請參閱圖1～圖7。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示以示意方式說明本實用新型的基本構想，遂圖式中顯示與本實用新型中有關的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復雜。實施例一如圖1所示，本實施例提供一種合封整流橋的封裝結構1，所述合封整流橋的封裝結構1包括：塑封體11，設置于所述塑封體11邊緣的多個管腳，以及設置于所述塑封體11內(nèi)的整流橋、功率開關管、邏輯電路、高壓供電基島13及信號地基島14。如圖1所示，所述塑封體11呈長方形，用于將引線框架及器件整合在一起，并保護內(nèi)部器件。在本實施例中，所述塑封體11采用sop8的外型尺寸，以此可與現(xiàn)有塑封體共用，進而減小成本。在實際使用中，可根據(jù)需要采用其他外型尺寸，不以本實施例為限。如圖1所示，各管腳設置于所述塑封體11的邊緣。具體地，在本實施例中，所述合封整流橋的封裝結構1包括火線管腳l、零線管腳n、高壓供電管腳hv、信號地管腳gnd、漏極管腳drain及采樣管腳cs。作為本實施例的一種實現(xiàn)方式。一般整流橋應用時,常在其負載端接有平波電抗器,故可將其負載視為恒流源。寧夏國產(chǎn)整流橋模塊推薦貨源

所述第二插片為兩個。推薦的，所述線圈架上設有供所述第二插接片插入的插接槽；通過設置插接槽便于對第二插片進行安裝，第二插片插入到插接槽當中，插接槽的內(nèi)壁對第二插片進行限位。推薦的，所述第二插片側(cè)壁上設有電連凸部，所述整流橋堆一側(cè)設有與所述電連凸部相連的凸出部。推薦的，所述整流橋堆另一側(cè)設有與所述一插片相連的凸部。推薦的，所述線圈架上設有凹陷部，所述一插片設于所述凹陷部內(nèi)；通過設置凹陷部可便于在安裝一插片的時候，一插片直接嵌入到凹陷部當中，其安裝速度快，裝配穩(wěn)定。推薦的，所述線圈架上部設有一限位凸部，下部設有第二限位凸部；所述一插片和第二插片均設于所述一限位凸部上；通過設置一限位凸部和第二限位凸部，其可便于繞設線圈。推薦的，所述一限位凸部上設有凹槽部，所述整流橋堆設于所述凹槽部內(nèi)；通過設置凹槽部可便于對整流橋堆準確的進行安裝，其具有定位效果。推薦的，所述電連凸部與所述凸出部焊錫或電阻焊連接；通過將電連凸部和凸出部之間進行電連，其兩者連接牢固，電能傳輸穩(wěn)定。綜上所述，本實用新型的優(yōu)點在于將整流橋堆內(nèi)嵌到電磁閥中，實現(xiàn)了電磁閥自身的全波整流功能，從而降低了制造成本。天津整流橋模塊供應整流橋一般帶有足夠大的電感性負載，因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。

本實用新型涉及半導體器件領域，特別是涉及一種合封整流橋的封裝結構及電源模組。背景技術：目前照明領域led驅(qū)動照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應用，由于用量十分巨大，對于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低，主流的拓撲架構基本已經(jīng)定型，很難再從外圈節(jié)省某個元器件，同時芯片工藝的提升對于高壓模擬電路來說成本節(jié)省有限，基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅(qū)動電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成，系統(tǒng)中至少有三個不同封裝的芯片，導致芯片的封裝成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何節(jié)省封裝成本，已成為本領域技術人員亟待解決的問題之一。技術實現(xiàn)要素：鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種合封整流橋的封裝結構及電源模組，用于解決現(xiàn)有技術中芯片封裝成本高的問題。為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種合封整流橋的封裝結構，所述合封整流橋的封裝結構至少包括：塑封體，設置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號地管腳、漏極管腳、采樣管腳。

所述火線管腳l、所述零線管腳n、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain與臨近管腳之間的間距一般設置為大于2mm，不能低于，包括但不限于～2mm，2mm～3mm，進而滿足高壓的安全間距要求。作為本實施例的一種實現(xiàn)方式，所述信號地管腳gnd的寬度大于，進一步設置為～1mm，以加強散熱，達到封裝熱阻的作用。在本實施例中，如圖1所示，所述火線管腳l、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain位于所述塑封體11的一側(cè)，所述零線管腳n、所述信號地管腳gnd及所述采樣管腳cs位于所述塑封體11的另一側(cè)。需要說明的是，各管腳的排布位置及間距可根據(jù)實際需要進行設定，不以本實施例為限。如圖1所示，所述整流橋的一交流輸入端通過基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過基島或引線連接所述零線管腳，一輸出端通過基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過基島或引線連接所述信號地管腳。具體地，作為本實用新型的一種實現(xiàn)方式，所述整流橋包括四個整流二極管，各整流二極管的正極和負極分別通過基島或引線連接至對應管腳。在本實施例中，所述整流橋采用兩個n型二極管及兩個p型二極管實現(xiàn)，其中，一整流二極管dz1及第二整流二極管dz2為n型二極管。四個引腳中，兩個直流輸出端標有＋或－，兩個交流輸入端有～標記。

大多數(shù)的整流全橋上均標注有“+”、“一”、“～”符號(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負極，兩個“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“～”極、“一”極與兩個“～”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測量方法相同)是否正常，即可判斷該全橋是否損壞。若測得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。高壓硅堆的檢測高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成，檢測時，可用萬用表的R×lok擋測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向均有一定電阻值，則說明該高壓硅堆已被擊穿損壞。肖特基二極管的檢測二端肖特基二極管可以用萬用表Rl擋測量。正常時，其正向電阻值(黑表筆接正極)為～，反向電阻值為無窮大。若測得正、反向電阻值均為無窮大或均接近O，則說明該二極管已開路或擊穿損壞。三端肖特基二極管應先測出其公共端，判別出是共陰對管，還是共陽對管，然后再分別測量兩個二極管的正、廈向電阻值。整流橋堆全橋的極性判別方法極性的判別1)外觀判別法。限制蓄電池電流倒轉(zhuǎn)回發(fā)動機，保護交流發(fā)動機不被燒壞。江蘇國產(chǎn)整流橋模塊價格優(yōu)惠

本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路，實現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化。寧夏國產(chǎn)整流橋模塊推薦貨源

金屬引線的一端設置在與管腳連接的導電部件上)，能實現(xiàn)電連接即可，不限于本實施例。需要說明的是，所述整流橋可基于不同類型的器件選擇不同的基島實現(xiàn)，不限于本實施例，任意可實現(xiàn)整流橋連接關系的設置方式均可，在此不一一贅述。如圖1所示，在本實施例中，所述功率開關管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內(nèi)。具體地，所述功率開關管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d，源極連接所述邏輯電路的采樣端口，柵極連接所述邏輯電路的控制信號輸出端(輸出邏輯控制信號)；所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口連接所述功率開關管的漏極，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd連接所述信號地管腳gnd，漏極端口d連接所述漏極管腳drain，采樣端口cs連接所述采樣管腳cs。在本實施例中，所述控制芯片12的底面為襯底，通過導電膠或錫膏粘接于所述信號地基島14上，所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原則，通過金屬引線連接所述信號地基島14，進而實現(xiàn)與所述信號地管腳gnd的連接；漏極端口d通過金屬引線連接所述漏極管腳drain；采樣端口cs通過金屬引線連接所述采樣管腳cs。寧夏國產(chǎn)整流橋模塊推薦貨源