絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(Metallicoxidesemiconductorfieldeffecttransistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等高頻自關(guān)斷器件應(yīng)用的日益***,驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就顯得尤為重要。本文介紹了一種以CONCEPT公司的IGD515EI驅(qū)動(dòng)器為主要器件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路,適用于大功率、高耐壓IGBT模塊串、并聯(lián)電路的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)。通過(guò)光纖傳輸驅(qū)動(dòng)及狀態(tài)識(shí)別信號(hào),進(jìn)行高壓隔離傳輸,具有良好的抗電磁干擾性能和高于15A的驅(qū)動(dòng)電流。因此,該電路適用于高壓大功率場(chǎng)合。在隔離的高電位端,IGD515EI內(nèi)部的DC-DC電源模塊只需一路驅(qū)動(dòng)電源就能夠產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)所需的±15V電源。器件內(nèi)還包括功率管的過(guò)流和短路保護(hù)電路,以及信號(hào)反饋檢測(cè)功能。該電路是一種性能優(yōu)異、成熟的驅(qū)動(dòng)電路。2IGD515EI在剛管調(diào)制器中的應(yīng)用雷達(dá)發(fā)射機(jī)常用的調(diào)制器一般有三種類(lèi)型:軟性開(kāi)關(guān)調(diào)制器、剛性開(kāi)關(guān)調(diào)制器和浮動(dòng)板調(diào)制器。浮動(dòng)板調(diào)制器一般用于控制極調(diào)制的微波電子管,而對(duì)于陰調(diào)的微波管則只能采用軟性開(kāi)關(guān)調(diào)制器和剛性開(kāi)關(guān)調(diào)制器。由于軟性開(kāi)關(guān)調(diào)制器不易實(shí)現(xiàn)脈寬變化,故在陰調(diào)微波管發(fā)射機(jī)的脈寬要求變化時(shí)。 焊接g極時(shí)，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵合適。當(dāng)手工焊接時(shí)，溫度260±5℃.時(shí)間（10±1）秒。遼寧常規(guī)IGBT模塊生產(chǎn)廠(chǎng)家

    使用晶閘管模塊的的八大常識(shí)來(lái)源：日期：2019年06月12日點(diǎn)擊數(shù)：載入中...晶閘管模塊是使用范圍非常廣，在使用的過(guò)程中需要注意很多細(xì)節(jié)，還有一些使用常識(shí)，下面正高電氣來(lái)介紹下使用晶閘管模塊的八大常識(shí)。1、模塊在手動(dòng)控制時(shí)，對(duì)所用電位器有何要求？電位器的功率大于，阻值范圍—100K。2、模塊電流選型原則是什么？當(dāng)模塊導(dǎo)通角大于100度時(shí)，可以按如下原則選取電流：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)或：模塊標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的3倍。3、模塊正常工作的條件一個(gè)+12V直流穩(wěn)壓電源（模塊內(nèi)部的工作電源）；一個(gè)0~10V控制信號(hào)（0~5V、0~10mA、4~20mA均可，用于對(duì)輸出電壓進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào)）。供電電源和負(fù)載（供電電源一般為電網(wǎng)或供電變壓器，接模塊輸入端子；負(fù)載為負(fù)載，接模塊輸出端子）4、+l2V穩(wěn)壓電源要求輸出電壓：+12V±，紋波電壓小于50mv；輸出電流：>；5、模塊是一個(gè)開(kāi)環(huán)控制系統(tǒng)還是閉環(huán)控制系統(tǒng)晶閘管智能模塊是開(kāi)環(huán)系統(tǒng)；穩(wěn)流、穩(wěn)壓模塊是閉環(huán)系統(tǒng)。6、開(kāi)環(huán)控制與閉環(huán)控制用途有何區(qū)別？開(kāi)環(huán)控制隨負(fù)載和電網(wǎng)的變化而變化?？刂菩盘?hào)與輸出電流、電壓不是線(xiàn)性關(guān)系。 常規(guī)IGBT模塊貨源充足主電路用螺絲擰緊，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式。

