場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。3、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許經(jīng)過(guò)的較大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。場(chǎng)效應(yīng)管的響應(yīng)速度快，可以實(shí)現(xiàn)高頻率的信號(hào)處理。珠海N溝道場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格

開(kāi)關(guān)時(shí)間：場(chǎng)效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時(shí)間。柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間有明顯影響，同時(shí)寄生電容的大小也會(huì)影響開(kāi)關(guān)時(shí)間，此外，器件的物理結(jié)構(gòu)，也會(huì)影響開(kāi)關(guān)速度。典型應(yīng)用電路：開(kāi)關(guān)電路：開(kāi)關(guān)電路是指用于控制場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)通和關(guān)斷的電路。放大電路：場(chǎng)效應(yīng)管因其高輸入阻抗和低噪聲特性，常用于音頻放大器、射頻放大器等模擬電路中。電源管理：在開(kāi)關(guān)電源中，場(chǎng)效應(yīng)管用于控制能量的存儲(chǔ)和釋放，實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換?；葜萋O場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法在選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，要考慮其成本效益，根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的性?xún)r(jià)比產(chǎn)品。

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。

對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話(huà)，相對(duì)延時(shí)太多，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開(kāi)關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以。對(duì)于1kVA左右開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的場(chǎng)合，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路。該電路具有以下特點(diǎn)：?jiǎn)坞娫垂ぷ?，控制信?hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場(chǎng)合。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，場(chǎng)效應(yīng)管性能不斷提升，有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開(kāi)啟電壓 UGSTH時(shí)，MOS 不導(dǎo)通?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小，I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區(qū)：UDS 變化，I_DID 變化很小。擊穿區(qū)：UDS 達(dá)到一定值時(shí)，MOS 被擊穿，I_DID 突然增大，如果沒(méi)有限流電阻，將被燒壞。過(guò)損耗區(qū)：功率較大，需要加強(qiáng)散熱，注意較大功率。場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)。場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開(kāi)啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。MOSFET在數(shù)字電路、功率放大器等領(lǐng)域普遍應(yīng)用。珠海N溝道場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格

在開(kāi)關(guān)電路中，場(chǎng)效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)操作，普遍應(yīng)用于數(shù)字電路和電源控制中。珠海N溝道場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格

MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路，MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱(chēng)電場(chǎng)）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱(chēng)之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。珠海N溝道場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格