微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類?！白陨隙隆笔菑暮暧^對象出發(fā)，以光刻工藝為基礎，對材料或原料進行加工，小結果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定?！白韵露稀奔夹g則是從微觀世界出發(fā)，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構建在一起，形成微納結構與器件?；诠饪坦に嚨奈⒓{加工技術主要包含以下過程：掩模（mask）制備、圖形形成及轉移（涂膠、曝光、顯影）、薄膜沉積、刻蝕、外延生長、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質的薄膜（抗蝕膠），曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發(fā)生光化學作用，形成微細圖形的潛像，再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉變成具有微細圖形的窗口，后續(xù)基于抗蝕膠圖案進行鍍膜、刻蝕等可進一步制作所需微納結構或器件。 微納加工平臺包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測量！漳州微納加工設備

        微納加工技術的發(fā)展，將促進納米光電子器件向更深更廣的方向發(fā)展。微納加工的半導體納米結構在光電子領域帶來許多新的量子物理效應，如量子點的庫侖阻塞效應和光子輔助隧穿效應，光子晶體的光子帶隙效應等。對這些新的納米結構帶來的新現象的研究將為研制新原理基礎上的新器件打下基礎。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務，面向國內外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產品中試提供技術支持。銅陵微納加工工藝流程微機電系統(tǒng)、微光電系統(tǒng)、生物微機電系統(tǒng)等是微納米技術的重要應用領域。

納秒和飛秒之間,皮秒激光微納加工應用獨具優(yōu)勢！與傳統(tǒng)的微納加工技術相比，激光微納加工具有如下獨特的優(yōu)點：非接觸加工不損壞工具、能量可調、加工方式靈活、可實現柔性加工等。其中全固態(tài)皮秒激光具有極窄的脈沖寬度(皮秒)、極高的峰值功率(兆瓦)以及優(yōu)異的光束質量，被廣泛應用于各種金屬、非金屬材料的精密加工。研究表明，脈沖寬度高于10ps的皮秒激光加工過程中有明顯的熱效應存在，而且隨著激光與材料作用時間的增加，工件表面會產生微裂紋以及再鑄層；脈沖寬度低于5ps的皮秒激光與材料作用時會產生非線性效應，這對金屬材料的加工非常不利。因此，適合微納精密加工用的皮秒激光的脈沖寬度在5~10ps之間。為了提高加工效率，重復頻率一般設定在十萬赫茲量級，而平均功率則根據所加工材料的燒蝕閾值而定。

    濺射鍍膜有兩種方式：一種稱為離子束濺射，指真空狀態(tài)下用離子束轟擊靶表面，使濺射出的粒子在基體表面成膜，該工藝較為昂貴，主要用于制取特殊的薄膜；另一種稱為陰極濺射，主要利用低壓氣體放電現象，使處于等離子狀態(tài)下的離子轟擊靶面，濺射出的粒子沉積在基體上。它采用平行板電極結構，膜料物質做成的大面積靶為陰極，支持基體的基板為陽極，安裝于鐘罩式真空容器內。為減少污染，先將鐘罩內的壓強抽到小于10-3~10-4Pa，然后充入Ar氣，使壓強維持在1~10Pa。在兩極之間加數千伏的電壓進行濺射鍍膜。與蒸發(fā)鍍膜相比，濺射鍍膜時靶材（膜料）無相變，化合物成分穩(wěn)定，合金不易分餾，因此適合制備的膜材非常廣。由于濺射沉積到襯底上的粒子能量比蒸發(fā)時的能量高50倍，它們對襯底有清洗和升溫作用，所以形成的薄膜附著力大。特別是濺射鍍膜容易控制膜的成分，通過直接濺射或者反應濺射，可以制備大面積均勻的各種合金膜、化合物膜、多層膜和復合膜。濺射鍍膜易實現連續(xù)化、自動化作業(yè)和規(guī)?；a。但是，由于濺射時要使用高電壓和氣體，所以裝置比較復雜，薄膜易受濺射氣氛的影響，薄膜沉積速率也較低。此外，濺射鍍膜需要事先制備各種成分的靶，裝卸靶不太方便。 微納加工涉及領域廣、多學科交叉融合，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS）。

在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長。沉積技術分為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學氣相沉積是典型的化學方法；等離子體增強化學氣相沉積是物理與化學方法相結合的混合方法。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結構都是隨機的，而沒有固定的晶態(tài)結構。外延生長實質上是材料科學的薄膜加工方法，其含義是：在一個單晶的襯底上，定向地生長出與基底晶態(tài)結構相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法，如電化學沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等，也都廣用于微納制作工藝中。微納加工技術的特點：多樣化。遼陽高精度微納加工

濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法！漳州微納加工設備

基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細結構，受光學衍射的極限，適用于微米以上尺度的微細結構制作，部分優(yōu)化的光刻工藝可能具有亞微米的加工能力。例如，接觸式光刻的分辨率可能到達0.5μm，采用深紫外曝光光源可能實現0.1μm。但利用這種光刻技術實現宏觀面積的納米/亞微米圖形結構的制作是可欲而不可求的。近年來，國內外很多學者相繼提出了超衍射極限光刻技術、周期減小光刻技術等，力求通過曝光光刻技術實現大面積的亞微米結構制作，但這類新型的光刻技術尚處于實驗室研究階段。漳州微納加工設備

廣東省科學院半導體研究所位于長興路363號，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家服務型企業(yè)。廣東省半導體所是一家****企業(yè)，一直“以人為本，服務于社會”的經營理念;“誠守信譽，持續(xù)發(fā)展”的質量方針。公司始終堅持客戶需求優(yōu)先的原則，致力于提供高質量的微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務。廣東省半導體所以創(chuàng)造***產品及服務的理念，打造高指標的服務，引導行業(yè)的發(fā)展。