光刻層間對(duì)準(zhǔn)，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對(duì)準(zhǔn)。曝光中較重要的兩個(gè)參數(shù)是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調(diào)整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現(xiàn)為圖形的關(guān)鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a、接觸式曝光（ContactPrinting）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來(lái)的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當(dāng)，設(shè)備簡(jiǎn)單。缺點(diǎn)：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（ProximityPrinting）。接近式光刻機(jī)，光刻版與光刻膠有一個(gè)很小的縫隙，避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少。山東光刻加工工廠

掩膜板與光刻膠層的略微分開(kāi)，大約為10～50μm?？梢员苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時(shí)引入了衍射效應(yīng)，降低了分辨率。1970后適用，但是其較大分辨率*為2～4μm。c、投影式曝光（ProjectionPrinting）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實(shí)現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會(huì)以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點(diǎn)：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。投影式曝光分類(lèi)：掃描投影曝光（ScanningProjectPrinting）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；步進(jìn)重復(fù)投影曝光（Stepping-repeatingProjectPrinting或稱(chēng)作Stepper）。山東光刻加工工廠接觸式曝光具有分辨率高、復(fù)印面積大、復(fù)印精度好、曝光設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點(diǎn)。

光聚合型，可形成正性光刻膠，是通過(guò)采用了烯類(lèi)單體，在光作用下生成自由基從而進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物的過(guò)程；光分解型光刻膠可以制成正性膠，通過(guò)采用含有疊氮醌類(lèi)化合物的材料在經(jīng)過(guò)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)的過(guò)程。光交聯(lián)型，即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開(kāi)，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而起到抗蝕作用，是一種典型的負(fù)性光刻膠。按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示(LCD）用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類(lèi)較低，而半導(dǎo)體光刻膠表示著光刻膠技術(shù)較先進(jìn)水平。

光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響。目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，有2-3代差距，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來(lái)國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代空間巨大。同時(shí)，國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國(guó)晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)的百年機(jī)遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù)，力爭(zhēng)早日追上國(guó)際先進(jìn)水平，打進(jìn)國(guó)內(nèi)新建晶圓廠的供應(yīng)鏈。光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開(kāi)，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè)。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域，盡管?chē)?guó)產(chǎn)光刻膠距離國(guó)際先進(jìn)水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國(guó)已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破。接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時(shí)掩模與晶片間相對(duì)關(guān)系是貼緊還是分開(kāi)。

常用的光刻膠主要是兩種，正性光刻膠（positive photoresist）被曝光的部分會(huì)被顯影劑去除，負(fù)性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會(huì)被顯影劑去除。正性光刻膠主要應(yīng)用于腐蝕和刻蝕工藝，而負(fù)膠工藝主要應(yīng)用于剝離工藝（lift-off）。光刻是微納加工當(dāng)中不可或缺的工藝，主要是起到圖形化轉(zhuǎn)移的作用。常規(guī)的光刻分為有掩膜光刻和無(wú)掩膜光刻。無(wú)掩膜光刻主要是電子束曝光和激光直寫(xiě)光，有掩膜光刻主要是接觸式曝光、非接觸式曝光和stepper光刻。對(duì)于有掩膜光刻，首先需要設(shè)計(jì)光刻版，常用的設(shè)計(jì)軟件有CAD、L-edit等軟件。在完成圖形的曝光后，用激光曝光硅片邊緣，然后在顯影或特殊溶劑中溶解。安徽光刻加工廠商

光刻機(jī)又被稱(chēng)為：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。山東光刻加工工廠

根據(jù)曝光方式的不同，光刻機(jī)主要分為接觸式，接近式以及投影式三種。接觸式光刻機(jī)，曝光時(shí)，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單，分辨率高，沒(méi)有衍射效應(yīng)，缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會(huì)在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷，降低光刻版使用壽命，成品率低。接近式光刻機(jī)，光刻版與光刻膠有一個(gè)很小的縫隙，因?yàn)楣饪贪媾c襯底沒(méi)有接觸，缺陷減少，優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少，缺點(diǎn)是分辨率低，存在衍射效應(yīng)。投影式曝光，一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對(duì)準(zhǔn)后曝光，每次曝光一小部分，曝完一個(gè)圖形后，硅片移動(dòng)到下一個(gè)曝光位置繼續(xù)對(duì)準(zhǔn)曝光，這種曝光方式分辨率比較高，但不產(chǎn)生缺陷。山東光刻加工工廠

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所目前已成為一家集產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售相結(jié)合的服務(wù)型企業(yè)。公司成立于2016-04-07，自成立以來(lái)一直秉承自我研發(fā)與技術(shù)引進(jìn)相結(jié)合的科技發(fā)展戰(zhàn)略。公司主要經(jīng)營(yíng)微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等，我們始終堅(jiān)持以可靠的產(chǎn)品質(zhì)量，良好的服務(wù)理念，優(yōu)惠的服務(wù)價(jià)格誠(chéng)信和讓利于客戶，堅(jiān)持用自己的服務(wù)去打動(dòng)客戶。芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工以符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品質(zhì)量為目標(biāo)，并始終如一地堅(jiān)守這一原則，正是這種高標(biāo)準(zhǔn)的自我要求，產(chǎn)品獲得市場(chǎng)及消費(fèi)者的高度認(rèn)可。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所本著先做人，后做事，誠(chéng)信為本的態(tài)度，立志于為客戶提供微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)解決方案，節(jié)省客戶成本。歡迎新老客戶來(lái)電咨詢。