真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：射頻離子鍍(RFIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體、反應(yīng)氣體氧氣、氮?dú)?、乙炔等離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，不純氣體少，成膜好，適合鍍化合物膜，但匹配較困難?？蓱?yīng)用于鍍光學(xué)器件、半導(dǎo)體器件、裝飾品、汽車零件等。此外，離子鍍法還包括有低壓等離子體離子鍍，感應(yīng)離子加熱鍍，集團(tuán)離子束鍍和多弧離子鍍等多種方法。真空鍍膜中離子鍍的鍍層無氣泡。上海LPCVD真空鍍膜

電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料，比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、 束流密度大、蒸發(fā)速度快，制成的薄膜純度高、質(zhì)量好，通過晶振控制，厚度可以較準(zhǔn)確地控制，可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和各種光學(xué)材料薄膜。電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面，臺階覆蓋性比較差，如果需要追求臺階覆蓋性和薄膜粘附力，建議使用磁控濺射。在蒸發(fā)溫度以上進(jìn)行蒸發(fā)試，蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。因此，在鍍膜過程中，想要控制蒸發(fā)速率，必須精確控制蒸發(fā)源的溫度，加熱時(shí)應(yīng)盡量避免產(chǎn)生過大的溫度梯度。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓，溫度變化10%左右，飽和蒸氣壓就要變化一個(gè)數(shù)量級左右。天津磁控濺射真空鍍膜真空鍍膜的操作規(guī)程：易燃有毒物品要妥善保管，以防失火中毒。

真空鍍膜：離子鍍：離子鍍基本原理是在真空條件下，采用某種等離子體電離技術(shù)，使鍍料原子部分電離成離子，同時(shí)產(chǎn)生許多高能量的中性原子，在被鍍基體上加負(fù)偏壓。這樣在深度負(fù)偏壓的作用下，離子沉積于基體表面形成薄膜。離子鍍借助于惰性氣體輝光放電，使鍍料（如金屬鈦）氣化蒸發(fā)離子化，離子經(jīng)電場加速，以較高能量轟擊工件表面，此時(shí)如通入二氧化碳、氮?dú)獾确磻?yīng)氣體，便可在工件表面獲得TiC、TiN覆蓋層，硬度高達(dá)2000HV。離子鍍技術(shù)較早在1963年由D。M。Mattox提出。1972年，Bunshah&Juntz推出活性反應(yīng)蒸發(fā)離子鍍(AREIP)，該方法可以沉積TiN、TiC等超硬膜。1972年Moley&Smith發(fā)展完善了空心熱陰極離子鍍，1973年又發(fā)展出射頻離子鍍(RFIP)。20世紀(jì)80年代又發(fā)展出磁控濺射離子鍍(MSIP)和多弧離子鍍(MAIP)。離子鍍是物理的氣相沉積方法中應(yīng)用較普遍的一種鍍膜工藝。

PECVD一般用到的氣體有硅烷、笑氣、氨氣等其他。這些氣體通過氣管進(jìn)入在反應(yīng)腔體，在射頻源的左右下，氣體被電離成活性基團(tuán)?；钚曰鶊F(tuán)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，在低溫（300攝氏度左右）生長氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半導(dǎo)體器件的絕緣層，可有效的進(jìn)行絕緣。PECVD生長氧化硅薄膜是一個(gè)比較復(fù)雜的過程，薄膜的沉積速率主要受到反應(yīng)氣體比例、RF功率、反應(yīng)室壓力、基片生長溫度等。在一定范圍內(nèi)，提高硅烷與笑氣的比例，可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時(shí)候，提升RF功率可提升薄膜的沉積速率，當(dāng)RF增加到一定值后，沉積速率隨RF增大而減少，然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下，沉積速率隨腔體壓力增大而增大。PECVD在低溫范圍內(nèi)（200-350℃），沉積速率會(huì)隨著基片溫度的升高而略微下降，但不是太明顯。真空鍍膜機(jī)在集成電路制造中的應(yīng)用：PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。

磁控濺射是物理沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，而上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率，可以在樣品表面蒸鍍致密的薄膜。真空濺鍍可根據(jù)基材和靶材的特性直接濺射不用涂底漆。上海LPCVD真空鍍膜

真空鍍膜中離子鍍的鍍層厚度均勻。上海LPCVD真空鍍膜

真空鍍膜：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空條件下，利用獲得功能的粒子（如氬離子）轟擊靶材料表面，使靶材表面原子獲得足夠的能量而逃逸的過程稱為濺射。在真空條件下充入氬氣(Ar)，并在高電壓下使氬氣進(jìn)行輝光放電，可使氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)。氬離子在電場力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會(huì)被濺射出來而沉積到工件表面。被濺射的靶材沉積到基材表面，就稱作濺射鍍膜。濺射鍍膜中的入射離子，一般采用輝光放電獲得，在10-2Pa～10Pa范圍。上海LPCVD真空鍍膜

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