場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名，場效應管[2]是常見的電子元件，屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。場效應晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應管），1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管，從而大部分代替了JFET，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠的意義。場效應管可用于開關電路，實現(xiàn)電路的通斷控制，如電子開關、繼電器驅(qū)動等?；葜輺艠O場效應管注意事項

這些電極的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連，根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時連在一起，因為有時源也連在電路中較高或較低的電壓上。當然有時一些電路中FET并沒有這樣的結(jié)構(gòu)，比如級聯(lián)傳輸電路和串疊式電路。珠海場效應管廠家供應使用場效應管時需注意靜電防護，防止損壞敏感的柵極。

場效應管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子器件。它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。場效應晶體管有時被稱為“單極性晶體管”，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管。由于半導體材料的限制，以及雙極性晶體管比場效應晶體管容易制造，場效應晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場效應晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。MOS管的寄生二極管，由于生產(chǎn)工藝，MOS 管會有寄生二極管，或稱體二極管。這是mos管與三極管較大的一個區(qū)別。

MOSFET的特性和作用：MOS管導作用，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導致源source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面，排名頭一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計算機主板、計算機類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了。第三的就屬網(wǎng)絡通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設備領域了，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了。場效應管的發(fā)展趨勢是向著高集成度、低功耗、高可靠性和多功能化方向發(fā)展。

耗盡型場效應管在功率放大器中的優(yōu)勢：功率放大器的使命是高效放大信號功率，耗盡型場效應管在這方面具備獨特的優(yōu)勢。在無線通信基站的功率放大器中，信號強度變化范圍大，需要放大器在大信號輸入時仍能保持線性放大，以避免信號失真。耗盡型場效應管能夠提供穩(wěn)定的偏置電流，確保放大器在不同信號強度下都能正常工作。相較于其他器件，它能有效減少信號失真，提高功率轉(zhuǎn)換效率，降低基站的能耗。同時，耗盡型場效應管良好的散熱性能保證了其在長時間大功率工作時的穩(wěn)定性。無論是偏遠山區(qū)的基站，還是城市密集區(qū)域的基站，都能保障覆蓋范圍內(nèi)通信質(zhì)量穩(wěn)定，為用戶提供流暢的通信服務，讓人們隨時隨地都能暢享清晰、穩(wěn)定的通話和高速的數(shù)據(jù)傳輸。場效應管是一種半導體器件，用于放大或開關電路中的信號。珠海場效應管廠家供應

場效應管可以用作放大器，可以放大輸入信號的幅度。惠州柵極場效應管注意事項

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管?；葜輺艠O場效應管注意事項