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企業(yè)商機(jī)
低壓熔斷器基本參數(shù)
  • 品牌
  • BUSSMANN巴斯曼、SIBA、庫(kù)柏西熔、西門子
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  • 全系列
低壓熔斷器企業(yè)商機(jī)

1常規(guī)高壓系統(tǒng)方案介紹在不考慮動(dòng)力電池內(nèi)部結(jié)構(gòu)、充電系統(tǒng)、動(dòng)力電池?zé)峁芾硐到y(tǒng)的前提下,一般純電動(dòng)汽車高壓附件系統(tǒng)設(shè)計(jì)回路見圖1。從圖1可知,動(dòng)力電源主回路需要總?cè)蹟嗥?只,其余分系統(tǒng)需單獨(dú)設(shè)置熔斷器。總體來看,至少選用4~5只直流系列,額定電壓在400V以上的熔斷器,才能滿足車輛的基本功能需求。圖1純電動(dòng)汽車高壓附件系統(tǒng)設(shè)計(jì)回路2直流高壓熔斷器選型基本原則直流高壓熔斷器選型原則主要是熔斷器額定電壓與額定電流的確認(rèn),熔斷器額定電壓需大于動(dòng)力電池**高電壓,額定電流(熔斷絲容量)的選擇參考式(1)(1)式中:In———熔斷器額定電流;Ir———保護(hù)回路的負(fù)載電流;K1———負(fù)載形式矯正系數(shù);K2———溫度矯正系數(shù)。其中負(fù)載形式矯正系數(shù)K1主要根據(jù)負(fù)載特性,考慮功率變化、電流紋波、啟動(dòng)與關(guān)閉瞬間沖擊電流等因素,一般條件下,平穩(wěn)運(yùn)行負(fù)載選擇,如果負(fù)載在工作過程中,電流有較**動(dòng),建議K1選擇。通常根據(jù)溫度變化率可直接計(jì)算溫度矯正系數(shù)K2,或者根據(jù)熔斷器使用的環(huán)境溫度及熔斷器溫升曲線,合理選擇K2,純電動(dòng)汽車無明顯高溫產(chǎn)生區(qū)域,一般K2選擇。在確認(rèn)K2時(shí),也要充分考慮熔斷器的自身功耗,即熔斷器在通過不同電流時(shí),不同的溫升效果。SIBA是高壓熔斷器制造工廠,1946年由卡爾林茨建立。天津進(jìn)口低壓熔斷器

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而這正是所希望的結(jié)果。在正常工作狀態(tài),電路內(nèi)部的**取樣電阻對(duì)負(fù)載電流周期性地進(jìn)行采樣,因此避免了因過流導(dǎo)致災(zāi)難性后果出現(xiàn)。因此,內(nèi)部過熱保護(hù)電路為變換器提供了安全工作區(qū)(SAO)。其中MAX668是一個(gè)開關(guān)控制器,由它完成升壓功能。電流反饋型升壓控制器(MAX668)驅(qū)動(dòng)低端邏輯電平N溝道增強(qiáng)型MOSFET,該開關(guān)管通過低端電流取樣電阻到地。**開關(guān)是一肖特基二極管,選擇它主要是它具有低的正向?qū)▔航?。由圖可見,升壓變換器的拓?fù)浠窘Y(jié)構(gòu)未被破壞。本應(yīng)用中,MAX668把,負(fù)載電流可達(dá)3A。貼片保險(xiǎn)絲其中P溝道增強(qiáng)型MOSFET——Q1是實(shí)現(xiàn)負(fù)載斷路的關(guān)鍵元件。當(dāng)MAX668在關(guān)閉模式時(shí),二極管D1仍然導(dǎo)通,使得MAX810L的電源端的電壓為二極管D1的管壓降。由于MAX810L的復(fù)位門檻電平為,因此其RESET端輸出為高電平,迫使Q1關(guān)斷,從而使負(fù)載與輸入電源斷開。MAX668通過外部反饋電阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)定5V輸出電壓。當(dāng)輸出電壓超MAX810L的復(fù)位門檻電平時(shí),其內(nèi)部單穩(wěn)電路開始工作并延時(shí)約240ms。之后,MAX810L的輸出變低,使Q1導(dǎo)通。Q1導(dǎo)通之后。MAX810L一直監(jiān)測(cè)輸出電壓以確定輸出是否過流。過載將會(huì)導(dǎo)致輸出電壓下降,當(dāng)它低于MAX810L門檻電平時(shí)。中國(guó)澳門進(jìn)口低壓熔斷器咨詢報(bào)價(jià)保險(xiǎn)絲保護(hù)電力設(shè)備不受過電流過熱的傷害,避免電子設(shè)備因內(nèi)部故障所引起的嚴(yán)重傷害。

