其中有一條就是溫度高低變化時(shí)三極管的靜態(tài)電流不能改變，即VT1基極電流不能隨溫度變化而改變，否則就是工作穩(wěn)定性不好。了解放大器的這一溫度特性，對(duì)理解VD1構(gòu)成的溫度補(bǔ)償電路工作原理非常重要。2）三極管VT1有一個(gè)與溫度相關(guān)的不良特性，即溫度升高時(shí)，三極管VT1基極電流會(huì)增大，溫度愈高基極電流愈大，反之則小，顯然三極管VT1的溫度穩(wěn)定性能不好。由此可知，放大器的溫度穩(wěn)定性能不良是由于三極管溫度特性造成的。2．三極管偏置電路分析電路中，三極管VT1工作在放大狀態(tài)時(shí)要給它一定的直流偏置電壓，這由偏置電路來完成。電路中的R1、VD1和R2構(gòu)成分壓式偏置電路，為三極管VT1基極提供直流工作電壓，基極電壓的大小決定了VT1基極電流的大小。如果不考慮溫度的影響，而且直流工作電壓+V的大小不變，那么VT1基極直流電壓是穩(wěn)定的，則三極管VT1的基極直流電流是不變的，三極管可以穩(wěn)定工作。在分析二極管VD1工作原理時(shí)還要搞清楚一點(diǎn)：VT1是NPN型三極管，其基極直流電壓高，則基極電流大；反之則小。3．二極管VD1溫度補(bǔ)償電路分析根據(jù)二極管VD1在電路中的位置，對(duì)它的工作原理分析思路主要說明下列幾點(diǎn)：1）VD1的正極通過R1與直流工作電壓+V相連?？刂齐娐酚梢黄蚨嗥雽?dǎo)體芯片組成。云南國(guó)產(chǎn)二極管模塊生產(chǎn)廠家

ALC電路在錄音機(jī)、卡座的錄音卡中，錄音時(shí)要對(duì)錄音信號(hào)的大小幅度進(jìn)行控制，了解下列幾點(diǎn)具體的控制要求有助于分析二極管VD1自動(dòng)控制電路。1）在錄音信號(hào)幅度較小時(shí)，不控制錄音信號(hào)的幅度。2）當(dāng)錄音信號(hào)的幅度大到一定程度后，開始對(duì)錄音信號(hào)幅度進(jìn)行控制，即對(duì)信號(hào)幅度進(jìn)行衰減，對(duì)錄音信號(hào)幅度控制的電路就是ALC電路。3）ALC電路進(jìn)入控制狀態(tài)后，要求錄音信號(hào)愈大，對(duì)信號(hào)的衰減量愈大。通過上述說明可知，電路分析中要求自己有比較全的知識(shí)面，這需要在不斷的學(xué)習(xí)中日積月累。2．電路工作原理分析思路說明關(guān)于這一電路工作原理的分析思路主要說明下列幾點(diǎn)：1）如果沒有VD1這一支路，從級(jí)錄音放大器輸出的錄音信號(hào)全部加到第二級(jí)錄音放大器中。但是，有了VD1這一支路之后，從級(jí)錄音放大器輸出的錄音信號(hào)有可能會(huì)經(jīng)過C1和導(dǎo)通的VD1流到地端，形成對(duì)錄音信號(hào)的分流衰減。2）電路分析的第二個(gè)關(guān)鍵是VD1這一支路對(duì)級(jí)錄音放大器輸出信號(hào)的對(duì)地分流衰減的具體情況。顯然，支路中的電容C1是一只容量較大的電容（C1電路符號(hào)中標(biāo)出極性，說明C1是電解電容，而電解電容的容量較大），所以C1對(duì)錄音信號(hào)呈通路，說明這一支路中VD1是對(duì)錄音信號(hào)進(jìn)行分流衰減的關(guān)鍵元器件。云南國(guó)產(chǎn)二極管模塊生產(chǎn)廠家阻尼二極管多用在高頻電壓電路中，能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流。

由于LC并聯(lián)諧振電路中的電容不同，一種情況只有C1，另一種情況是C1與C2并聯(lián)，在電容量不同的情況下LC并聯(lián)諧振電路的諧振頻率不同。所以，VD1在電路中的真正作用是控制LC并聯(lián)諧振電路的諧振頻率。關(guān)于二極管電子開關(guān)電路分析細(xì)節(jié)說明下列二點(diǎn)：1）當(dāng)電路中有開關(guān)件時(shí)，電路的分析就以該開關(guān)接通和斷開兩種情況為例，分別進(jìn)行電路工作狀態(tài)的分析。所以，電路中出現(xiàn)開關(guān)件時(shí)能為電路分析提供思路。2）LC并聯(lián)諧振電路中的信號(hào)通過C2加到VD1正極上，但是由于諧振電路中的信號(hào)幅度比較小，所以加到VD1正極上的正半周信號(hào)幅度很小，不會(huì)使VD1導(dǎo)通。3．故障檢測(cè)方法和電路故障分析如圖9-47所示是檢測(cè)電路中開關(guān)二極管時(shí)接線示意圖，在開關(guān)接通時(shí)測(cè)量二極管VD1兩端直流電壓降，應(yīng)該為，如果遠(yuǎn)小于這個(gè)電壓值說明VD1短路，如果遠(yuǎn)大小于這個(gè)電壓值說明VD1開路。另外，如果沒有明顯發(fā)現(xiàn)VD1出現(xiàn)短路或開路故障時(shí)，可以用萬用表歐姆檔測(cè)量它的正向電阻，要很小，否則正向電阻大也不好。圖9-47檢測(cè)電路中開關(guān)二極管時(shí)接線示意圖如果這一電路中開關(guān)二極管開路或短路，都不能進(jìn)行振蕩頻率的調(diào)整。開關(guān)二極管開路時(shí)，電容C2不能接入電路，此時(shí)振蕩頻率升高；開關(guān)二極管短路時(shí)。

晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。中文名二級(jí)管外文名diode目錄1二極管簡(jiǎn)介2二極管特性3二極管的原理4反向擊穿5應(yīng)用6類型7發(fā)光二極管二極管原理二極管簡(jiǎn)介編輯二極管內(nèi)部構(gòu)造二極管的英文是diode。二極管的正.負(fù)二個(gè)端子,(如圖)一端稱為陽極,一端稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動(dòng)。二極管是由半導(dǎo)體組成的器件。半導(dǎo)體無論哪個(gè)方向都能流動(dòng)電流。二極管原理二極管特性編輯二極管（英語：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（VaricapDiode）則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性，通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動(dòng)的直流電。

外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。[5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導(dǎo)體因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子。因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開。云南國(guó)產(chǎn)二極管模塊生產(chǎn)廠家

三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號(hào)用VD表示。云南國(guó)產(chǎn)二極管模塊生產(chǎn)廠家

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長(zhǎng)久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子。云南國(guó)產(chǎn)二極管模塊生產(chǎn)廠家