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  • 江蘇反應(yīng)磁控濺射用途,磁控濺射
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磁控濺射基本參數(shù)
  • 品牌
  • 芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工
  • 型號(hào)
  • 齊全
磁控濺射企業(yè)商機(jī)

磁控濺射靶材的制備技術(shù)方法按生產(chǎn)工藝可分為熔融鑄造法和粉末冶金法兩大類,在靶材的制備過程中,除嚴(yán)格控制材料的純度、致密度、晶粒度以及結(jié)晶取向之外,對(duì)熱處理工藝條件、后續(xù)成型加工過程亦需要加以嚴(yán)格的控制,以保證靶材的質(zhì)量。磁控濺射靶材的制備方法:1、熔融鑄造法。與粉末冶金法相比,熔融鑄造法生產(chǎn)的靶材產(chǎn)品雜質(zhì)含量低,致密度高。2、粉末冶金法。通常,熔融鑄造法無法實(shí)現(xiàn)難熔金屬濺射靶材的制備,對(duì)于熔點(diǎn)和密度相差較大的兩種或兩種以上的金屬,采用普通的熔融鑄造法,一般也難以獲得成分均勻的合金靶材;對(duì)于無機(jī)非金屬靶材、復(fù)合靶材,熔融鑄造法更是無能為力,而粉末冶金法是解決制備上述靶材技術(shù)難題的較佳途徑。同時(shí),粉末冶金工藝還具有容易獲得均勻細(xì)晶結(jié)構(gòu)、節(jié)約原材料、生產(chǎn)效率高等優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射是一種目前應(yīng)用十分普遍的薄膜沉積技術(shù)。江蘇反應(yīng)磁控濺射用途

江蘇反應(yīng)磁控濺射用途,磁控濺射

交流磁控濺射和直流濺射的區(qū)別如下:交流磁控濺射和直流濺射相比交流磁控濺射采用交流電源代替直流電源,解決了靶面的異常放電現(xiàn)象。交流濺射時(shí),靶對(duì)真空室壁不是恒定的負(fù)電壓,而是周期一定的交流脈沖電壓。設(shè)脈沖電壓的周期為T,在負(fù)脈沖T—△T時(shí)間間隔內(nèi),靶面處于放電狀態(tài),這一階段和直流磁控濺射相似;靶面上的絕緣層不斷積累正電荷,絕緣層上的場(chǎng)強(qiáng)逐步增大;當(dāng)場(chǎng)強(qiáng)增大至一定限度后靶電位驟降為零甚至反向,即靶電位處于正脈沖△T階段。在△T時(shí)間內(nèi),放電等離子體中的負(fù)電荷─電子向靶面遷移并中和了絕緣層表面所帶的正電荷,使絕緣層內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)恢復(fù)為零,從而消除了靶面異常放電的可能性。山西金屬磁控濺射流程磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用:各種功能薄膜。如具有吸收、透射、反射、折射、偏振等功能。

江蘇反應(yīng)磁控濺射用途,磁控濺射

磁控濺射是一種涉及氣態(tài)等離子體的沉積技術(shù),該等離子氣體被生成并限制在一個(gè)包含要沉積的材料的空間內(nèi),濺射靶材的表面被等離子體中的高能離子侵蝕,釋放出的原子穿過真空環(huán)境并沉積在基板上以形成薄膜。磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn):1、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積,而不論其熔化溫度如何;2、可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置;3、可以沉積合金和化合物的薄膜,同時(shí)保持與原始材料相似的組成。磁控濺射鍍膜的適用范圍:1、建材及民用工業(yè)中;2、在鋁合金制品裝飾中的應(yīng)用;3、高級(jí)產(chǎn)品零/部件表面的裝飾鍍中的應(yīng)用;4、在不銹鋼刀片涂層技術(shù)中的應(yīng)用;5、在玻璃深加工產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。

磁控直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料,不適于絕緣材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí),表面的離子電荷無法中和,這將導(dǎo)致靶面電位升高,外加電壓幾乎都加在靶上,兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小,甚至不能電離,導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止,濺射停止。故對(duì)于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?,須用射頻濺射法。濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程:入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞,入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子;某些靶材原子的動(dòng)能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢(shì)壘(對(duì)于金屬是5-10eV),從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來,產(chǎn)生離位原子;這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞,產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián);當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí),如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能(對(duì)于金屬是1-6eV),這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn)。

江蘇反應(yīng)磁控濺射用途,磁控濺射

磁控濺射靶材的分類如下:根據(jù)材料的成分不同,靶材可分為金屬靶材、合金靶材、無機(jī)非金屬靶材等。其中無機(jī)非金屬靶材又可分為氧化物、硅化物、氮化物和氟化物等不同種類靶材。根據(jù)幾何形狀的不同,靶材可分為長(zhǎng)方體形靶材、圓柱體靶材和不規(guī)則形狀靶材;此外,靶材還可以分為實(shí)心和空心兩種類型靶材。目前靶材較常用的分類方法是根據(jù)靶材應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行劃分,主要包括半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材、記錄介質(zhì)應(yīng)用靶材、顯示薄膜應(yīng)用靶材、光學(xué)靶材、超導(dǎo)靶材等。其中半導(dǎo)體領(lǐng)域用靶材、記錄介質(zhì)用靶材和顯示靶材是市場(chǎng)需求規(guī)模較大的三類靶材。濺射可連續(xù)工作,鍍膜過程容易自動(dòng)控制,工業(yè)上流水線作業(yè)。河北磁控濺射用處

磁控濺射適用于制備大面積均勻薄膜,并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。江蘇反應(yīng)磁控濺射用途

直流濺射的結(jié)構(gòu)原理如下:真空室中裝有輝光放電的陰極,靶材就裝在此極表面上,接受離子轟擊;安裝鍍膜基片或工件的樣品臺(tái)以及真空室接地,作為陽(yáng)極。操作時(shí)將真空室抽至高真空后,通入氬氣,并使其真空度維持在1.0Pa左右,再加上2-3kV的直流電壓于兩電極之上,即可產(chǎn)生輝光放電。此時(shí),在靶材附近形成高密度的等離子體區(qū),即負(fù)輝區(qū)該區(qū)中的離子在直流電壓的加速下轟擊靶材即發(fā)生濺射效應(yīng)。由靶材表面濺射出來的原子沉積在基片或工件上,形成鍍層。江蘇反應(yīng)磁控濺射用途

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是以提供微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)為主的****,公司成立于2016-04-07,旗下芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工,已經(jīng)具有一定的業(yè)內(nèi)水平。公司承擔(dān)并建設(shè)完成電子元器件多項(xiàng)重點(diǎn)項(xiàng)目,取得了明顯的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。多年來,已經(jīng)為我國(guó)電子元器件行業(yè)生產(chǎn)、經(jīng)濟(jì)等的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。

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