在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因為在P型半導(dǎo)體端為正電壓時，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運動，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時，這時在P型半導(dǎo)體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止。在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效應(yīng)管處與截止狀態(tài)（圖7a）。當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極上時，由于電場的作用，此時N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導(dǎo)體中，從而形成電流，使源極和漏極之間導(dǎo)通。可以想像為兩個N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大或開關(guān)電路中的信號?；葜菅趸飯鲂?yīng)管注意事項

MOS管三個極分別是什么及判定方法：mos管的三個極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導(dǎo)通。判斷柵極G，MOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強驅(qū)動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅(qū)動能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時間。將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實此腳為G極，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。南京柵極場效應(yīng)管市場價格MOSFET適用于各種電路中的信號放大，功率放大和開關(guān)控制等應(yīng)用。

下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導(dǎo)致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。

場效應(yīng)晶體管。當滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導(dǎo)通，這個時候體二極管是截止狀態(tài)。因為 MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NMOS增強型管：UG-US>0，且 |UG-US|>|UGSTH| ，UGSTH是開啟電壓；PMOS導(dǎo)通是在G和S之間加G負S正電壓。NMOS相反。MOS管工作狀態(tài)。MOSFET 不同于三極管，因為某些型號封裝內(nèi)有并聯(lián)二極管，所以其 D 和 S 極是不能反接的，且 N 管必須由 D 流向 S，P 管必須由 S 流向 D?？梢杂孟卤砼袛喙ぷ鳡顟B(tài)：場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，通過外部電場調(diào)節(jié)電導(dǎo)。

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。場效應(yīng)管可通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)輸出電流，具有較好的線性特性。南京柵極場效應(yīng)管市場價格

場效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓，可實現(xiàn)精確控制?；葜菅趸飯鲂?yīng)管注意事項

馬達控制應(yīng)用馬達控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應(yīng)用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個)，但這兩個MOSFET的關(guān)斷時間(死區(qū)時間)相等。對于這類應(yīng)用，反向恢復(fù)時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞組)時，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài)，此時橋式電路中的另一個開關(guān)經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導(dǎo)電流。于是，電流重新循環(huán)，繼續(xù)為馬達供電。當頭一個MOSFET再次導(dǎo)通時，另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除，通過頭一個MOSFET放電，而這是一種能量的損耗，故trr 越短，這種損耗越小?；葜菅趸飯鲂?yīng)管注意事項