半導體探測器是60年代以來迅速發(fā)展起來的一種新型的射線探測器。它經常被應用于各個領域，不同類型的半導體探測器在不同的方面都有其自身的特點。按形成半導體探測器PN結的方法，可將其分為兩種：離子注入型和表面位壘型。離子注入半導體探測器在我國尚未被普遍使用，其輻射劑量特性正在開發(fā)當中，因而有很大的研究空間。鈍化離子注入平面硅(Pas-sivatedImplantedPlanarSilian，簡稱PIPS)探測器，是半導體鈍化離子注入的新工藝產品。 上海新漫傳感科技有限公司致力于提供alpha譜儀，歡迎新老客戶來電！深圳專業(yè)alpha譜儀產品原理
Alpha譜儀系列應用很廣，可以運用在很多領域。在環(huán)境與衛(wèi)生評價領域，可以用于氡釷氣溶膠測量、食品檢驗、人體健康；在高校研究領域，可以用于和實驗基地、核物理實驗室、核物理實驗室、醫(yī)藥衛(wèi)生、農業(yè)科學；在檢驗分析領域，可以用于出入境檢疫檢驗分析、建材放射性活度測量、食品放射性活度測量、食品放射性活度測量；在核電安全領域，可以用于核材料檢查監(jiān)測；在資源勘查領域，鈾礦、石油、天然氣，地下水資源，核工業(yè)地勘系統(tǒng)。 南京國產alpha譜儀常見問題上海新漫傳感科技有限公司致力于提供alpha譜儀，期待您的光臨！
新漫PA系列alpha譜儀采用了離子注入型硅探測器（PIPS）。PIPS探測器有其自身的優(yōu)點：結的全部外緣都是不可見的，這樣就減小了漏電流值，排除了微等離子區(qū)擊穿的威脅；接觸面用離子注入法形成，可以得到精確、薄而且突變的結，使α粒子分辨率好，峰的展寬縮??；入射窗穩(wěn)定而堅固，可以很容易地、可靠地進行清洗；漏電流的典型值是面壘型與結型探測器的1/10~1/100；死層(窗)厚度小于類似的面壘型與擴散型探測器；標準的PIPS探測器耐高溫達373K。
在此科普一下α譜儀的相關術語。例如，半高寬（分辨率）是指在獲得的能譜圖上，單峰峰值一半處兩點橫坐標間的距離。常用FWHM表示。探測效率是指儀器對標準源的測量凈計數率與標準源的α粒子的發(fā)射率之比。能量刻度是指采用具備單能或多能的標準源對儀器的能量響應和能量坐標格式化。放射性活度是指給定時刻下，處于特定能態(tài)的一定量的放射性核素在單位時間內發(fā)生自發(fā)核躍遷的次數。本底是指待測樣品外的其它因素（探測器、環(huán)境的放射性核宇宙射線，噪音等）引起的測量貢獻。單能源是指具備單一能量粒子的放射性核素平面源，如：239pu(5.157MeV)、241Am(5.485MeV)、210Po(5.305MeV)。多能源：天然鈾(4.2-7.688MeV)、天然釷(4.01-8.785MeV)。 上海新漫傳感科技有限公司是一家專業(yè)提供alpha譜儀的公司，歡迎您的來電！
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