場效應管應用場景：電路主電源開關(guān)，完全切斷，低功耗省電。大功率負載供電開關(guān)，如：電機，太陽能電池充電\放電，電動車電池充電逆變器SPWM波升壓部分功率電路；功放，音響的功率線性放大電路；數(shù)字電路中用于電平信號轉(zhuǎn)換；開關(guān)電源中，高頻大功率狀態(tài)；用于LED燈的恒流驅(qū)動電路；汽車、電力、通信、工業(yè)控制、家用電器等。MOS管G、S、D區(qū)分以及電流流向。MOS管G、S、D表示什么？G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極。MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。JFET在低頻放大和高阻抗放大中比較常用，其工作原理比較簡單。上海VMOS場效應管價格

馬達控制應用馬達控制應用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個)，但這兩個MOSFET的關(guān)斷時間(死區(qū)時間)相等。對于這類應用，反向恢復時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞組)時，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài)，此時橋式電路中的另一個開關(guān)經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導電流。于是，電流重新循環(huán)，繼續(xù)為馬達供電。當頭一個MOSFET再次導通時，另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除，通過頭一個MOSFET放電，而這是一種能量的損耗，故trr 越短，這種損耗越小。上海漏極場效應管廠家在安裝場效應管時，要確保其散熱良好，避免過熱導致性能下降或損壞。

判斷源極S、漏極D，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on），在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

場效應管與雙極性晶體管的比較：1.場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管。2.場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。3.場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。4.場效應管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。在設計電路時，合理選擇場效應管的型號和工作參數(shù)，以滿足電路要求。

場效應管主要參數(shù)：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù)，是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。3、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù)，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM。熟練掌握場效應管的使用方法和注意事項，對于電子工程師來說是提升電路設計能力和解決實際問題的重要技能。上海漏極場效應管廠家

場效應管在電子設備中扮演著關(guān)鍵角色。上海VMOS場效應管價格

溝道增強型MOSFET場效應管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏——源極間沒有導電溝道，所以這時漏極電流iD≈0。② vGS>0 的情況，若vGS＞0，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個電場。電場方向垂直于半導體表面的由柵極指向襯底的電場。這個電場能排斥空穴而吸引電子。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動的受主離子(負離子)，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子（少子）被吸引到襯底表面。上海VMOS場效應管價格