三極管放大電路的原理:共發(fā)射極放大電路共發(fā)射極放大器是應(yīng)用普遍的放大器。所謂的共發(fā)射極放大器就是信號輸入和信號輸出都要依靠發(fā)射極完成的放大器。是一種典型的共發(fā)射極放大器。在該放大器內(nèi),VT是放大管,C1是輸入信號耦合電容,C2是輸出信號耦合電容,R1、R2是VT基極的直流偏置電阻,R3是VT的集電極負載電阻,VCC是供電電壓,Ui是輸入信號,Uo是輸出信號。直流偏置供電電壓VCC通過R1、R2分壓后,加到VT的基極,為基極提供直流偏置電壓,基極電壓Ub≈VCCR2/(R1+R2)。流過R1的電流分兩路到地:一路通過R2到地,另一路通過VT的發(fā)射極到地。三極管的電流放大倍數(shù)隨著頻率的增加而下降。金華半導體三極管安裝方式
三極管負載電阻被直接跨接于三極管的集電極與電源之間,而位居三極管主電流的回路上,輸入電壓Vin則控制三極管開關(guān)的開啟(open) 與閉合(closed) 動作,當三極管呈開啟狀態(tài)時,負載電流便被阻斷,反之,當三極管呈閉合狀態(tài)時,電流便可以流通。詳細的說,當Vin為低電壓時,由于基極沒有電流,因此集電極亦無電流,致使連接于集電極端的負載亦沒有電流,而相當于開關(guān)的開啟(關(guān)閉狀態(tài)),此時三極管乃工作于截止(cut off)區(qū)。同理,當Vin為高電壓時,由于有基極電流流動,因此使集電極流過更大的放大電流,因此負載回路便被導通,而相當于開關(guān)的閉合(連接狀態(tài)),此時三極管乃工作于飽和區(qū)(saturation)。直插三極管特性鍺三極管則比硅三極管具有更高的電導率和更好的低頻特性,但其穩(wěn)定性和可靠性較差。
判別三管極時應(yīng)首先確認基極。對于NPN管,用黑表筆接假定的基極,用紅表筆分別接觸另外兩個極,若測得電阻都小,約為幾百歐~幾千歐;而將黑、紅兩表筆對調(diào),測得電阻均較大,在幾百千歐以上,此時黑表筆接的就是基極。PNP管,情況正相反,測量時兩個PN結(jié)都正偏的情況下,紅表筆接基極。 實際上,小功率管的基極一般排列在三個管腳的中間,可用上述方法,分別將黑、紅表筆接基極,既可測定三極管的兩個PN結(jié)是否完好(與二極管PN結(jié)的測量方法一樣),又可確認管型。
三極管基極的判別:根據(jù)三極管的結(jié)構(gòu),我們知道三極管的基極是三極管中兩個PN結(jié)的公共極,因此,在判別三極管的基極時,只要找出兩個PN結(jié)的公共極,即為三極管的基極。具體方法是將多用電表調(diào)至電阻擋的R×1k擋,先用紅表筆放在三極管的一只腳上,用黑表筆去碰三極管的另兩只腳,如果兩次全通,則紅表筆所放的腳就是三極管的基極。如果一次沒找到,則紅表筆換到三極管的另一個腳,再測兩次;如還沒找到,則紅表筆再換一下,再測兩次。如果還沒找到,則改用黑表筆放在三極管的一個腳上,用紅表筆去測兩次看是否全通,若一次沒成功再換。這樣多量12次,總可以找到基極。三極管的放大倍數(shù)可以很大,可達到幾百倍。
三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管基本的和重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數(shù),用符號“β”表示。電流放大倍數(shù)對于某一只三極管來說是一個定值,但隨著三極管工作時基極電流的變化也會有一定的改變。根據(jù)三極管的作用我們分析它可以把微弱的電信號變成一定強度的信號,當然這種轉(zhuǎn)換仍然遵循能量守恒,它只是把電源的能量轉(zhuǎn)換成信號的能量罷了。三極管有一個重要參數(shù)就是電流放大系數(shù)β。當三極管的基極上加一個微小的電流時,在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的電流,即集電極電流。集電極電流隨基極電流的變化而變化,并且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化,這就是三極管的放大作用。三極管的作用還有電子開關(guān),配合其它元件還可以構(gòu)成振蕩器,此外三極管還有穩(wěn)壓的作用。三極管的集電極電流與基極電流成正比。溫州光敏三極管廠家供應(yīng)
三極管的電流放大倍數(shù)與工作溫度有關(guān)。金華半導體三極管安裝方式
雙極管共發(fā)射極接法的電壓-電流關(guān)系輸入特性曲線簡單地看,輸入特性曲線類似于發(fā)射結(jié)的伏安特性曲線,現(xiàn)討論iB和vBE之間的函數(shù)關(guān)系。因為有集電結(jié)電壓的影響,它與一個單獨的PN結(jié)的伏安特性曲線不同。 為了排除vCE的影響,在討論輸入特性曲線時,應(yīng)使vCE=const(常數(shù))。vCE的影響,可以用三極管的內(nèi)部的反饋作用解釋,即vCE對iB的影響。共發(fā)射極接法的輸入特性曲線見。其中vCE=0V的那一條相當于發(fā)射結(jié)的正向特性曲線。當vCE≥1V時, vCB= vCE - vBE>0,集電結(jié)已進入反偏狀態(tài),開始收集電子,且基區(qū)復(fù)合減少, IC / IB增大,特性曲線將向右稍微移動一些。但vCE再增加時,曲線右移很不明顯。曲線的右移是三極管內(nèi)部反饋所致,右移不明顯說明內(nèi)部反饋很小。金華半導體三極管安裝方式
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