    這個(gè)話(huà)題的起因，是神八兄送了我?guī)讉€(gè)大電流IGBT模塊，有150A的，也有300A的，據(jù)說(shuō)功率分別可以做到10KW和20KW以上，也是擋不住的誘惑，決定來(lái)試一試。但首先必須做一塊能驅(qū)動(dòng)這些大家伙的驅(qū)動(dòng)電路板。經(jīng)和神八兄多次商量后，決定還是用EG8010芯片，理由是：這款SPWM芯片價(jià)格便宜，功能很多，性能比較好，特別穩(wěn)壓特性很好。但是，用8010來(lái)驅(qū)動(dòng)IGBT模塊，也有二個(gè)問(wèn)題需要解決：***個(gè)問(wèn)題：8010的**大死區(qū)時(shí)間只有，而這些大模塊，因?yàn)檩斎腚娙荼容^大，需要有比較大的死區(qū)時(shí)間，有時(shí)可能要放大到3US以上，才能安全工作。為了解決這個(gè)問(wèn)題，我把8010的輸出接法做了較大的改進(jìn)，先把8010輸出的4路用與門(mén)合并成2路，做成象張工的22851093這樣的時(shí)序，再把二路SPWM分成4路，用與非門(mén)做成硬件死區(qū)電路，這樣，死區(qū)時(shí)間就不受8010內(nèi)建死區(qū)的限止了，可以隨意做到幾US。這樣的接法，還有一個(gè)**的好處，就是H橋的4個(gè)管子功耗是平均的，不會(huì)出現(xiàn)半橋熱半橋冷的現(xiàn)象。第二個(gè)問(wèn)題：因?yàn)镮GBT模塊的工作頻率都比較低，一般要求在20K以下，但8010的載波頻率比較高，神八兄經(jīng)過(guò)實(shí)險(xiǎn)和計(jì)算，決定用下面方式來(lái)解決，把原先8010用的12M晶振，改為10M晶振，這樣，載頻就降到。

    晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)，又可稱(chēng)做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上***晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制、被***應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。中文名晶閘管外文名Thyristo目錄1種類(lèi)2工作原理3工作條件4工作過(guò)程5注意事項(xiàng)6如何保護(hù)晶閘管晶體閘流管種類(lèi)編輯（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。。 GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大。

    智能功率模塊內(nèi)部功能機(jī)制編輯IPM內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路使系統(tǒng)硬件電路簡(jiǎn)單、可靠，縮短了系統(tǒng)開(kāi)發(fā)時(shí)間，也提高了故障下的自保護(hù)能力。與普通的IGBT模塊相比，IPM在系統(tǒng)性能及可靠性方面都有進(jìn)一步的提高。保護(hù)電路可以實(shí)現(xiàn)控制電壓欠壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)。如果IPM模塊中有一種保護(hù)電路動(dòng)作，IGBT柵極驅(qū)動(dòng)單元就會(huì)關(guān)斷門(mén)極電流并輸出一個(gè)故障信號(hào)(FO)。各種保護(hù)功能具體如下:(1)控制電壓欠壓保護(hù)(UV):IPM使用單一的+15V供電，若供電電壓低于12．5V，且時(shí)間超過(guò)toff=10ms，發(fā)生欠壓保護(hù)，***門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。(2)過(guò)溫保護(hù)(OT):在靠近IGBT芯片的絕緣基板上安裝了一個(gè)溫度傳感器，當(dāng)IPM溫度傳感器測(cè)出其基板的溫度超過(guò)溫度值時(shí)，發(fā)生過(guò)溫保護(hù)，***門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。(3)過(guò)流保護(hù)(OC):若流過(guò)IGBT的電流值超過(guò)過(guò)流動(dòng)作電流，且時(shí)間超過(guò)toff，則發(fā)生過(guò)流保護(hù)，***門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。為避免發(fā)生過(guò)大的di/dt，大多數(shù)IPM采用兩級(jí)關(guān)斷模式。其中，VG為內(nèi)部門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓，ISC為短路電流值，IOC為過(guò)流電流值，IC為集電極電流，IFO為故障輸出電流。(4)短路保護(hù)(SC):若負(fù)載發(fā)生短路或控制系統(tǒng)故障導(dǎo)致短路。 其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。浙江哪里有IGBT模塊批發(fā)廠(chǎng)家

功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個(gè)模塊。遼寧常規(guī)IGBT模塊生產(chǎn)廠(chǎng)家

    所述第三接頭6包括：第三螺栓和第三螺母，所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。此外，所述***晶閘管單元中，所述***壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類(lèi)似地，所述第二晶閘管單元中，所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實(shí)現(xiàn)門(mén)極銅排的安裝，所述外殼1上還設(shè)置有門(mén)極銅排安裝座。綜上所述，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過(guò)設(shè)置***接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書(shū)按照實(shí)施方式加以描述。 遼寧常規(guī)IGBT模塊生產(chǎn)廠(chǎng)家