不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至0.8um(800nm)之間。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被普遍使用。在90年代前半期，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn)，光刻開(kāi)始采用365nm波長(zhǎng)光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高，波長(zhǎng)較短的兩個(gè)譜線(xiàn)。高壓汞燈技術(shù)成熟，因此較早被用來(lái)當(dāng)作光刻光源。使用波長(zhǎng)短，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)、提高光刻分別率。光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋，主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈。遼寧光刻加工平臺(tái)

堅(jiān)膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力；進(jìn)一步增強(qiáng)光刻膠與硅片表面之間的黏附性；進(jìn)一步減少駐波效應(yīng)（StandingWaveEffect）。常見(jiàn)問(wèn)題：a、烘烤不足（Underbake）。減弱光刻膠的強(qiáng)度（抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力）；降低小孔填充能力（GapfillCapabilityfortheneedlehole）；降低與基底的黏附能力。b、烘烤過(guò)度（Overbake）。引起光刻膠的流動(dòng)，使圖形精度降低，分辨率變差。另外還可以用深紫外線(xiàn)（DUV，DeepUltra-Violet）堅(jiān)膜。使正性光刻膠樹(shù)脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼，增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。在后面的等離子刻蝕和離子注入（125～200C）工藝中減少因光刻膠高溫流動(dòng)而引起分辨率的降低。河南光刻加工工廠(chǎng)光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響。

光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響。目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，有2-3代差距，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來(lái)國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代空間巨大。同時(shí)，國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國(guó)晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)的百年機(jī)遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù)，力爭(zhēng)早日追上國(guó)際先進(jìn)水平，打進(jìn)國(guó)內(nèi)新建晶圓廠(chǎng)的供應(yīng)鏈。光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開(kāi)，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè)。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域，盡管?chē)?guó)產(chǎn)光刻膠距離國(guó)際先進(jìn)水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國(guó)已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。

光刻膠旋轉(zhuǎn)速度，速度越快，厚度越??；影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻；與旋轉(zhuǎn)加速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān)。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長(zhǎng)有關(guān)（因?yàn)椴煌?jí)別的曝光波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)不同的光刻膠種類(lèi)和分辨率）：I-line較厚，約0.7～3μm；KrF的厚度約0.4～0.9μm；ArF的厚度約0.2～0.5μm。軟烘方法：真空熱板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶劑（4～7%）；增強(qiáng)黏附性；釋放光刻膠膜內(nèi)的應(yīng)力；防止光刻膠玷污設(shè)備；邊緣光刻膠的去除：光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積。光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積。

常用的光刻膠主要是兩種，正性光刻膠（positive photoresist）被曝光的部分會(huì)被顯影劑去除，負(fù)性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會(huì)被顯影劑去除。正性光刻膠主要應(yīng)用于腐蝕和刻蝕工藝，而負(fù)膠工藝主要應(yīng)用于剝離工藝（lift-off）。光刻是微納加工當(dāng)中不可或缺的工藝，主要是起到圖形化轉(zhuǎn)移的作用。常規(guī)的光刻分為有掩膜光刻和無(wú)掩膜光刻。無(wú)掩膜光刻主要是電子束曝光和激光直寫(xiě)光，有掩膜光刻主要是接觸式曝光、非接觸式曝光和stepper光刻。對(duì)于有掩膜光刻，首先需要設(shè)計(jì)光刻版，常用的設(shè)計(jì)軟件有CAD、L-edit等軟件。光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一。中山MEMS光刻

光刻版材質(zhì)主要是兩種，一個(gè)是石英材質(zhì)一個(gè)是蘇打材質(zhì)，石英材料的透光率會(huì)比蘇打的透光率要高。遼寧光刻加工平臺(tái)

顯影液：正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因?yàn)闀?huì)帶來(lái)可動(dòng)離子污染（MIC，MovableIonContamination），所以在IC制造中一般不用。較普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨（TMAH）（標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)量濃度為0.26，溫度15～25C）。在I線(xiàn)光刻膠曝光中會(huì)生成羧酸，TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液，而未曝光的光刻膠沒(méi)有影響；在化學(xué)放大光刻膠（CAR，ChemicalAmplifiedResist）中包含的酚醛樹(shù)脂以PHS形式存在。CAR中的PAG產(chǎn)生的酸會(huì)去除PHS中的保護(hù)基團(tuán)（t-BOC），從而使PHS快速溶解于TMAH顯影液中。遼寧光刻加工平臺(tái)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所坐落于長(zhǎng)興路363號(hào)，是集設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、售后服務(wù)于一體，電子元器件的服務(wù)型企業(yè)。公司在行業(yè)內(nèi)發(fā)展多年，持續(xù)為用戶(hù)提供整套微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)的解決方案。公司主要經(jīng)營(yíng)微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等，我們始終堅(jiān)持以可靠的產(chǎn)品質(zhì)量，良好的服務(wù)理念，優(yōu)惠的服務(wù)價(jià)格誠(chéng)信和讓利于客戶(hù)，堅(jiān)持用自己的服務(wù)去打動(dòng)客戶(hù)。芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工集中了一批經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)及管理專(zhuān)業(yè)人才，能為客戶(hù)提供良好的售前、售中及售后服務(wù)，并能根據(jù)用戶(hù)需求，定制產(chǎn)品和配套整體解決方案。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所以先進(jìn)工藝為基礎(chǔ)、以產(chǎn)品質(zhì)量為根本、以技術(shù)創(chuàng)新為動(dòng)力，開(kāi)發(fā)并推出多項(xiàng)具有競(jìng)爭(zhēng)力的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)產(chǎn)品，確保了在微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)。