反應(yīng)磁控濺射特點(diǎn)：(1)采用雙靶中頻電源解決反應(yīng)磁控濺射過(guò)程中因陽(yáng)極被絕緣介質(zhì)膜覆蓋而造成的等離子體不穩(wěn)定現(xiàn)象，同時(shí)還解決了電荷積累放電的問(wèn)題。(2)利用等離子發(fā)射譜監(jiān)測(cè)等離子體中的金屬粒子含量，調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體流量使等離子體放電電壓穩(wěn)定，從而使沉積速率穩(wěn)定。(3)使用圓柱形旋轉(zhuǎn)靶減小絕緣介質(zhì)膜的覆蓋面積。(4)降低輸入功率，并使用能夠在放電時(shí)自動(dòng)切斷輸出功率的智能電源抑制電弧。(5)反應(yīng)過(guò)程與沉積過(guò)程分室進(jìn)行，既能有效提高薄膜沉積速率，又能使反應(yīng)氣體與薄膜表面充分反應(yīng)生成化合物薄膜。磁控濺射鍍膜的應(yīng)用領(lǐng)域：在不銹鋼刀片涂層技術(shù)中的應(yīng)用。湖南專(zhuān)業(yè)磁控濺射用處

磁控濺射是在外加電場(chǎng)的兩極之間引入一個(gè)磁場(chǎng)。這個(gè)磁場(chǎng)使得電子受到洛倫茲力的束縛作用，其運(yùn)動(dòng)路線(xiàn)受到控制，因此大幅度增加了電子與Ar分子（原子）碰撞的幾率，提高了氣體分子的電離程度，從而使濺射效率得到很大的提升。濺射現(xiàn)象自發(fā)現(xiàn)以來(lái)己被普遍應(yīng)用在多種薄膜的制備中，如制備金屬、半導(dǎo)體、合金、氧化物以及化合物半導(dǎo)體等。磁控濺射包括很多種類(lèi)。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。磁控濺射在技術(shù)上可以分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射。湖南專(zhuān)業(yè)磁控濺射用處磁控濺射一般根據(jù)所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種。

磁控濺射方法可用于制備多種材料，如金屬、半導(dǎo)體、絕緣子等。它具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、涂覆面積大、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射發(fā)展至今，除了上述一般濺射方法的優(yōu)點(diǎn)外，還實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。磁控濺射鍍膜常見(jiàn)領(lǐng)域應(yīng)用：1.各種功能薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏振等功能.例如，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率；2.微電子：可作為非熱鍍膜技術(shù)，主要用于化學(xué)氣相沉積(CVD).3.裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用：如各種全反射膜和半透明膜；比如手機(jī)殼、鼠標(biāo)等。

磁控濺射是一種涉及氣態(tài)等離子體的沉積技術(shù)，該等離子氣體被生成并限制在一個(gè)包含要沉積的材料的空間內(nèi)，濺射靶材的表面被等離子體中的高能離子侵蝕，釋放出的原子穿過(guò)真空環(huán)境并沉積在基板上以形成薄膜。磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：1、幾乎所有材料都可以通過(guò)磁控濺射沉積，而不論其熔化溫度如何；2、可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置；3、可以沉積合金和化合物的薄膜，同時(shí)保持與原始材料相似的組成。磁控濺射鍍膜的適用范圍：1、建材及民用工業(yè)中；2、在鋁合金制品裝飾中的應(yīng)用；3、高級(jí)產(chǎn)品零/部件表面的裝飾鍍中的應(yīng)用；4、在不銹鋼刀片涂層技術(shù)中的應(yīng)用；5、在玻璃深加工產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。磁控濺射靶材根據(jù)材料的成分不同，可分為金屬靶材、合金靶材、無(wú)機(jī)非金屬靶材等。

磁控濺射又稱(chēng)為高速低溫濺射，在磁場(chǎng)約束及增強(qiáng)下的等離子體中的工作氣體離子，在靶陰極電場(chǎng)的加速下，轟擊陰極材料，使材料表面的原子或分子飛離靶面，穿越等離子體區(qū)以后在基片表面淀積、遷移較終形成薄膜。與二極濺射相比較，磁控濺射的沉積速率高，基片升溫低，膜層質(zhì)量好，可重復(fù)性好，便于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。它的發(fā)展引起了薄膜制備工藝的巨大變革。磁控濺射源在結(jié)構(gòu)上必須具備兩個(gè)基本條件：(1)建立與電場(chǎng)垂直的磁場(chǎng)；(2)磁場(chǎng)方向與陰極表面平行，并組成環(huán)形磁場(chǎng)。PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類(lèi)：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。真空磁控濺射步驟

磁控濺射鍍膜的應(yīng)用領(lǐng)域：在玻璃深加工產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。湖南專(zhuān)業(yè)磁控濺射用處

磁控濺射靶材鍍膜過(guò)程中，影響靶材鍍膜沉積速率的因素：濺射電流。磁控靶的濺射電流與濺射靶材表面的離子電流成正比，因此也是影響濺射速率的重要因素。磁控濺射有一個(gè)普遍規(guī)律，即在較佳氣壓下沉積速度較快。因此，在不影響薄膜質(zhì)量和滿(mǎn)足客戶(hù)要求的前提下，從濺射良率考慮氣體壓力的較佳值是合適的。改變?yōu)R射電流有兩種方法：改變工作電壓或改變工作氣體壓力。濺射功率：濺射功率對(duì)沉積速率的影響類(lèi)似于濺射電壓。一般來(lái)說(shuō)，提高磁控靶材的濺射功率可以提高成膜率。然而，這并不是一個(gè)普遍的規(guī)則。在磁控靶材的濺射電壓低，濺射電流大的情況下，雖然平均濺射功率不低，但離子不能被濺射，也不能沉積。前提是要求施加在磁控靶材上的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰極和陽(yáng)極之間的電場(chǎng)中的能量足夠大于靶材的"濺射能量閾值"。湖南專(zhuān)業(yè)磁控濺射用處

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)一直在同行業(yè)中處于較強(qiáng)地位，無(wú)論是產(chǎn)品還是服務(wù)，其高水平的能力始終貫穿于其中。廣東省半導(dǎo)體所是我國(guó)電子元器件技術(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻(xiàn)者。公司承擔(dān)并建設(shè)完成電子元器件多項(xiàng)重點(diǎn)項(xiàng)目，取得了明顯的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。廣東省半導(dǎo)體所將以精良的技術(shù)、優(yōu)異的產(chǎn)品性能和完善的售后服務(wù)，滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)外廣大客戶(hù)的需求。