物相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，物相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一。PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍膜、離子鍍膜和分子束外延等。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機。隨著沉積方法和技術(shù)的提升，物相沉積技術(shù)不只可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。物相沉積技術(shù)早在20世紀初已有些應(yīng)用，但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù)，并向著環(huán)保型、清潔型趨勢發(fā)展。在鐘表行業(yè)，尤其是高級手表金屬外觀件的表面處理方面達到越來越為普遍的應(yīng)用。真空磁控濺射鍍膜這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。河北射頻磁控濺射方案

真空磁控濺射為什么必須在真空環(huán)境？濺射過程是通過電能，使氣體的離子轟擊靶材，就像磚頭砸土墻，土墻的部分原子濺射出來，落在所要鍍膜的基體上的過程。如果氣體太多，氣體離子在運行到靶材的過程中，很容易跟路程中的其他氣體離子或分子碰撞，這樣就不能加速，也濺射不出靶材原子來。所以需要真空狀態(tài)。而如果氣體太少，氣體分子不能成為離子，沒有很多可以轟擊靶材，所以也不行。只能選擇中間值，有足夠的氣體離子可以轟擊靶材，而在轟擊過程中，不至于因為氣體太多而相互碰撞致使失去太多的能量的氣體量。所以必須在較為恒定的真空狀態(tài)下。此狀態(tài)根據(jù)氣體分子直徑和分子自由程計算。一般在0.2-0.5Pa之間。山西磁控濺射磁控濺射屬于輝光放電范疇，利用陰極濺射原理進行鍍膜。

在各種濺射鍍膜技術(shù)中，磁控濺射技術(shù)是較重要的技術(shù)之一，為了制備大面積均勻且批量一致好的薄膜，釆用優(yōu)化靶基距、改變基片運動方式、實行膜厚監(jiān)控等措施。多工位磁控濺射鍍膜儀器由于其速度比可調(diào)以及同時制作多個基片，效率大幅度提高，被越來越多的重視和使用。在實際鍍膜中，有時靶材料是不宜中間開孔的，而且對于磁控濺射系統(tǒng)，所以在實際生產(chǎn)中通過改變靶形狀來改善膜厚均勻性的方法是行不通的。因此找到一種能改善膜厚均勻性并且可行的方法是非常有必要且具有重要意義的。

磁控濺射的基本原理就是以磁場改變電子運動方向，束縛和延長運動路徑，提高電子的電離概率和有效地利用了電子的能量。因此在形成高密度等離子體的異常輝光放電中，正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效，同時受正交電磁場的束縛的電子只能在其能量將要耗盡時才能沉積在基片上，這就是磁控濺射具有低溫高速兩大特點的機理。磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。磁控濺射具有設(shè)備簡單、易于控制、涂覆面積大、附著力強等優(yōu)點。

反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是，直流反應(yīng)濺射的反應(yīng)氣體會在靶表面非侵蝕區(qū)形成絕緣介質(zhì)層，造成電荷積累放電，導(dǎo)致沉積速率降低和不穩(wěn)定，進而影響薄膜的均勻性及重復(fù)性，甚至損壞靶和基片。為了解決這一問題，近年來發(fā)展了一系列穩(wěn)定等離子體以控制沉積速率，提高薄膜均勻性和重復(fù)性的技術(shù)。(1)采用雙靶中頻電源解決反應(yīng)磁控濺射過程中因陽極被絕緣介質(zhì)膜覆蓋而造成的等離子體不穩(wěn)定現(xiàn)象，同時還解決了電荷積累放電的問題。(2)利用等離子發(fā)射譜監(jiān)測等離子體中的金屬粒子含量，調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體流量使等離子體放電電壓穩(wěn)定，從而使沉積速率穩(wěn)定。(3)使用圓柱形旋轉(zhuǎn)靶減小絕緣介質(zhì)膜的覆蓋面積。(4)降低輸入功率，并使用能夠在放電時自動切斷輸出功率的智能電源抑制電弧。(5)反應(yīng)過程與沉積過程分室進行，既能有效提高薄膜沉積速率，又能使反應(yīng)氣體與薄膜表面充分反應(yīng)生成化合物薄膜。脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進行磁控濺射沉積。廣東脈沖磁控濺射工藝

非平衡磁控濺射的磁場有邊緣強，也有中部強，導(dǎo)致濺射靶表面磁場的“非平衡”。河北射頻磁控濺射方案

熱式氣體流量控制器在雙靶磁控濺射儀的應(yīng)用：雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)是帶有進樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備。它可用于在高真空背景下，充入高純氬氣，采用磁控濺射方式制備各種金屬膜、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設(shè)備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。本公司生產(chǎn)的DC系列的數(shù)字型熱式氣體流量控制器在該設(shè)備中使用，產(chǎn)品采用全數(shù)字架構(gòu)，新型的傳感制作工藝，通訊方式兼容：0-5V、4-20mA、RS485通訊模式，一鍵切換通訊信號，操作簡單方便。河北射頻磁控濺射方案

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大。目前我公司在職員工以90后為主，是一個有活力有能力有創(chuàng)新精神的團隊。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主營業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)，堅持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度、扎實的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德，樹立了良好的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)形象，贏得了社會各界的信任和認可。