在各種濺射鍍膜技術(shù)中，磁控濺射技術(shù)是較重要的技術(shù)之一，為了制備大面積均勻且批量一致好的薄膜，釆用優(yōu)化靶基距、改變基片運(yùn)動(dòng)方式、實(shí)行膜厚監(jiān)控等措施。多工位磁控濺射鍍膜儀器由于其速度比可調(diào)以及同時(shí)制作多個(gè)基片，效率大幅度提高，被越來越多的重視和使用。在實(shí)際鍍膜中，有時(shí)靶材料是不宜中間開孔的，而且對(duì)于磁控濺射系統(tǒng)，所以在實(shí)際生產(chǎn)中通過改變靶形狀來改善膜厚均勻性的方法是行不通的。因此找到一種能改善膜厚均勻性并且可行的方法是非常有必要且具有重要意義的。磁控濺射法實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。天津平衡磁控濺射

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。脈沖濺射可以有效地抑制電弧產(chǎn)生進(jìn)而消除由此產(chǎn)生的薄膜缺陷，同時(shí)可以提高濺射沉積速率，降低沉積溫度等一系列明顯的優(yōu)點(diǎn)，是濺射絕緣材料沉積的首先選擇的工藝過程。高功率脈沖磁控濺射技術(shù)作為一種高離化率物理中氣相沉積技術(shù)，可以明顯提高薄膜結(jié)構(gòu)可控性，進(jìn)而獲得優(yōu)異的薄膜性能，對(duì)薄膜工業(yè)的發(fā)展有重要意義。近幾年來，高功率脈沖磁控濺射技術(shù)在國內(nèi)外研究領(lǐng)域和工業(yè)界受到了普遍關(guān)注和重視。遼寧反應(yīng)磁控濺射用途磁控濺射技術(shù)得以普遍的應(yīng)用,是由該技術(shù)有別于其它鍍膜方法的特點(diǎn)所決定的。

磁控濺射靶材鍍膜過程中，影響靶材鍍膜沉積速率的因素：濺射電流：磁控靶的濺射電流與濺射靶材表面的離子電流成正比，因此也是影響濺射速率的重要因素。磁控濺射有一個(gè)普遍規(guī)律，即在較佳氣壓下沉積速度較快。因此，在不影響薄膜質(zhì)量和滿足客戶要求的前提下，從濺射良率考慮氣體壓力的較佳值是合適的。改變?yōu)R射電流有兩種方法：改變工作電壓或改變工作氣體壓力。濺射功率：濺射功率對(duì)沉積速率的影響類似于濺射電壓。一般來說，提高磁控靶材的濺射功率可以提高成膜率。然而,這并不是一個(gè)普遍的規(guī)則。在磁控靶材的濺射電壓低，濺射電流大的情況下，雖然平均濺射功率不低，但離子不能被濺射，也不能沉積。前提是要求施加在磁控靶材上的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰極和陽極之間的電場(chǎng)中的能量足夠大于靶材的"濺射能量閾值"。

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn)：1、基片溫度低：可利用陽極導(dǎo)走放電時(shí)產(chǎn)生的電子，而不必借助基材支架接地來完成，可以有效減少電子轟擊基材，因而基材的溫度較低，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。2、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕：磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場(chǎng)不均所導(dǎo)致，靶的局部位置刻蝕速率較大，使靶材有效利用率較低。因此，想要提高靶材利用率，需要通過一定手段將磁場(chǎng)分布改變，或者利用磁鐵在陰極中移動(dòng)，也可提高靶材利用率。磁控濺射靶的非平衡磁場(chǎng)不只有通過改變內(nèi)外磁體的大小和強(qiáng)度的永磁體獲得，也有由兩組電磁線圈產(chǎn)生。

反應(yīng)磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn)，這是因?yàn)椋?1)反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?純度很高，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。(2)通過調(diào)節(jié)反應(yīng)磁控濺射中的工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性。(3)反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板升溫較小，而且制膜過程中通常也不要求對(duì)基板進(jìn)行高溫加熱，因此對(duì)基板材料的限制較少。(4)反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。在氣體可以電離的壓強(qiáng)范圍內(nèi)如果改變施加的電壓，電路中等離子體的阻抗會(huì)隨之改變。安徽平衡磁控濺射分類

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。天津平衡磁控濺射

近年來磁控濺射技能發(fā)展十分迅速，代表性辦法有平衡平衡磁控濺射、反響磁控濺射、中頻磁控濺射及高能脈沖磁控濺射等等。放電發(fā)生的等離子體中，氬氣正離子在電場(chǎng)效果下向陰極移動(dòng)，與靶材外表磕碰，受磕碰而從靶材外表濺射出的靶材原子稱為濺射原子。磁控濺射不只應(yīng)用于科研及工業(yè)范疇，已延伸到許多日常生活用品，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相堆積制膜困難的薄膜制備。磁控濺射技能在制備電子封裝及光學(xué)薄膜方面已有多年，特別是先進(jìn)的中頻非平衡磁控濺射技能也已在光學(xué)薄膜、通明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。天津平衡磁控濺射

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