場效應管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當在柵極施加適當?shù)碾妷簳r，會在柵極下方的半導體中形成一個導電溝道，從而控制漏極和源極之間的電流流動。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應管開始導電的較小柵極電壓。閾值電壓是場效應管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓。當柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時，場效應管處于關(guān)閉狀態(tài)，通道不導電；當VGS超過Vth時，通道形成，電流開始流動。場效應管的制造工藝不斷改進，使得其性能更加穩(wěn)定，可靠性更高。無錫多晶硅金場效應管廠家直銷

MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導 通。導通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當?shù)臅r刻導通或關(guān)閉，導致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。徐州氧化物場效應管批發(fā)價格場效應管的發(fā)展趨勢是向著高集成度、低功耗、高可靠性和多功能化方向發(fā)展。

導電溝道的形成：當vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數(shù)值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區(qū)相連通，在漏——源極間形成N型導電溝道，其導電類型與P襯底相反，故又稱為反型層，如圖1(c)所示。vGS越大，作用于半導體表面的電場就越強，吸引到P襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。

場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三、場效應管可以用作可變電阻。四、場效應管可以方便地用作恒流源。五、場效應管可以用作電子開關(guān)。場效應管在電子應用中非常普遍，了解基礎知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了。場效應管是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。場效應管又是單極型晶體管，即導電過程中幾乎只有一種載流子運動，類似金屬導電。場效應管具有較長的使用壽命，可靠性高，降低了設備的維護成本。

效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時，其特性差異很大，β值將減小很多。2.場效應管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應管。3.場效應管和三極管均可組成各種放大電路和開關(guān)電路，但由于前者制造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩(wěn)定性好，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點，因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。4.三極管導通電阻大，場效應管導通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現(xiàn)用電器件上，一般都用場效應管做開關(guān)來用，他的效率是比較高的。場效應管的主要作用是在電路中放大或開關(guān)信號，用于控制電流或電壓。南京柵極場效應管廠商

場效應管在電路設計中常作為信號放大器使用，能夠有效地放大微弱信號。無錫多晶硅金場效應管廠家直銷

對比：場效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。2.場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。3.場效應管柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應管是由多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效應管。無錫多晶硅金場效應管廠家直銷