靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是開(kāi)啟電壓Vgs（th），只不過(guò)這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個(gè)Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動(dòng)態(tài)點(diǎn)特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ；Crss = Cgd；注②：MOS管開(kāi)啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量！注③：接通/斷開(kāi)延遲時(shí)間t d(on/off)、上升/下降時(shí)間tr / tf，各位工程時(shí)使用的時(shí)候請(qǐng)根據(jù)實(shí)際漏級(jí)電路ID，柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vg進(jìn)行判斷。JFET有三個(gè)電極：柵極、漏極和源極，工作原理類似MOSFET。佛山高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。作用：1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。中山P溝道場(chǎng)效應(yīng)管廠家精選場(chǎng)效應(yīng)管的使用方法需要注意輸入電壓和功率的限制，避免損壞器件。

MOS管的工作原理，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開(kāi)路漏極，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件。這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開(kāi)關(guān)使用的電路形式比較多了。NMOS管的開(kāi)路漏極電路，在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，然后把能量釋放給負(fù)載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗。

場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過(guò)改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來(lái)控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進(jìn)行導(dǎo)電，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道，分為N溝道JFET和P溝道JFET。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）：分為增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管，每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時(shí)，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導(dǎo)電溝道，即使沒(méi)有外加電壓，也會(huì)有漏極電流（ID）。這是因?yàn)樵谥圃爝^(guò)程中，通過(guò)摻雜在絕緣層中引入正離子，使得在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出負(fù)電荷，形成導(dǎo)電溝道。增強(qiáng)型MOS管：在VGS為零時(shí)是關(guān)閉狀態(tài)，不導(dǎo)電。只有當(dāng)施加適當(dāng)?shù)恼驏艠O電壓時(shí)，才會(huì)在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出足夠的多數(shù)載流子，形成導(dǎo)電溝道。場(chǎng)效應(yīng)管在新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、5G通信等新興領(lǐng)域具有巨大的創(chuàng)新應(yīng)用潛力。

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。2.場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。3.場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開(kāi)關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。4.場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活。在選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，要考慮其成本效益，根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的性價(jià)比產(chǎn)品。場(chǎng)效應(yīng)管加工

場(chǎng)效應(yīng)管的靈敏度較高，可以實(shí)現(xiàn)精確的電流控制。佛山高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通，在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道，其導(dǎo)電類型與P襯底相反，故又稱為反型層，如圖1(c)所示。vGS越大，作用于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)就越強(qiáng)，吸引到P襯底表面的電子就越多，導(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小。佛山高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格