三極管的發(fā)明晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開關(guān)功能控制電流。真空電子管存在笨重、耗能、反應(yīng)慢等缺點(diǎn)。二戰(zhàn)時(shí)，上急切需要一種穩(wěn)定可靠、快速靈敏的電信號(hào)放大元件，研究成果在二戰(zhàn)結(jié)束后獲得。早期，由于鍺晶體較易獲得，主要研制應(yīng)用的是鍺晶體三極管。硅晶體出現(xiàn)后，由于硅管生產(chǎn)工藝很高效，鍺管逐漸被淘汰。經(jīng)半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展，三極管種類繁多，形貌各異。小功率三極管一般為塑料包封；大功率三極管一般為金屬鐵殼包封。BJT、JFET、MOS管，半導(dǎo)體三極管里較基礎(chǔ)、較重要的三劍客。浙江鍺管三極管生產(chǎn)

三極管單純從“放大”的角度來看，我們希望 β 值越大越好?？墒?，三極管接成共發(fā)射極放大電路時(shí)，從管子的集電極 c 到發(fā)射極 e 總會(huì)產(chǎn)生一有害的漏電流，稱為穿透電流 I ceo ，它的大小與 β 值近似成正比， β 值越大， I ceo 就越大。 I ceo 這種寄生電流不受 I b 控制，卻成為集電極電流 I c 的一部分， I c ＝ βI b ＋ I ceo 。值得注意的是， I ceo 跟溫度有密切的關(guān)系，溫度升高， I ceo 急劇變大，破壞了放大電路工作的穩(wěn)定性。所以，選擇三極管時(shí)，并不是 β 越大越好，一般取硅管 β 為 40 ～ 150 ，鍺管取 40 ～ 80 。蘇州鍺管三極管原理三極管封裝形式指定該管的外觀形狀，如果其它參數(shù)都正確，封裝不同將導(dǎo)致組件無法在電路板上實(shí)現(xiàn)。

三極管的電子運(yùn)動(dòng)原理：發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流IE發(fā)射結(jié)加正向電壓且發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度高，所以大量自由電子因擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)越過發(fā)射結(jié)到達(dá)基區(qū)。與此同時(shí)，空穴也從基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散，但由于基區(qū)雜質(zhì)濃度低，所以空穴形成的電流非常小，近似分析時(shí)可忽略不計(jì)?？梢?，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成了發(fā)射極電流IE。由于基區(qū)很薄，雜質(zhì)濃度很低，集電結(jié)又加了反向電壓，所以擴(kuò)散到基區(qū)的電子中只有極少部分與空穴復(fù)合，其余部分均作為基區(qū)的非平衡少子到達(dá)集電結(jié)。又由于電源 VBE的作用，電子與空穴的復(fù)合運(yùn)動(dòng)將源源不斷地進(jìn)行，形成基極電流IB。

三極管的運(yùn)用：（1）NPN型三極管，適合射極接GND集電極接負(fù)載到VCC的情況。只要基極電壓高于射極電壓（此處為GND）0.7V，即發(fā)射結(jié)正偏（VBE為正），NPN型三極管即可開始導(dǎo)通?；鶚O用高電平驅(qū)動(dòng)NPN型三極管導(dǎo)通（低電平時(shí)不導(dǎo)通）；基極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計(jì)是，接下拉電阻10-20k到GND；優(yōu)點(diǎn)是：①使基極控制電平由高變低時(shí)，基極能夠更快被拉低，NPN型三極管能夠更快更可靠地截止；②系統(tǒng)剛上電時(shí)，基極是確定的低電平。（2）PNP型三極管，適合射極接VCC集電極接負(fù)載到GND的情況。只要基極電壓低于射極電壓（此處為VCC）0.7V，即發(fā)射結(jié)反偏（VBE為負(fù)），PNP型三極管即可開始導(dǎo)通?；鶚O用低電平驅(qū)動(dòng)PNP型三極管導(dǎo)通（高電平時(shí)不導(dǎo)通）；基極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計(jì)是，接上拉電阻10-20k到VCC。三極管發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電結(jié)。

選用三極管需要了解三極管的主要參數(shù)。若手中有一本晶體管特性手冊(cè)好。三極管的參數(shù)很多，其中必須了解的四個(gè)極限參數(shù)：ICM、BVCEO、PCM、fT、TON TOFF 等，可滿足95%以上的使用需要。ICM是集電極大允許電流。三極管工作時(shí)當(dāng)它的集電極電流超過一定數(shù)值時(shí)，它的電流放大系數(shù)β將下降。為此規(guī)定三極管的電流放大系數(shù)β變化不超過允許值時(shí)的集電極大電流稱為ICM。所以在使用中當(dāng)集電極電流IC超過ICM時(shí)不至于損壞三極管，但會(huì)使β值減小，影響電路的工作性能。三極管工廠定制，哪家優(yōu)惠，便宜。中山雙極型三極管制造商

三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的關(guān)鍵元件。浙江鍺管三極管生產(chǎn)

三極管的工作原理：線性區(qū)NMOS如果柵上加正電壓，就會(huì)在其下感應(yīng)出相反極性的負(fù)電荷，從而產(chǎn)生N型溝道，使源漏導(dǎo)通。如果不考慮源漏電壓影響，則柵壓高一點(diǎn)，產(chǎn)生的溝道就寬一點(diǎn)，導(dǎo)通能力就大一點(diǎn)，這就是線性區(qū)。NPN管如果BE結(jié)加正向偏置導(dǎo)通，電子就會(huì)進(jìn)入到基區(qū)。除了被基區(qū)的P型空穴俘獲外，它們有兩個(gè)地方可以去：一個(gè)是從基極流出，一個(gè)是被集電極更高的正電壓吸收。集電極電壓越高，能收集到的電子就會(huì)越多，這也是線性變化的。在線性區(qū)，隨著電壓升高，源漏電流或集電極電流上升。而在飽和區(qū)電壓升高，電流基本都保持不變。二者的趨勢(shì)基本一致。浙江鍺管三極管生產(chǎn)

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