將純半導(dǎo)體單晶熔化成半導(dǎo)體,并緩慢擠壓生長(zhǎng)成棒狀?;貧w型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來的,如果擠出速度快,則生長(zhǎng)出P型半導(dǎo)體,如果慢則生長(zhǎng)出N型半導(dǎo)體。因?yàn)榛鶚O區(qū)較厚,高頻特性較差。戈隆擴(kuò)散當(dāng)在擠壓過程中添加到溶解半導(dǎo)體中的雜質(zhì)發(fā)生變化時(shí),根據(jù)晶體的位置,P型或N型半導(dǎo)體會(huì)生長(zhǎng)。通過這種方法,可以生產(chǎn)二極管的PN和用于二極管的PNP(或NPN),制作了一個(gè)晶體管。
端子電極形成在同一平面上,縮短了電流路徑,具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細(xì)加工和應(yīng)用照相技術(shù)排列許多元件來制造,因此可以精確地大量生產(chǎn),利用這一特點(diǎn),發(fā)明了單片集成電路。
半導(dǎo)體器件行業(yè)的未來畫卷,正由無錫微原電子科技徐徐展開!黃浦區(qū)本地半導(dǎo)體器件
這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴,電子-空穴對(duì)消失,稱為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射(發(fā)光)或晶格的熱振動(dòng)能量(發(fā)熱)。在一定溫度下,電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度,從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí),將產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì),載流子密度增加,電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大,實(shí)際應(yīng)用不多。
半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應(yīng)用。光伏應(yīng)用半導(dǎo)體材料光生伏***應(yīng)是太陽能電池運(yùn)行的基本原理?,F(xiàn)階段半導(dǎo)體材料的光伏應(yīng)用已經(jīng)成為一大熱門,是目前世界上增長(zhǎng)**快、發(fā)展比較好的清潔能源市場(chǎng)。太陽能電池的主要制作材料是半導(dǎo)體材料,判斷太陽能電池的優(yōu)劣主要的標(biāo)準(zhǔn)是光電轉(zhuǎn)化率,光電轉(zhuǎn)化率越高,說明太陽能電池的工作效率越高。根據(jù)應(yīng)用的半導(dǎo)體材料的不同,太陽能電池分為晶體硅太陽能電池、薄膜電池以及III-V族化合物電池。
本地半導(dǎo)體器件發(fā)展現(xiàn)狀半導(dǎo)體器件行業(yè)的每一次變革,都蘊(yùn)含著無錫微原電子科技的創(chuàng)新基因!
半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié),它正向通電流時(shí),注入的少數(shù)載流子靠復(fù)合而發(fā)光。它可以發(fā)出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導(dǎo)體激光器如果使高效率的半導(dǎo)體發(fā)光管的發(fā)光區(qū)處在一個(gè)光學(xué)諧振腔內(nèi),則可以得到激光輸出。這種器件稱為半導(dǎo)體激光器或注入式激光器。
**早的半導(dǎo)體激光器所用的PN結(jié)是同質(zhì)結(jié),以后采用雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。雙異質(zhì)結(jié)激光器的優(yōu)點(diǎn)在于它可以使注入的少數(shù)載流子被限制在很薄的一層有源區(qū)內(nèi)復(fù)合發(fā)光,同時(shí)由雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)組成的光導(dǎo)管又可以使產(chǎn)生的光子也被限制在這層有源區(qū)內(nèi)。因此雙異質(zhì)結(jié)激光器有較低的閾值電流密度,可以在室溫下連續(xù)工作。
半導(dǎo)體 -----指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用,如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品,如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的**單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等,硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中相當(dāng)有有影響力的一種。
分類及性能:
元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體,其中對(duì)硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體材料,容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)生變化。目前,只有硅、鍺性能好,運(yùn)用的比較廣,硒在電子照明和光電領(lǐng)域中應(yīng)用。硅在半導(dǎo)體工業(yè)中運(yùn)用的多,這主要受到二氧化硅的影響,能夠在器件制作上形成掩膜,能夠提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性,利于自動(dòng)化工業(yè)生產(chǎn)。 半導(dǎo)體器件行業(yè)的挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存,無錫微原電子科技勇往直前!
元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體,其中對(duì)硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體材料,容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)生變化。目前,只有硅、鍺性能好,運(yùn)用的比較廣,硒在電子照明和光電領(lǐng)域中應(yīng)用。硅在半導(dǎo)體工業(yè)中運(yùn)用的多,這主要受到二氧化硅的影響,能夠在器件制作上形成掩膜,能夠提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性,利于自動(dòng)化工業(yè)生產(chǎn)。
無機(jī)合成物半導(dǎo)體。無機(jī)合成物主要是通過單一元素構(gòu)成半導(dǎo)體材料,當(dāng)然也有多種元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料,主要的半導(dǎo)體性質(zhì)有I族與V、VI、VII族;II族與IV、V、VI、VII族;III族與V、VI族;IV族與IV、VI族;V族與VI族;VI族與VI族的結(jié)合化合物,但受到元素的特性和制作方式的影響,不是所有的化合物都能夠符合半導(dǎo)體材料的要求。這一半導(dǎo)體主要運(yùn)用到高速器件中,InP制造的晶體管的速度比其他材料都高,主要運(yùn)用到光電集成電路、抗核輻射器件中。對(duì)于導(dǎo)電率高的材料,主要用于LED等方面。 在半導(dǎo)體器件的競(jìng)技場(chǎng)上,無錫微原電子科技憑借實(shí)力脫穎而出!南京通用半導(dǎo)體器件
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以GaN(氮化鎵)為**的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的**和基礎(chǔ),其研究開發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢(shì)態(tài)。GaN基光電器件中,藍(lán)色發(fā)光二極管LED率先實(shí)現(xiàn)商品化生產(chǎn)成功開發(fā)藍(lán)光LED和LD之后,科研方向轉(zhuǎn)移到GaN紫外光探測(cè)器上GaN材料在微波功率方面也有相當(dāng)大的應(yīng)用市場(chǎng)。氮化鎵半導(dǎo)體開關(guān)被譽(yù)為半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)上一個(gè)新的里程碑。美國(guó)佛羅里達(dá)大學(xué)的科學(xué)家已經(jīng)開發(fā)出一種可用于制造新型電子開關(guān)的重要器件,這種電子開關(guān)可以提供平穩(wěn)、無間斷電源。黃浦區(qū)本地半導(dǎo)體器件
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