光刻是微納加工技術(shù)中關(guān)鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng)。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。光刻膠分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會固化，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。微納制造技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用標志著人類可以在微、納米尺度認識和改造世界。濰坊微納加工應(yīng)用

        微納加工是指制造特征尺寸以納米為單位的結(jié)構(gòu)，尤其是側(cè)面小于20納米的結(jié)構(gòu)。目前的技術(shù)大多只允許在二維意義上進行微納加工。納加工通常用于制造計算機芯片，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)是計算機行業(yè)的支柱，可用于創(chuàng)建尺寸小于22m的特征，雖然這是非常昂貴的，而目且目前還不被認為是經(jīng)濟有效的。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造高級的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供技術(shù)支持。湖北MENS微納加工微納加工技術(shù)的特點：微型化。

       微納加工技術(shù)具有高精度、科技含量高、產(chǎn)品附加值高等特點，能突顯一個國家工業(yè)發(fā)展水平，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、提升生活品質(zhì)等方面都發(fā)揮著重要作用。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，是國內(nèi)少數(shù)擁有完整半導體工藝鏈的研究平臺之一，可進行鍍膜、光刻、刻蝕等工藝，加工尺寸覆蓋2-6英寸。微納加工平臺將面向國內(nèi)外科研機構(gòu)和企業(yè)提供全方面的開放服務(wù)，對半導體材料與器件的深入研發(fā)給予全方面支持，能夠為廣大科研單位和企業(yè)提供高質(zhì)量檔次服務(wù)。

    淺談表面功能微納結(jié)構(gòu)及其加工方法：目前可以實現(xiàn)表面微納結(jié)構(gòu)的加工方法主要有以下幾種。（1）光刻技術(shù)，利用電子束或激光光束可以得到加工尺寸在幾十納米的微納結(jié)構(gòu)，該方法優(yōu)勢在于精度高，得到的微納結(jié)構(gòu)形狀可以得到很好的控制；（2）飛秒激光加工技術(shù)，由于飛秒激光具有不受衍射極限限制的特點，可以加工出遠小于光斑直徑的尺寸，研究人員通過試驗發(fā)現(xiàn)，采用飛秒激光加工出10nm寬的納米線，在微納加工領(lǐng)域具有獨特優(yōu)勢。另外飛秒激光雙分子聚合技術(shù)可以實現(xiàn)納米尺寸結(jié)構(gòu)的加工；（3）自組裝工藝，光刻與自組裝和刻蝕工藝結(jié)合，通過自組裝工藝，可以得到6nm左右的納米孔。（4）等離子刻蝕技術(shù)，等離子刻蝕技術(shù)是應(yīng)用廣的微納米加工手段，加工精度高，是集成電路制造中關(guān)鍵的工藝之一。（5）沉積法，主要包括物相沉積和化學氣相沉積，該方法主要是利用氣相發(fā)生的物理化學過程，在工件表面形成功能型或裝飾性的金屬，可以用來實現(xiàn)微納米結(jié)構(gòu)涂層的制造。（6）微納增材制造技術(shù)，微納增材制造技術(shù)主要指微納尺度電噴增材制造和微激光增材制造技術(shù)，由于微納增材技術(shù)可以不受形狀限制，可多材料協(xié)同制造，具有較大的發(fā)展前景。除以上幾種加工技術(shù)外。 新一代微納制造系統(tǒng)應(yīng)滿足的要求：能生產(chǎn)多種多樣高度復雜的微納產(chǎn)品。

在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長。沉積技術(shù)分為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學氣相沉積是典型的化學方法；等離子體增強化學氣相沉積是物理與化學方法相結(jié)合的混合方法。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機的，而沒有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。外延生長實質(zhì)上是材料科學的薄膜加工方法，其含義是：在一個單晶的襯底上，定向地生長出與基底晶態(tài)結(jié)構(gòu)相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法，如電化學沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等，也都廣用于微納制作工藝中。不同的表面微納結(jié)構(gòu)可以呈現(xiàn)出相應(yīng)的功能，隨著科技的發(fā)展，不同功能的微納結(jié)構(gòu)及器件將會得到更多的應(yīng)用。目前表面功能微納結(jié)構(gòu)及器件，諸如超材料、超表面等充滿“神奇”力量的結(jié)構(gòu)或器件，的發(fā)展仍受到微納加工技術(shù)的限制。因此，研究功能微納結(jié)構(gòu)及器件需要從微納結(jié)構(gòu)的加工技術(shù)方面進行廣深入的研究，提高微納加工技術(shù)的加工能力和效率是未來微納結(jié)構(gòu)及器件研究的重點方向。微納加工設(shè)備主要有：光刻、刻蝕、鍍膜、濕法腐蝕、絕緣層鍍膜等！樂山石墨烯微納加工

在硅材料刻蝕當中，硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕。濰坊微納加工應(yīng)用

    光刻是半導體制造中常用的技術(shù)之一，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎(chǔ)。實際應(yīng)用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高；二是由于直接的激光寫入器逐點生成圖案，因此吞吐量是一個很大的挑戰(zhàn)。對于上述兩個挑戰(zhàn)：分辨率方面，一是可以通過原子力顯微鏡（AFM）或掃描近場顯微鏡（SNOM）等近場技術(shù)來提高，二是可以通過使用短波長光源來提高，三是可以通過非線性吸收實現(xiàn)超分辨率成像或制造；制造速度方面，除了工程學方法外，隨著激光技術(shù)的發(fā)展，主要是提出了包括自組裝微球激光加工、激光干涉光刻、多焦陣列激光直寫等并行激光加工方法來提高制造速度。并行激光加工技術(shù)可以將二維加工技術(shù)擴展到三維加工，為未來微納加工技術(shù)的發(fā)展提供新的方向；同時可以地廣泛應(yīng)用于傳感、太陽能電池和超材料領(lǐng)域的表面處理和功能器件制造，對生物醫(yī)學器件制造、光通信、傳感、以及光譜學等領(lǐng)域得發(fā)展研究具有重要意義。 濰坊微納加工應(yīng)用

廣東省科學院半導體研究所位于長興路363號，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家服務(wù)型企業(yè)。公司是一家****企業(yè)，以誠信務(wù)實的創(chuàng)業(yè)精神、專業(yè)的管理團隊、踏實的職工隊伍，努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團隊，具有微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等多項業(yè)務(wù)。廣東省半導體所將以真誠的服務(wù)、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品，為彼此贏得全新的未來！