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使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復(fù)位門檻電壓。假如R、C使Q1的導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng),同時(shí)也延長(zhǎng)了關(guān)斷時(shí)間。因此需要在電阻上并聯(lián)一肖特基二極管,以加速當(dāng)負(fù)載過載時(shí)關(guān)閉Q1的進(jìn)程。為了獲得增強(qiáng)型通道及較低的導(dǎo)通電阻,上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET,如果Q1的導(dǎo)通電阻值較大且在其兩端產(chǎn)生較大的壓降(特別是低輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合或負(fù)載離電源的距離較遠(yuǎn)時(shí)),則應(yīng)該從Q1漏極端反饋電壓調(diào)節(jié)輸出。設(shè)計(jì)電路時(shí),必須**小化寄生參數(shù)同時(shí)仔細(xì)考慮電路布局。利用一個(gè)SOT23封裝的低電壓模擬開關(guān)(MAX4544)可實(shí)現(xiàn)上述遠(yuǎn)端調(diào)節(jié),該開關(guān)受控于MAX810L的輸出,如圖4所示。根據(jù)MAX4544產(chǎn)品參數(shù),其**低工作電壓為。由于輸入電壓為,而肖特基的正向管壓降為,因此即使該升壓變換處于關(guān)閉模式,MAX4544(及MAX810)也處于工作狀態(tài)。此時(shí),MAX810輸出高電平,MAX4544的公共端COM與其常開端NO(Q1的源極)相連。當(dāng)MAX668使能時(shí),與MAX4544公共端相連的電阻網(wǎng)絡(luò)為MAX668提供反饋電壓。由于5V電壓時(shí)MAX4544的導(dǎo)通電阻**大可達(dá)60Ω。因此為了得到**小輸出電壓誤差,反饋電阻的取值應(yīng)該很大。由于3V工作電壓時(shí),MAX4544的導(dǎo)通電阻*為120Ω,因此開關(guān)MAX4544引入的誤差電壓很小。

學(xué)習(xí)目標(biāo):能正確識(shí)別、選擇、安裝、使用低壓熔斷器,掌握其功能、基本結(jié)構(gòu)、工作原理及型號(hào)含義,熟記其圖形符號(hào)和文字符號(hào)一、熔斷器的結(jié)構(gòu)與主要技術(shù)參數(shù)1.熔斷器的結(jié)構(gòu)熔體是熔斷器的**,常做成絲狀、片狀或柵狀,制作熔體的材料一般有鉛錫合金、鋅、銅、銀等。熔管是熔體的保護(hù)外殼,用耐熱絕緣材料制成,在熔體熔斷時(shí)兼有滅弧作用。熔座是熔斷器的底座,作用是固定熔管和外接引線。1.熔斷器是低壓配電網(wǎng)絡(luò)和電力拖動(dòng)系統(tǒng)中主要用作短路保護(hù)的電器。2.熔斷器主要由熔體、安裝熔體的熔管和熔座三部分組成。3.使用時(shí),熔斷器應(yīng)串聯(lián)在被保護(hù)的電路中。正常情況下,熔斷器的熔體相當(dāng)于一段導(dǎo)線;而當(dāng)電路發(fā)生短路故障時(shí),熔體能迅速熔斷分?jǐn)嚯娐罚鸬奖Wo(hù)線路和電氣設(shè)備的作用。二、熔斷器的選用1.熔斷器類型的選用根據(jù)使用環(huán)境、負(fù)載性質(zhì)和短路電流的大小選用適當(dāng)類型的熔斷器。2.熔斷器額定電壓和額定電流的選用熔斷器的額定電壓必須等于或大于線路的額定電壓。熔斷器的額定電流必須等于或大于所裝熔體的額定電流。3.熔體額定電流的選用(1)對(duì)照明和電熱等的短路保護(hù),熔體的額定電流應(yīng)等于或稍大于負(fù)載的額定電流。熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成,其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。

