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磁控濺射相關圖片
  • 江西直流磁控濺射鍍膜,磁控濺射
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磁控濺射基本參數(shù)
  • 品牌
  • 芯辰實驗室,微納加工
  • 型號
  • 齊全
磁控濺射企業(yè)商機

磁控濺射的種類:磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點:利用磁場與電場交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運行,從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。靶源分平衡式和非平衡式,平衡式靶源鍍膜均勻,非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜,非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同,大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等,兩極磁力線閉合于靶面,很好地將電子/等離子體約束在靶面附近,增加了碰撞幾率,提高了離化效率,因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電,靶材利用率相對較高。但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面,基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術,即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極,兩極磁力線在靶面不完全閉合,部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域,從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片,增加基片區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。用磁控靶源濺射金屬和合金很容易,點火和濺射很方便。江西直流磁控濺射鍍膜

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磁控濺射的工藝研究:1、功率:每一個陰極都具有自己的電源。根據(jù)陰極的尺寸和系統(tǒng)設計,功率可以在0~150KW之間變化。電源是一個恒流源。在功率控制模式下,功率固定同時監(jiān)控電壓,通過改變輸出電流來維持恒定的功率。在電流控制模式下,固定并監(jiān)控輸出電流,這時可以調(diào)節(jié)電壓。施加的功率越高,沉積速率就越大。2、速度:另一個變量是速度。對于單端鍍膜機,鍍膜區(qū)的傳動速度可以在每分鐘0~600英寸之間選擇。對于雙端鍍膜機,鍍膜區(qū)的傳動速度可以在每分鐘0~200英寸之間選擇。在給定的濺射速率下,傳動速度越低則表示沉積的膜層越厚。3、氣體:較后一個變量是氣體,可以在三種氣體中選擇兩種作為主氣體和輔氣體來進行使用。江西直流磁控濺射鍍膜基板有低溫性,相對于二級濺射和熱蒸發(fā)來說,磁控濺射加熱少。

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磁控濺射靶材的制備方法:磁控濺射靶材的制備技術方法按生產(chǎn)工藝可分為熔融鑄造法和粉末冶金法兩大類,在靶材的制備過程中,除嚴格控制材料的純度、致密度、晶粒度以及結(jié)晶取向之外,對熱處理工藝條件、后續(xù)成型加工過程亦需要加以嚴格的控制,以保證靶材的質(zhì)量。1、熔融鑄造法:與粉末冶金法相比,熔融鑄造法生產(chǎn)的靶材產(chǎn)品雜質(zhì)含量低,致密度高。2、粉末冶金法:通常,熔融鑄造法無法實現(xiàn)難熔金屬濺射靶材的制備,對于熔點和密度相差較大的兩種或兩種以上的金屬,采用普通的熔融鑄造法,一般也難以獲得成分均勻的合金靶材;對于無機非金屬靶材、復合靶材,熔融鑄造法更是無能為力,而粉末冶金法是解決制備上述靶材技術難題的較佳途徑。同時,粉末冶金工藝還具有容易獲得均勻細晶結(jié)構、節(jié)約原材料、生產(chǎn)效率高等優(yōu)點。

磁控濺射的工藝研究:1、系統(tǒng)參數(shù):工藝會受到很多參數(shù)的影響。其中,一些是可以在工藝運行期間改變和控制的;而另外一些則雖然是固定的,但是一般在工藝運行前可以在一定范圍內(nèi)進行控制。兩個重要的固定參數(shù)是:靶結(jié)構和磁場。2、靶結(jié)構:每個單獨的靶都具有其自身的內(nèi)部結(jié)構和顆粒方向。由于內(nèi)部結(jié)構的不同,兩個看起來完全相同的靶材可能會出現(xiàn)迥然不同的濺射速率。在鍍膜操作中,如果采用了新的或不同的靶,應當特別注意這一點。如果所有的靶材塊在加工期間具有相似的結(jié)構,調(diào)節(jié)電源,根據(jù)需要提高或降低功率可以對它進行補償。在一套靶中,由于顆粒結(jié)構不同,也會產(chǎn)生不同的濺射速率。這也需要在鍍膜期間加以注意。不過,這種情況只有通過更換靶材才能得到解決,這時候為了得到優(yōu)良的膜層,必須重新調(diào)整功率或傳動速度。因為速度對于產(chǎn)品是至關重要的,所以標準而且適當?shù)恼{(diào)整方法是提高功率。靶源分平衡式和非平衡式,平衡式靶源鍍膜均勻,非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強。

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特殊濺射沉積技術:反應濺射參數(shù)與生成物性能的關系:在純Ar狀態(tài)下濺射沉積的時純鋁膜,當?shù)獨獗灰胝婵帐液螅忻姘l(fā)生變化,隨氮氣的量不斷上升,填充因子下降,膜內(nèi)AlN含量上升,膜的介質(zhì)性提高,方塊電阻增加,當?shù)獨膺_到某一值時,沉積膜就是純的AlN。同時電流不變的條件下,電壓下降,沉積速率降低。根據(jù)膜的導電性的高低可定性的將反應濺射過程分為兩種模式--金屬模式和化合物模式,介乎兩者之間是過渡區(qū)。一般認為膜的方塊電阻在1000之下是金屬模式,大于幾M為化合物模式。由于反應氣體量的增加,靶面上會形成一層化合物,薄膜成分變化的同時沉積速率下降當氣體量按原來增加量減少時,放電曲線及沉積速率都出現(xiàn)滯后現(xiàn)象。中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統(tǒng)中,與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。遼寧脈沖磁控濺射設備

對于大部分材料,只要能制成靶材,就可以實現(xiàn)濺射。江西直流磁控濺射鍍膜

PVD技術特征:在真空室內(nèi)充入放電所需要的惰性氣體,在高壓電場作用下氣體分子因電離而產(chǎn)生大量正離子。帶電離子被強電場加速,便形成高能量的離子流轟擊蒸發(fā)源材料。在離子轟擊下,蒸發(fā)源材料的原子將離開固體表面,以高速度濺射到基片上并沉積成薄膜。RF濺射:RF濺射使用的頻率約為13.56MHz,它不需要熱陰極,能在較低的氣壓和較低的電壓下進行濺射。RF濺射不只可以沉積金屬膜,而且可以沉積多種材料的絕緣介質(zhì)膜,因而使用范圍較廣。電弧離子鍍:陰極弧技術是在真空條件下,通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài),從而完成薄膜材料的沉積,該技術材料的離化率更高,薄膜性能更加優(yōu)異。江西直流磁控濺射鍍膜

廣東省科學院半導體研究所位于長興路363號,是一家專業(yè)的面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。公司。在廣東省半導體所近多年發(fā)展歷史,公司旗下現(xiàn)有品牌芯辰實驗室,微納加工等。我公司擁有強大的技術實力,多年來一直專注于面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。的發(fā)展和創(chuàng)新,打造高指標產(chǎn)品和服務。廣東省半導體所始終以質(zhì)量為發(fā)展,把顧客的滿意作為公司發(fā)展的動力,致力于為顧客帶來***的微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務。

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