MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。 場效應管可以方便地用作恒流源。金華手動場效應管制造商

場效應管是只要一種載流子參與導電，用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導體三極管MOSFET。MOS場效應管有增強型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導電類型。場效應管有三個電極：D(Drain)稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極；G(Gate)稱為柵極，相當于雙極型三極管的基極；S(Source)稱為源極，相當于雙極型三極管的發(fā)射極。增強型MOS(EMOS)場效應管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓撲構(gòu)造，它是在P型半導體上生成一層SiO2薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導體稱為襯底(substrat)，用符號B表示。工作原理1．溝道構(gòu)成原理當Vgs=0V時，漏源之間相當兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓，不會在D、S間構(gòu)成電流。當柵極加有電壓時，若0＜Vgs＜Vgs(th)時（VGS(th)稱為開啟電壓），經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導體中的空穴向下方排擠。 寧波N溝增強型場效應管命名V型槽場效應管使電流可以在器件的溝道中流動，從而產(chǎn)生增益和開關效應。

C-MOS場效應管（增強型MOS場效應管）電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時，MOS場效應管既被關斷。

結(jié)型場效應管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應管的結(jié)構(gòu)及符號，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區(qū)，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈小；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。不同場效應管其關斷電壓略有不同。也正因為如此，使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。 場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高。

各類音頻放大器具有各自的優(yōu)點及屬性，也各有其不足之處，而場效應管放大器主流兼具晶體管和電子管兩者的優(yōu)勢，同時還具備兩者所沒有的優(yōu)勢。在電路程式上，大量實踐證明，單端甲類功放是以效率換音質(zhì)的典范，具有出色的音樂魅力。不少發(fā)燒友從單純追求音質(zhì)出發(fā)，反復制作功放，反復對比聽音，非常終為A類所動，似乎覺得沒有A類的音樂猶如孤獨的音樂。各類音頻放大器具有各自的優(yōu)點及屬性，也各有其不足之處，而場效應管放大器主流兼具晶體管和電子管兩者的優(yōu)勢，同時還具備兩者所沒有的優(yōu)勢。在電路程式上，大量實踐證明，單端甲類功放是以效率換音質(zhì)的典范，具有出色的音樂魅力。不少發(fā)燒友從單純追求音質(zhì)出發(fā)，反復制作功放，反復對比聽音，非常終為A類所動，似乎覺得沒有A類的音樂猶如孤獨的音樂。 場效應管的制造工藝簡單，有利于大規(guī)模集成。珠海P溝耗盡型場效應管生產(chǎn)

場效應管具有放大和開關功能。金華手動場效應管制造商

場效應管MOSFET運用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動場效應管應用電路電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動；其次MOSFET的開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機理，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應用，在消費電子、工業(yè)產(chǎn)品、機電設備、智能手機以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見。 金華手動場效應管制造商

深圳市盟科電子科技有限公司是我國MOSFETs,場效應管，開關二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器專業(yè)化較早的有限責任公司之一，公司始建于2010-11-30，在全國各個地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關系。盟科電子致力于構(gòu)建電子元器件自主創(chuàng)新的競爭力，盟科電子將以精良的技術(shù)、優(yōu)異的產(chǎn)品性能和完善的售后服務，滿足國內(nèi)外廣大客戶的需求。