大,并可單獨(dú)控制,不受電壓影響。在熱陰極的前面增加一個(gè)電極,構(gòu)成四極濺射裝置,可使放電趨于穩(wěn)定。但是這些裝置難以獲得濃度較高的等離子體區(qū),沉積速度較低,因而未獲得普遍的工業(yè)應(yīng)用。共濺射磁控濺射分類

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