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企業(yè)商機(jī)
晶閘管模塊基本參數(shù)
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晶閘管模塊企業(yè)商機(jī)

否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時(shí),熱量來不及散發(fā),使得結(jié)溫迅速升高,終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的,例如,變流裝置本身晶閘管損壞,觸發(fā)電路發(fā)生故障,控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,以及交流電源電壓過高、過低或缺相,負(fù)載過載或短路,相鄰設(shè)備故障影響等。常用的晶閘管過電流保護(hù)方法是快速熔斷器。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢,吹它尚未被燒毀晶閘管保險(xiǎn)絲之前;不能用于保護(hù)晶閘管。埋銀保險(xiǎn)石英砂內(nèi)快速熔斷器,熔斷時(shí)間很短,它可以用來保護(hù)晶閘管。業(yè)績快速熔斷器主要有以下特征。晶閘管的代換晶閘管損壞后,若無同型號(hào)的晶閘管更換,可以通過選用中國與其工作性能設(shè)計(jì)參數(shù)相近的其他產(chǎn)品型號(hào)晶閘管來代換。在應(yīng)用電路的設(shè)計(jì)中,通常有很大的余量。更換晶閘管時(shí),只需注意其額定峰值電壓(重復(fù)峰值電壓)、額定電流(通態(tài)均勻電流)、柵極觸發(fā)電壓和柵極觸發(fā)電流,特別是這兩個(gè)指示器的額定峰值電壓和額定電流。代換晶閘管工作應(yīng)與設(shè)備損壞或者晶閘管的開關(guān)發(fā)展速度…致。例如:在脈沖控制電路、高速逆變電路中使用的高速晶閘管進(jìn)行損壞后,只能我們選用同類型的快速改變晶閘管,而不能用一個(gè)普通晶閘管來代換。晶閘管為半控型電力電子器件。北京優(yōu)勢晶閘管模塊咨詢報(bào)價(jià)

晶閘管模塊

Ia與Il成正比,即當(dāng)光電二極管的光電流增大時(shí),光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大,同時(shí)Il的增大,使BGl、BG2的電流放大系數(shù)a1、a2也增大。當(dāng)al與a2之和接近l時(shí),光控晶閘管的Ia達(dá)到**大,即完全導(dǎo)通。能使光控晶閘管導(dǎo)通的**小光照度,稱其為導(dǎo)通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣,一經(jīng)觸發(fā),即成通導(dǎo)狀態(tài)。只要有足夠強(qiáng)度的光源照射一下管子的受光窗口,它就立即成為通導(dǎo)狀態(tài),而后即使撤離光源也能維持導(dǎo)通,除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相,才能關(guān)閉。3.光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導(dǎo)通,因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導(dǎo)通。這樣光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制,在目前的條件下,不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的。光控晶閘管除了觸發(fā)信號(hào)不同以外,其它特性基本與普通晶閘管是相同的,因此在使用時(shí)可按照普通晶閘管選擇,只要注意它是光控這個(gè)特點(diǎn)就行了。光控晶閘管對光源的波長有一定的要求,即有選擇性。波長在——,都是光控晶閘管較為理想的光源。使用注意事項(xiàng)/晶閘管編輯選用可控硅的額定電壓時(shí),應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量。1、選用可控硅的額定電流時(shí)。福建哪里有晶閘管模塊大概價(jià)格多少晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié),可以把它中間的NP分成兩部分。

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1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下,可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí),可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號(hào)上的額定電壓。由于瞬時(shí)過電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞,因而在選用的時(shí)候,額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為安全系數(shù)。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下,晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期內(nèi))的平均值,稱為額定通態(tài)平均電流IT,簡稱額定電流。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下,維持元件繼續(xù)導(dǎo)通的**小電流稱為維持電流IH。一般為幾十毫安~一百多毫安,其數(shù)值與元件的溫度成反比,在120攝氏度時(shí)維持電流約為25攝氏度時(shí)的一半。當(dāng)晶閘管的正向電流小于這個(gè)電流時(shí),晶閘管將自動(dòng)關(guān)斷。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類型:晶閘管有多種類型,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。

晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi),如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG,vs仍不能接通。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí),當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí),晶閘管才接通?,F(xiàn)在,繪制其波形(圖4(c)和(d)),可以看到只有當(dāng)觸發(fā)脈沖UG到達(dá)時(shí),負(fù)載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當(dāng)UG到達(dá)較早時(shí),晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較早;UG到達(dá)較晚時(shí),晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較晚。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達(dá)時(shí)間,可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術(shù)中,交流電的半周常被設(shè)定為180度,稱為電角。因此,在U2的每一個(gè)正半周期中,從零值到觸發(fā)脈沖到達(dá)時(shí)刻的電角稱為控制角α,每個(gè)正半周期中晶閘管導(dǎo)電的電角稱為導(dǎo)通角θ。顯然,α和θ都用來表示晶閘管在正向電壓半周內(nèi)的通斷范圍。通過改變控制角度0或?qū)ń莟heta,可通過改變負(fù)載上的脈沖直流電壓的平均ul來實(shí)現(xiàn)可控整流器。逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間幾微秒,工作頻率達(dá)幾十千赫,優(yōu)于快速晶閘管(FSCR)。

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或電流)的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開始導(dǎo)通,它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài),而此時(shí)門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關(guān)斷,像一個(gè)二極管一樣導(dǎo)通,直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時(shí),它才會(huì)截止。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)后,允許門極在某個(gè)可控的時(shí)刻將晶閘管再次觸發(fā)導(dǎo)通。晶閘管可用兩個(gè)不同極性(P-N-P和N-P-N)晶體管來模擬,如圖G1所示。當(dāng)晶閘管的柵極懸空時(shí),BG1和BG2都處于截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)電路基本上沒有電流流過負(fù)載電阻RL,當(dāng)柵極輸入一個(gè)正脈沖電壓時(shí)BG2道通,使BG1的基極電位下降,BG1因此開始道通,BG1的道通使得BG2的基極電位進(jìn)一步升高,BG1的基極電位進(jìn)一步下降,經(jīng)過這一個(gè)正反饋過程使BG1和BG2進(jìn)入飽和道通狀態(tài)。電路很快從截止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入道通狀態(tài),這時(shí)柵極就算沒有觸發(fā)脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態(tài)不變。如果此時(shí)在陽極和陰極加上反向電壓,由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態(tài)所以電路很快截止,另外如果加大負(fù)載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少,當(dāng)減少到某一個(gè)值時(shí)由于電路的正反饋?zhàn)饔?,電路將很快從道通狀態(tài)翻轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài),我們稱這個(gè)電流為維持電流。晶閘管的主要參數(shù)有反向最大電壓,是指門極開路時(shí),允許加在陽極、陰極之間的比較大反向電壓。福建哪里有晶閘管模塊大概價(jià)格多少

構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管。北京優(yōu)勢晶閘管模塊咨詢報(bào)價(jià)

有三個(gè)不同電極、陽極A、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,以小電流控制大電流,并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生,而且動(dòng)作快、壽命長、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影??煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的,符號(hào)也不同。單向可控硅有三個(gè)PN結(jié),由外層的P極和N極引出兩個(gè)電極,分別稱為陽極和陰極,由中間的P極引出一個(gè)控制極。雙向可控硅有其獨(dú)特的特點(diǎn):當(dāng)陽極接合,陽極接合或柵極的正向電壓,但沒有施加電壓時(shí),它不導(dǎo)通,并且同時(shí)連接到陽極和柵極的正向電壓反向電壓時(shí),它將被關(guān)上。一旦開啟,控制電壓有它的作用失去了控制,無論控制電壓極性怎么沒有了,不管控制電壓,將保持在接通狀態(tài)。關(guān)斷,只有在陽極電壓減小到一個(gè)臨界值,或反之亦然。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1、t2、g順序從左到右排列(電極引腳向下,面向側(cè)面有字符)。當(dāng)施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí),其傳導(dǎo)電流的大小可以改變。與單向可控硅的區(qū)別是,雙向可控硅G極上觸發(fā)一個(gè)脈沖的極性可以改變時(shí),其導(dǎo)通方向就隨著不同極性的變化而改變,從而能夠進(jìn)行控制提供交流電系統(tǒng)負(fù)載。北京優(yōu)勢晶閘管模塊咨詢報(bào)價(jià)

晶閘管模塊產(chǎn)品展示
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