三極管負載電阻被直接跨接于三極管的集電極與電源之間，而位居三極管主電流的回路上，輸入電壓Vin則控制三極管開關(guān)的開啟(open) 與閉合(closed) 動作，當三極管呈開啟狀態(tài)時，負載電流便被阻斷，反之，當三極管呈閉合狀態(tài)時，電流便可以流通。詳細的說，當Vin為低電壓時，由于基極沒有電流，因此集電極亦無電流，致使連接于集電極端的負載亦沒有電流，而相當于開關(guān)的開啟（關(guān)閉狀態(tài)），此時三極管乃工作于截止(cut off)區(qū)。同理，當Vin為高電壓時，由于有基極電流流動，因此使集電極流過更大的放大電流，因此負載回路便被導通，而相當于開關(guān)的閉合（連接狀態(tài)），此時三極管乃工作于飽和區(qū)(saturation)。三極管按材質(zhì)分: 硅管、鍺管。無錫硅管三極管供應(yīng)

電子制作中常用的三極管有9 0× ×系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產(chǎn)品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31 （低頻小功率鍺管） 等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。一部分的3表示為三極管。 二部分表示器件的材料和結(jié)構(gòu)，A： PNP型鍺材料 B： NPN型鍺材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光電管 K：開關(guān)管 X：低頻小功率管 G：高頻小功率管 D：低頻大功率管 A：高頻大功率管。另外，3DJ型為場效應(yīng)管，BT打頭的表示半導體特殊元件。 紹興大功率三極管現(xiàn)貨三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導通電壓，處于某一恰當?shù)闹禃r，三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。

三極管基極的判別：根據(jù)三極管的結(jié)構(gòu)，我們知道三極管的基極是三極管中兩個PN結(jié)的公共極，因此，在判別三極管的基極時，只要找出兩個PN結(jié)的公共極，即為三極管的基極。具體方法是將多用電表調(diào)至電阻擋的R×1k擋，先用紅表筆放在三極管的一只腳上，用黑表筆去碰三極管的另兩只腳，如果兩次全通，則紅表筆所放的腳就是三極管的基極。如果一次沒找到，則紅表筆換到三極管的另一個腳，再測兩次；如還沒找到，則紅表筆再換一下，再測兩次。如果還沒找到，則改用黑表筆放在三極管的一個腳上，用紅表筆去測兩次看是否全通，若一次沒成功再換。這樣多量12次，總可以找到基極。

BVCEO是三極管基極開路時，集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓。如果在使用中加在集電極與發(fā)射極之間的電壓超過這個數(shù)值時，將可能使三極管產(chǎn)生很大的集電極電流，這種現(xiàn)象叫擊穿。三極管擊穿后會造成性損壞或性能下降。 PCM是集電極大允許耗散功率。三極管在工作時，集電極電流在集電結(jié)上會產(chǎn)生熱量而使三極管發(fā)熱。若耗散功率過大，三極管將燒壞。在使用中如果三極管在大于PCM下長時間工作，將會損壞三極管。需要注意的是大功率三極管給出的大允許耗散功率都是在加有一定規(guī)格散熱器情況下的參數(shù)。三家管PNP型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是空穴。

三極管將電阻Rc換成一個燈泡，那么當基極電流為0時，集電極電流為0，燈泡滅。如果基極電流比較大時(大于流過燈泡的電流除以三極管的放大倍數(shù)β)，三極管就飽和，相當于開關(guān)閉合，燈泡就亮了。由于控制電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點就行了，所以就可以用一個小電流來控制一個大電流的通斷。如果基極電流從0慢慢增加，那么燈泡的亮度也會隨著增加(在三極管未飽和之前)。但是在實際使用中要注意，在開關(guān)電路中，飽和狀態(tài)若在深度飽和時會影響其開關(guān)速度，飽和電路在基極電流乘放大倍數(shù)等于或稍大于集電極電流時是淺度飽和，遠大于集電極電流時是深度飽和。因此我們只需要控制其工作在淺度飽和工作狀態(tài)就可以提高其轉(zhuǎn)換速度。 晶體三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)。珠海光敏三極管命名

三極管是一種結(jié)型電阻器件，它的三個引腳都有明顯的電阻數(shù)據(jù)。無錫硅管三極管供應(yīng)

雙極管共發(fā)射極接法的電壓-電流關(guān)系輸入特性曲線簡單地看，輸入特性曲線類似于發(fā)射結(jié)的伏安特性曲線，現(xiàn)討論iB和vBE之間的函數(shù)關(guān)系。因為有集電結(jié)電壓的影響，它與一個單獨的PN結(jié)的伏安特性曲線不同。 為了排除vCE的影響，在討論輸入特性曲線時，應(yīng)使vCE=const(常數(shù))。vCE的影響，可以用三極管的內(nèi)部的反饋作用解釋，即vCE對iB的影響。共發(fā)射極接法的輸入特性曲線見。其中vCE=0V的那一條相當于發(fā)射結(jié)的正向特性曲線。當vCE≥1V時， vCB= vCE - vBE>0，集電結(jié)已進入反偏狀態(tài)，開始收集電子，且基區(qū)復合減少， IC / IB增大，特性曲線將向右稍微移動一些。但vCE再增加時，曲線右移很不明顯。曲線的右移是三極管內(nèi)部反饋所致，右移不明顯說明內(nèi)部反饋很小。無錫硅管三極管供應(yīng)

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