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3壽命計(jì)算及驗(yàn)證熔斷器壽命計(jì)算參考熔斷器負(fù)載電流波形及Ⅰ2t曲線,Ⅰ2t曲線的一般形式見圖2(以某品牌40A直流高壓熔斷器為例)。圖2某品牌40A熔斷器Ⅰ2t曲線圖根據(jù)圖2,從理論上來看,當(dāng)通過電流為熔斷器額定電流50%時(shí),熔斷器能夠保證持續(xù)工作而不非正常熔斷。實(shí)際負(fù)載波形通常不是平穩(wěn)的線性負(fù)載,針對(duì)不同的負(fù)載曲線,需根據(jù)式(2)進(jìn)行計(jì)算。(2)如果電流是周期性變化,則選擇任意幾個(gè)周期計(jì)算Ⅰ2t,計(jì)算所得Ⅰ2t曲線需在**下面一條曲線的下方區(qū)域。一般來講,電流波動(dòng)主要存在負(fù)載初步啟動(dòng)或者功率上升區(qū)域,可從負(fù)載啟動(dòng),快速提高負(fù)載功率直至穩(wěn)定,抓取從開始到負(fù)載穩(wěn)定過程中電流波形,估算Ⅰ2t,同樣要求Ⅰ2t曲線在圖2下方的區(qū)域。圖3為根據(jù)某一特定負(fù)載計(jì)算Ⅰ2t,繪制曲線所得,可做參考。圖3中,紅色曲線為實(shí)際電流Ⅰ2t,紅色曲線始終在綠色曲線下方。熔斷器實(shí)際壽命驗(yàn)證仍需在試驗(yàn)室臺(tái)架上進(jìn)行,或隨實(shí)車耐久同步進(jìn)行,Ⅰ2t的理論計(jì)算*作選型參考。圖3實(shí)測(cè)Ⅰ2t曲線4沖擊電流對(duì)熔斷器影響熔斷器型號(hào)初步確定后,需根據(jù)負(fù)載回路的沖擊電流,結(jié)合熔斷器時(shí)間-電流特性曲線,校核初選熔斷器能否承受回路內(nèi)的尖峰電流。半封閉式熔斷器的熔體裝在瓷架上,插入兩端帶有金屬插座的瓷盒中,適于低壓戶內(nèi)使用。河北國(guó)產(chǎn)低壓熔斷器價(jià)格優(yōu)惠

然后插在支座或直接連在電路上使用。天津進(jìn)口低壓熔斷器

1.倒閘操作的概念當(dāng)電氣設(shè)備由一種狀態(tài)轉(zhuǎn)換到另一種狀態(tài)或改變電力系統(tǒng)的運(yùn)行方式時(shí),需要進(jìn)行一系列的操作,這種操作叫做電氣設(shè)備的倒閘操作。2.電氣設(shè)備狀態(tài)(1)運(yùn)行狀態(tài):指設(shè)備的斷路器及隔離開關(guān)都在合閘位置,將電源至受電端間的電路接通(包括輔助設(shè)備,如電壓互感器、避雷器等)。(2)熱備用狀態(tài):指設(shè)備的斷路器在斷開位置,而隔離開關(guān)在合閘位置,斷路器一經(jīng)合閘,電路即接通轉(zhuǎn)為“運(yùn)行狀態(tài)”。(3)冷備用狀態(tài):是指設(shè)備的斷路器及隔離開關(guān)均在斷開位置。其***特點(diǎn)是該設(shè)備與其他帶電部分之間有明顯的斷開點(diǎn)。(4)檢修狀態(tài):是指設(shè)備的斷路器及隔離開關(guān)均已斷開,檢修設(shè)備兩側(cè)裝設(shè)了保護(hù)接地線(或合上了接地隔離開關(guān)),并懸掛了工作標(biāo)示牌,安裝了臨時(shí)遮欄等。3.倒閘操作的內(nèi)容(1)拉開或合上斷路器和隔離開關(guān)。(2)拉開或合上接地刀閘(拆除或掛上接地線)。(3)裝上或取下某控制回路、合閘回路、電壓互感器回路的熔斷器。(4)投入或停用某些繼電保護(hù)和自動(dòng)裝置及改變其整定值。(5)改變變壓器或消弧線圈的分接頭。4.倒閘操作的基本原則(1)在拉、合閘時(shí),必須用斷路器接通或斷開回路的負(fù)荷電流及短路電流。天津進(jìn)口低壓熔斷器

低壓熔斷器產(chǎn)品展示
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