點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。因?yàn)闃?gòu)造簡單，所以價(jià)格便宜。對于小信號的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應(yīng)用范圍較廣的類型。與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此不能使用于大電流和整流。將細(xì)鋁絲的一端接在陽極引線上，另一端壓在摻雜過的N型半導(dǎo)體上。加上電壓后，細(xì)鋁絲在接觸點(diǎn)處融化并滲入融化部分的中。這樣，接觸點(diǎn)實(shí)際上是P型半導(dǎo)體，并附著在N型半導(dǎo)體上形成PN結(jié)。二極管PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，二極管導(dǎo)通時電流方向是由陽極通過管子內(nèi)部流向陰極。湖州隔離二極管型號

反向偏壓（Reverse Bias）在陽極側(cè)施加相對陰極負(fù)的電壓，就是反向偏置，所加電壓為逆向偏壓。這種情況下，因?yàn)镹型區(qū)域被注入電洞，P型區(qū)域被注入電子，兩個區(qū)域內(nèi)的主要載流子都變?yōu)椴蛔悖虼私Y(jié)合部位的空乏層變得更寬，內(nèi)部的靜電場也更強(qiáng)，擴(kuò)散電位也跟著變大。這個擴(kuò)散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。實(shí)際的元件雖然處于反向偏壓狀態(tài)，也會有微小的反向電流（飽和電流、漏電流、漂移電流）通過。當(dāng)反向偏壓持續(xù)增加時，還會發(fā)生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰，發(fā)生急遽的電流增加。開始產(chǎn)生這種擊穿現(xiàn)象的（反向）電壓被稱為擊穿電壓。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區(qū)域被稱為擊穿區(qū)（崩潰區(qū)）。在擊穿區(qū)內(nèi)，電流在較大的范圍內(nèi)變化而二極管反向壓降變化較小。穩(wěn)壓二極管就利用這個區(qū)域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。 上海高壓二極管使用注意事項(xiàng)二極管采用不同的摻雜工藝，通過擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體。

面接觸式二極管：面接觸式PN結(jié)二極管是由一塊半導(dǎo)體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個半導(dǎo)體（如本征硅）的一端成為一個包含負(fù)極性載流子（電子）的區(qū)域，稱作N型半導(dǎo)體；另一端成為一個包含正極性載流子（空穴）的區(qū)域，稱作P型半導(dǎo)體。兩種材料在一起時，電子會從N型一側(cè)流向P型一側(cè)。這一區(qū)域電子和電洞相互抵銷，造成中間區(qū)域載流子不足，形成“空乏層”。在空乏層內(nèi)部存在“內(nèi)電場”：N型側(cè)帶正電，P型側(cè)帶負(fù)電。兩塊區(qū)域的交界處為PN結(jié)，晶體允許電子（外部來看）從N型半導(dǎo)體一端，流向P型半導(dǎo)體一端，但是不能反向流動。

固態(tài)二極管1874年，德國物理學(xué)家卡爾·布勞恩發(fā)現(xiàn)了晶體的“單向傳導(dǎo)”的能力，并在1899年將晶體整流器申請了。氧化亞銅和硒整流器則是在1930年代為了供電應(yīng)用而發(fā)明的。印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了個使用晶體檢測無線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級別對微波進(jìn)行了研究。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（Greenleaf Whittier Pickard）發(fā)明了硅晶檢波器，并在1906年11月20日注冊了。也正是因?yàn)楦窳掷锓?，使得晶體檢波器發(fā)展成了可實(shí)用于無線電報(bào)的裝置。其他實(shí)驗(yàn)者嘗試了多種其他物質(zhì)，其中普遍使用的是礦物方鉛礦（硫化鉛），因它價(jià)格便宜且容易獲取。在這些早期的晶體收音機(jī)集的晶體檢波器包括一個可調(diào)節(jié)導(dǎo)線的點(diǎn)接觸設(shè)備（即所謂的“貓須”）?？梢酝ㄟ^手動調(diào)節(jié)晶體表面上的導(dǎo)線，以獲得的信號。 觸發(fā)二極管相當(dāng)于兩個反方向并聯(lián)的二極管，是一種雙方向皆可導(dǎo)通的二極管。

二極管的反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和反向電壓作用下，其流過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250μA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500μA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達(dá)8mA，不失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流為5μA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。二極管長期連續(xù)工作時，允許通過的正向平均電流值。浙江旋轉(zhuǎn)二極管廠家直銷

二極管P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。湖州隔離二極管型號

二極管PN結(jié)形成原理：P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。因硼原子只有三個價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時就有可能填補(bǔ)這個空位，使硼原子成了不能移動的負(fù)離子，而原來的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。 N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。 湖州隔離二極管型號

深圳市盟科電子科技有限公司主營品牌有盟科,MENGKE，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大，該公司生產(chǎn)型的公司。盟科電子是一家有限責(zé)任公司企業(yè)，一直“以人為本，服務(wù)于社會”的經(jīng)營理念;“誠守信譽(yù)，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司業(yè)務(wù)涵蓋MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證，深受廣大客戶的歡迎。盟科電子順應(yīng)時代發(fā)展和市場需求，通過**技術(shù)，力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器。