MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí)，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。場效應(yīng)管的靈敏度較高，可以實(shí)現(xiàn)精確的電流控制。深圳半導(dǎo)體場效應(yīng)管廠家直銷

組成，F(xiàn)ET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造，使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū)，或者溝道。大部分的不常見體材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機(jī)場效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體。有機(jī)場效應(yīng)晶體管基于有機(jī)半導(dǎo)體，常常用有機(jī)柵絕緣體和電極。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制型半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。南京場效應(yīng)管市價(jià)場效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源，為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流，應(yīng)用于精密測量、激光器等領(lǐng)域。

結(jié)型場管腳識(shí)別，場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對于有4個(gè)管腳的結(jié)型場效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。判定柵極，用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測出的阻值都很大，說明均是反向電阻，該管屬于N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）為了安全使用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。（2）各類型場效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。（3）MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)較好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。場效應(yīng)管的表示特性是輸入電阻高、輸入電容小、開關(guān)速度快和功耗低。

計(jì)算導(dǎo)通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對便攜 式設(shè)計(jì)來說，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業(yè)設(shè)計(jì)，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況，即較壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對較壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量，能 確保系統(tǒng)不會(huì)失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù)；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，以及較大的結(jié)溫。開關(guān)損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo)。從下圖可以看到，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大。一定程度上決定了器件的開關(guān)性能。不過，如果系統(tǒng)對開關(guān)性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。場效應(yīng)管有多種類型，如JFET、MOSFET等，滿足不同應(yīng)用需求。深圳半導(dǎo)體場效應(yīng)管廠家直銷

場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域具有重要作用，如變頻器、逆變器等，提高電能轉(zhuǎn)換效率。深圳半導(dǎo)體場效應(yīng)管廠家直銷

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。深圳半導(dǎo)體場效應(yīng)管廠家直銷