刻蝕原理介紹主要工藝參數刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良的產生原因單擊此處編輯母版標題樣式單擊此處編輯母版標題樣式刻蝕工藝介紹辛小剛刻蝕原理介紹刻蝕主要工藝參數刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良原因分析刻蝕是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻膠保護的Metal/ITO膜通過化學反應去除掉，較終形成制程所需要的圖形?？涛g種類目前我司的刻蝕種類主要分兩種：1、Metal刻蝕刻蝕液主要成分：磷酸、硝酸、醋酸、水。Metal：合金金屬2、ITO刻蝕刻蝕液主要成分：鹽酸、硝酸、水。ITO：氧化銦錫（混合物）Metal刻蝕前后：ITO刻蝕前后：刻蝕前后對比照片12345刻蝕液濃度刻蝕溫度刻蝕速度噴淋流量過刻量刻蝕液的濃度對刻蝕效果影響較大，所以我們主要通過：來料檢驗、首片確認、定期更換的方法來保證。 在集成電路制造過程中需要多種類型的干法刻蝕工藝，應用涉及硅片上各種材料。深圳寶安刻蝕液

干刻蝕是一類較新型，但迅速為半導體工業(yè)所采用的技術。其利用電漿(plasma)來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下，才有可能被激發(fā)出來；而干刻蝕采用的氣體，或轟擊質量頗巨，或化學活性極高，均能達成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣，加工出來之邊緣側向侵蝕現象極微。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經激發(fā)出來的電漿，即帶有氟或氯之離子團，可快速與芯片表面材質反應。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕，不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其較重要的優(yōu)點，能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點，換言之，本技術中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術的要求，而正被大量使用。湖州濕法刻蝕在雙重曝光工藝中，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學反應。

反應離子刻蝕：這種刻蝕過程同時兼有物理和化學兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。硅片處于陰極電位，放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速，垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發(fā)生強烈的化學反應，產生化學刻蝕作用。選擇合適的氣體組分，不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度，還可以使活性基團的壽命短，這就有效地阻止了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側向反應，提高了刻蝕的各向異性特性。反應離子刻蝕是超大規(guī)模集成電路工藝中比較有發(fā)展前景的一種刻蝕方法。

干刻蝕是一類較新型，但迅速為半導體工業(yè)所采用的技術。其利用電漿(plasma)來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下，才有可能被激發(fā)出來；而干刻蝕采用的氣體，或轟擊質量頗巨，或化學活性極高，均能達成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon)，加工出來之邊緣側向侵蝕現象極微。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經激發(fā)出來的電漿，即帶有氟或氯之離子團，可快速與芯片表面材質反應。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕，不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其較重要的優(yōu)點，能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點，換言之，本技術中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術的要求，而正被大量使用。浸沒光刻和雙重光刻技術在不改變193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數量級。

二氧化硅濕法刻蝕：較普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅。基本的刻蝕劑是氫氟酸，它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優(yōu)點。然而，飽和濃度的氫氟酸在室溫下的刻蝕速率約為300A/s。這個速率對于一個要求控制的工藝來說太快了。在實際中，氫氟酸與水或氟化銨及水混合。以氟化銨來緩沖加速刻蝕速率的氫離子的產生。這種刻蝕溶液稱為緩沖氧化物刻蝕或BOE。針對特定的氧化層厚度，他們以不同的濃度混合來達到合理的刻蝕時間。一些BOE公式包括一個濕化劑用以減小刻蝕表面的張力，以使其均勻地進入更小的開孔區(qū)。在Si片上形成具有垂直側壁的高深寬比溝槽結構是制備先進MEMS器件的關鍵工藝，其各向異性刻蝕要求非常嚴格。納米刻蝕

等離子體刻蝕機就要求相同的元素：化學刻蝕劑和能量源。深圳寶安刻蝕液

刻蝕較簡單較常用分類主要是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區(qū)別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕。優(yōu)點是選擇性好、重復性好、生產效率高、設備簡單、成本低。干法刻蝕種類比較多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類型來劃分，干法刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕和硅刻蝕。深圳寶安刻蝕液

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