導(dǎo)通時(shí)隔離變壓器上的電壓為（1-D）Ui、關(guān)斷時(shí)為DUi，若主功率管S可靠導(dǎo)通電壓為12V，而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/［（1-D）Ui］。為保證導(dǎo)通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點(diǎn)：①電路結(jié)構(gòu)簡單可靠，具有電氣隔離作用。當(dāng)脈寬變化時(shí)，驅(qū)動的關(guān)斷能力不會隨著變化。②該電路只需一個(gè)電源，即為單電源工作。隔直電容C的作用可以在關(guān)斷所驅(qū)動的管子時(shí)提供一個(gè)負(fù)壓，從而加速了功率管的關(guān)斷，且有較高的抗干擾能力。但該電路存在的一個(gè)較大缺點(diǎn)是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化。當(dāng)D較小時(shí)，負(fù)向電壓小，該電路的抗干擾性變差，且正向電壓較高，應(yīng)該注意使其幅值不超過MOSFET柵極的允許電壓。當(dāng)D大于0.5時(shí)驅(qū)動電壓正向電壓小于其負(fù)向電壓，此時(shí)應(yīng)該注意使其負(fù)電壓值不超過MOAFET柵極允許電壓。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合。JFET具有電路簡單、工作穩(wěn)定的特點(diǎn)，適合于低頻放大器設(shè)計(jì)。蕪湖強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時(shí)的壓降和功耗，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電流，超過這個(gè)電流值可能會導(dǎo)致器件過熱、性能退化甚至長久損壞。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電壓。超過這個(gè)電壓值可能會導(dǎo)致場效應(yīng)管的擊穿、熱損傷或其他形式的損壞。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容。它影響了信號的傳輸速度和開關(guān)過程中的電荷存儲。東莞半導(dǎo)體場效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)場效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度、電壓應(yīng)力等因素有關(guān)。

這些電極的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開關(guān)。這個(gè)柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個(gè)加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個(gè)電路中較高或較低的電壓相連，根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時(shí)連在一起，因?yàn)橛袝r(shí)源也連在電路中較高或較低的電壓上。當(dāng)然有時(shí)一些電路中FET并沒有這樣的結(jié)構(gòu)，比如級聯(lián)傳輸電路和串疊式電路。

場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。作用：1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場效應(yīng)管的開關(guān)速度快，適用于需要快速響應(yīng)的電路系統(tǒng)中。

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管，Junction-FET，JFET）。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），從而大部分代替了JFET，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。場效應(yīng)管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi)，以確保正常工作。蕪湖強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管

場效應(yīng)管的優(yōu)勢在于低噪聲、高放大倍數(shù)和低失真，適用于高要求的音頻放大電路中。蕪湖強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管

現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機(jī)中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整機(jī)的效率、可靠較大程度上提高，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu)、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別，所以在應(yīng)用上，它的驅(qū)動電路比晶體三極管復(fù)雜。所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。蕪湖強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管