場效應(yīng)管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)用三極管。場效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電，管中運(yùn)動(dòng)的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強(qiáng)烈的場合，采用場效應(yīng)管比較合適。場效應(yīng)管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級。 場效應(yīng)管具有放大和開關(guān)功能。珠海雙極場效應(yīng)管

用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管：首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。 南京全自動(dòng)場效應(yīng)管推薦場效應(yīng)管可以用作可變電阻。

場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí)，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

場效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成，其中硅是目前常見的。大多數(shù)場效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成。特殊的基體材料包括非晶硅、多晶硅、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET)。有機(jī)晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機(jī)材料制成。這種特殊的場效應(yīng)晶體管使用各種材料制造，例如碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs)。2011年6月，IBM宣布已成功地將石墨烯基場效應(yīng)晶體管應(yīng)用于集成電路中。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz，比標(biāo)準(zhǔn)硅基場效應(yīng)晶體管高得多。 由于場效應(yīng)管的放大器輸入阻抗很高，因此可以使用容量較小的耦合電容器，不必使用電解電容器。

現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代結(jié)型場效應(yīng)管，O代絕緣柵場效應(yīng)管。第二位字母代材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應(yīng)三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應(yīng)三極管。第二種命名方法是CS××#，CS代場效應(yīng)管，××以數(shù)字代型號的序號，#用字母代同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。場效應(yīng)管的作用：場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應(yīng)管可以用作可變電阻。場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。 場效應(yīng)管的作用是放大電信號或作為開關(guān)控制電路中的電流。蘇州isc場效應(yīng)管生產(chǎn)

P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。珠海雙極場效應(yīng)管

場效應(yīng)管判定柵極:用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測出的阻值都很大，說明均是反向電阻，該管屬于N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。 珠海雙極場效應(yīng)管

深圳市盟科電子科技有限公司是我國MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器專業(yè)化較早的有限責(zé)任公司之一，公司始建于2010-11-30，在全國各個(gè)地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關(guān)系。公司承擔(dān)并建設(shè)完成電子元器件多項(xiàng)重點(diǎn)項(xiàng)目，取得了明顯的社會和經(jīng)濟(jì)效益。將憑借高精尖的系列產(chǎn)品與解決方案，加速推進(jìn)全國電子元器件產(chǎn)品競爭力的發(fā)展。