MOSFET應用案例解析：開關電源應用從定義上而言，這種應用需要MOSFET定期導通和關斷。同時，有數(shù)十種拓撲可用于開關電源，這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關功能(下圖)，這些開關交替在電感里存儲能量，然后把能量開釋給負載。目前，設計職員經常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率，由于頻率越高，磁性元件可以更小更輕。開關電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。JFET具有電路簡單、工作穩(wěn)定的特點，適合于低頻放大器設計。中山絕緣柵場效應管參數(shù)

C-MOS場效應管（增強型MOS場效應管），電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時，MOS場效應管既被關斷。不同場效應管其關斷電壓略有不同。也正因為如此，使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。深圳高穩(wěn)定場效應管制造場效應管也可以用作開關，可以控制電路的通斷。

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿，故有兩個方向“±”。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致，均為流過N型半導體與P型半導體襯底形成的PN結的較大電流。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關注脈沖寬度。

SOA失效（電流失效）再簡單說下第二點，SOA失效，SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發(fā)熱而導致的破壞模式?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式。關于SOA各個線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON。3：受限于器件較大的耗散功率。4：受限于較大單個脈沖電流。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)。我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導致的電源失效問題的產生。這個是一個非典型的SOA導致失效的一個解刨圖，由于去過鋁，可能看起來不那么直接，參考下。場效應管可構成恒流源，為負載提供穩(wěn)定的電流，應用于精密測量、激光器等領域。

SOA失效的預防措施：1：確保在較差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內。2：將OCP功能一定要做精確細致。在進行OCP點設計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據IC的保護電壓比如0.7V開始調試RSENSE電阻。有些有經驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內。但是此時有個更值得關注的參數(shù)，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什么影響呢，我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚，十分抱歉，建議雙擊放大觀看）。電流波形在快到電流尖峰時，有個下跌，這個下跌點后又有一段的上升時間，這段時間其本質就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關斷后，MOSFET本身也開始執(zhí)行關斷，但是由于器件本身的關斷延遲，因此電流會有個二次上升平臺，如果二次上升平臺過大，那么在變壓器余量設計不足時，就極有可能產生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效。場效應管在電子器件中的功率管理、信號放大等方面有重要作用。中山絕緣柵場效應管參數(shù)

場效應管的電阻特性取決于柵極電壓，可實現(xiàn)精確控制。中山絕緣柵場效應管參數(shù)

場效應管應用場景：電路主電源開關，完全切斷，低功耗省電。大功率負載供電開關，如：電機，太陽能電池充電\放電，電動車電池充電逆變器SPWM波升壓部分功率電路；功放，音響的功率線性放大電路；數(shù)字電路中用于電平信號轉換；開關電源中，高頻大功率狀態(tài)；用于LED燈的恒流驅動電路；汽車、電力、通信、工業(yè)控制、家用電器等。MOS管G、S、D區(qū)分以及電流流向。MOS管G、S、D表示什么？G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極。MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。中山絕緣柵場效應管參數(shù)