此時(shí)二極管VD1對(duì)級(jí)錄音放大器輸出的信號(hào)也沒有分流作用。3）當(dāng)電路中的錄音信號(hào)比較大時(shí)，直流控制電壓Ui較大，使二極管VD1導(dǎo)通，錄音信號(hào)愈大，直流控制電壓Ui愈大，VD1導(dǎo)通程度愈深，VD1的內(nèi)阻愈小。4）VD1導(dǎo)通后，VD1的內(nèi)阻下降，級(jí)錄音放大器輸出的錄音信號(hào)中的一部分通過電容C1和導(dǎo)通的二極管VD1被分流到地端，VD1導(dǎo)通愈深，它的內(nèi)阻愈小，對(duì)級(jí)錄音放大器輸出信號(hào)的對(duì)地分流量愈大，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)電平控制。5）二極管VD1的導(dǎo)通程度受直流控制電壓Ui控制，而直流控制電壓Ui隨著電路中錄音信號(hào)大小的變化而變化，所以二極管VD1的內(nèi)阻變化實(shí)際上受錄音信號(hào)大小控制。4．故障檢測方法和電路故障分析對(duì)于這一電路中的二極管故障檢測好的方法是進(jìn)行代替檢查，因?yàn)槎O管如果性能不好也會(huì)影響到電路的控制效果。當(dāng)二極管VD1開路時(shí)，不存在控制作用，這時(shí)大信號(hào)錄音時(shí)會(huì)出現(xiàn)聲音一會(huì)兒大一會(huì)兒小的起伏狀失真，在錄音信號(hào)很小時(shí)錄音能夠正常。當(dāng)二極管VD1擊穿時(shí)，也不存在控制作用，這時(shí)錄音聲音很小，因?yàn)殇浺粜盘?hào)被擊穿的二極管VD1分流到地了。二極管限幅電路及故障處理二極管基本的工作狀態(tài)是導(dǎo)通和截止兩種，利用這一特性可以構(gòu)成限幅電路。二極管模塊分為：快恢復(fù)二極管模塊，肖特基二極管模塊，整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。山西二極管模塊供應(yīng)

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件[1]。它具有單向?qū)щ娦阅?，即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通。當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時(shí)，二極管截止。因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開[2]。二極管是早誕生的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用非常廣。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接，構(gòu)成不同功能的電路，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)交流電整流、對(duì)調(diào)制信號(hào)檢波、限幅和鉗位以及對(duì)電源電壓的穩(wěn)壓等多種功能[3]。無論是在常見的收音機(jī)電路還是在其他的家用電器產(chǎn)品或工業(yè)控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡[3]。中文名二極管外文名Diode特性單向?qū)щ娦詰?yīng)用家用電器、工業(yè)控制電路等類別半導(dǎo)體器件組成材料硅、硒、鍺等目錄1結(jié)構(gòu)組成2工作原理?PN結(jié)形成原理?PN結(jié)單向?qū)щ娦?主要分類?點(diǎn)接觸型二極管?面接觸型二極管?平面型二極管?穩(wěn)壓管?光電二極管?發(fā)光二極管4特性參數(shù)?伏安特性?正向特性?反向特性?擊穿特性?反向電流?動(dòng)態(tài)電阻?電壓溫度系數(shù)?高工作頻率?大整流電流?高反向工作電壓5檢測方法?小功率晶體二極管?雙向觸發(fā)二極管?瞬態(tài)電壓抑制二極管?高頻變阻二極管?變?nèi)荻O管?單色。湖北優(yōu)勢(shì)二極管模塊價(jià)格優(yōu)惠在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止?fàn)顟B(tài)，如同一只斷開的開關(guān)。

能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流，一般用在電視機(jī)電路中，常用的阻尼二極管有2CN1、2CN2、BSBS44等。7.顯示用于VCD、DVD、計(jì)算器等顯示器上。8.穩(wěn)壓這種管子是利用二極管的反向擊穿特性制成的，在電路中其兩端的電壓保持基本不變，起到穩(wěn)定電壓的作用。常用的穩(wěn)壓管有2CW55、2CW56等。[1]9.觸發(fā)觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對(duì)稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅；在電路中作過壓保護(hù)等用途。[1]二極管原理類型編輯二極管種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu)，又可分為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。點(diǎn)接觸型二極管是用一根很細(xì)的金屬絲壓在光潔的半導(dǎo)體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地?zé)Y(jié)在一起，形成一個(gè)“PN結(jié)”。由于是點(diǎn)接觸，只允許通過較小的電流（不超過幾十毫安），適用于高頻小電流電路，如收音機(jī)的檢波等。面接觸型二極管的“PN結(jié)”面積較大，允許通過較大的電流。

即信號(hào)幅度沒有大到讓限幅電路動(dòng)作的程度，這時(shí)限幅電路不工作。2）信號(hào)幅度比較大時(shí)的電路工作狀態(tài)，即信號(hào)幅度大到讓限幅度電路動(dòng)作的程度，這時(shí)限幅電路工作，將信號(hào)幅度進(jìn)行限制。用畫出信號(hào)波形的方法分析電路工作原理有時(shí)相當(dāng)管用，用于分析限幅電路尤其有效，如圖9-45所示是電路中集成電路A1的①腳上信號(hào)波形示意圖。圖9-45集成電路A1的①腳上信號(hào)波形示意圖圖中，U1是集成電路A1的①腳輸出信號(hào)中的直流電壓，①腳輸出信號(hào)中的交流電壓是“騎”在這一直流電壓上的。U2是限幅電壓值。結(jié)合上述信號(hào)波形來分析這個(gè)二極管限幅電路，當(dāng)集成電路A1的①腳輸出信號(hào)中的交流電壓比較小時(shí)，交流信號(hào)的正半周加上直流輸出電壓U1也沒有達(dá)到VD1、VD2和VD3導(dǎo)通的程度，所以各二極管全部截止，對(duì)①腳輸出的交流信號(hào)沒有影響，交流信號(hào)通過R1加到VT1中。假設(shè)集成電路A1的①腳輸出的交流信號(hào)其正半周幅度在某期間很大，見圖8-12中的信號(hào)波形，由于此時(shí)交流信號(hào)的正半周幅度加上直流電壓已超過二極管VD1、VD2和VD3正向?qū)ǖ碾妷褐?，如果每只二極管的導(dǎo)通電壓是，那么3只二極管的導(dǎo)通電壓是。由于3只二極管導(dǎo)通后的管壓降基本不變，即集成電路A1的①腳大為。點(diǎn)接觸型二極管不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，適宜在高頻檢波電路和開關(guān)電路中使用。

外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。[5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導(dǎo)體因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子。當(dāng)制成大面積的光電二極管時(shí)，可當(dāng)作一種能源而稱為光電池。湖北優(yōu)勢(shì)二極管模塊價(jià)格優(yōu)惠

P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。山西二極管模塊供應(yīng)

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價(jià)電子。山西二極管模塊供應(yīng)