PECVD系統(tǒng)的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，這些鋼瓶被放置在有許多安全保護(hù)裝置的氣柜中，通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時(shí)，反應(yīng)氣體的多少會(huì)影響淀積的速率及其均勻性等，因此需要嚴(yán)格控制氣體流量，通常采用質(zhì)量流量計(jì)來實(shí)現(xiàn)精確控制。PECVD反應(yīng)過程中，反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔，逐漸擴(kuò)散至襯底表面，在射頻源激發(fā)的電場(chǎng)作用下，反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團(tuán)等。分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物，這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長(zhǎng)成島狀物，島狀物繼續(xù)生長(zhǎng)成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長(zhǎng)過程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。真空鍍膜機(jī)壓鑄技術(shù)用于生產(chǎn)鋁、鎂、鋅、銅基合金鑄件，在機(jī)械制造行業(yè)應(yīng)用已有多年的歷史。福建電子束蒸發(fā)真空鍍膜外協(xié)

真空鍍膜：離子鍍特點(diǎn)：離子鍍是物理的氣相沉積方法中應(yīng)用較普遍的一種鍍膜工藝。離子鍍的基本特點(diǎn)是采用某種方法（如電子束蒸發(fā)磁控濺射，或多弧蒸發(fā)離化等）使中性粒子電離成離子和電子，在基體上必須施加負(fù)偏壓，從而使離子對(duì)基體產(chǎn)生轟擊，適當(dāng)降低負(fù)偏壓后使離子進(jìn)而沉積于基體成膜，適用于高速鋼工具，熱鍛模等材料的表面處理過程。離子鍍的優(yōu)點(diǎn)如下：膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)，反應(yīng)溫度低。膜層均勻，致密。在負(fù)偏壓作用下繞鍍性好。無污染。多種基體材料均適合于離子鍍。福建電子束蒸發(fā)真空鍍膜外協(xié)真空鍍膜機(jī)在集成電路制造中的應(yīng)用：PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；被鍍基體作為陰極，利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應(yīng)氣體)離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升大、繞射性好、附著性好，膜結(jié)構(gòu)及形貌差，若用電子束加熱必須用差壓板；可用于鍍耐腐蝕潤(rùn)滑機(jī)械制品。多陰極型。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠熱電子、陰極發(fā)射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，有時(shí)需要對(duì)基板加熱；可用于鍍精密機(jī)械制品、電子器件裝飾品。

真空鍍膜的方法很多，計(jì)有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達(dá)到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結(jié)而成薄膜。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對(duì)面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi)，保持壓強(qiáng)約1。33～13。3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發(fā)輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜?；瘜W(xué)氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物，獲得沉積薄膜的過程。離子鍍：實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合，兼有兩者的工藝特點(diǎn)。真空鍍膜在所有被鍍材料中，以塑料較為常見。

電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）、鉬（Mo）等高熔點(diǎn)材料，需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進(jìn)，以提高鍍膜的效率。高熔點(diǎn)的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當(dāng)中，因?yàn)樗溘釄鍖?dǎo)熱過快，材料難以達(dá)到其蒸發(fā)的溫度。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)的驗(yàn)證，蒸發(fā)高熔點(diǎn)的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過坩堝邊沿來導(dǎo)熱，散熱速率慢，有利于達(dá)到材料蒸發(fā)的熔點(diǎn)。經(jīng)驗(yàn)證，采用此種方式鍍膜，薄膜均勻性良好，采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。在建筑和汽車玻璃上使用真空電鍍?cè)O(shè)備技術(shù)，鍍涂一層TiO2就能使其變成防霧、防露和自清潔玻璃。福建電子束蒸發(fā)真空鍍膜外協(xié)

多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜還會(huì)在電廠的作用下沉積在具有負(fù)電壓基體表面的任意位置上。福建電子束蒸發(fā)真空鍍膜外協(xié)

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種輔助鍍膜方法。當(dāng)膜料蒸發(fā)時(shí)，淀積分子在基板表面不斷受到來自離子源的荷能離子的轟擊，通過動(dòng)量轉(zhuǎn)移，使淀積粒子獲得較大動(dòng)能，提高了淀積粒子的遷移率，從而使膜層聚集密度增加，使得薄膜生長(zhǎng)發(fā)生了根本變化，使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源?；魻栯x子源是近年發(fā)展起來的一種低能離子源。這種源沒有柵極，陰極在陽(yáng)極上方發(fā)出熱電子，在磁場(chǎng)作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率，從而提高了電離效率。正離子因陰極與陽(yáng)極間的電位差而被引出。離子能量一般很低（50-150eV），但離子流密度較高，發(fā)散角大，維護(hù)容易。福建電子束蒸發(fā)真空鍍膜外協(xié)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所擁有面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。等多項(xiàng)業(yè)務(wù)，主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德，樹立了良好的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)形象，贏得了社會(huì)各界的信任和認(rèn)可。