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可控硅調(diào)壓模塊基本參數(shù)
  • 產(chǎn)地
  • 山東淄博
  • 品牌
  • 正高電氣
  • 型號
  • 齊全
  • 是否定制
可控硅調(diào)壓模塊企業(yè)商機

可控硅可控硅簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動器件,實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)。選擇淄博正高電氣,就是選擇質(zhì)量、真誠和未來。日照小功率可控硅調(diào)壓模塊批發(fā)

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兩個溫度值接近,說明散熱器正常工作。,器件陶磁環(huán)的溫度高于散熱體表面溫度,說明散熱器的效果不好需進行處理;,散熱體表面溫度高于器件陶磁環(huán)的溫度,說明器件工作正常而系統(tǒng)連接或散熱器的安裝有問題需處理。東臺臺基生產(chǎn)的可控硅是耐高溫的可控硅。這是我們的可控硅的優(yōu)勢。1、普通的晶閘管可以用于交直流電壓的控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護電路等應(yīng)用上國內(nèi)很多公司生產(chǎn)的可控硅,能承受的溫度是有限的,一般在45℃左右,一旦超過50℃就會。但是西東臺臺基生產(chǎn)的可控硅不是這樣的。(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。在我們技術(shù)部同事的測試下,可控硅能承受125℃的高溫所以我們的可控硅不像普通的可控硅那樣嬌弱。它是有很頑強的生命力的。很多公司總是說,管子(晶閘管)幾天就燒壞了。這個是怎么回事呢?分析起來,一是可能您購買的晶閘管不能承受高溫。二是有可能貴公司的可控硅配錯了散熱器。導(dǎo)致散熱不利造成晶閘管損壞。萊蕪單相可控硅調(diào)壓模塊組件淄博正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。

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可控硅又稱晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件,其主要的功能是功率控制??煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓?、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等??煽毓璧奶攸c是具有可控的單向?qū)щ娦?,以小電流控制大電流,以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),形成3個PN結(jié),具有3個外電極:陽極A、陰極K、控制極G。檢測時,萬用表置于“Rx10Ω”檔,黑表筆(表內(nèi)電池正極)接單向可控硅的控制極G,紅表筆(表內(nèi)電池負極)接單向可控硅的陰極K,這時測量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對調(diào)兩表筆后,測其反向電阻,應(yīng)比正向電阻明顯大一些。萬用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,紅表筆改接單向可控硅的陽極A,阻值應(yīng)為無窮大。對調(diào)兩表筆后,再測,阻值仍應(yīng)為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結(jié)反向串聯(lián),正常情況下其正、反向阻值均為無窮大。二、檢測單向晶閘管導(dǎo)通特性萬用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接單向可控硅陽極A,紅表筆接單向可控硅陰極K,表針應(yīng)指示為無窮大。這是用金屬導(dǎo)體將控制極G與陽極A短接一下(短接后馬上斷開)。

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不只是整流,還可以用作無觸點開關(guān)的快速接通或切斷;實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用。可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。可控硅工作原理解析可控硅結(jié)構(gòu)原件可控硅有三個極----陽極(A)、陰極(C)和控制極(G),管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個PN結(jié),與只有一個PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)??煽毓钁?yīng)用時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。淄博正高電氣擁有先進的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備,雄厚的技術(shù)力量。

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可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了,在您了解的知識中,您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?下面正高電氣來講解一下??煽毓枘K的工作條件:1.當可控硅模塊承受反向陽極電壓時,不管門級承受哪種電壓,可控硅模塊都會處于斷開狀態(tài)。2.當可控硅模塊經(jīng)歷正向陽極電壓時,可控硅只在門級受到正向電壓時接通。3.當可控硅模塊導(dǎo)通時,只需要有一定的正極電壓,不管門極電壓怎樣,可控硅模塊都保持導(dǎo)通,如果可控硅導(dǎo)通后,門極將失去其功能。4..當可控硅模塊導(dǎo)通時,主電路電壓(或電流)減小到接近零時,可控硅模塊關(guān)斷。您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽極承受正電壓,只有當正向觸發(fā)電壓時,可控硅才能導(dǎo)通。由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽極電流達到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流,即高于電流IL??煽毓鑼?dǎo)通后的電壓降很小。接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值,即保持電流IH。有兩種方法:1.將正極電壓降低至數(shù)值,或添加反向陽極電壓。2.增加負載電路中的電阻。以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài),希望能幫助您。淄博正高電氣產(chǎn)品銷往國內(nèi)。日照雙向可控硅調(diào)壓模塊報價

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晶閘管關(guān)斷過電壓(換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓)及保護晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,在關(guān)斷過程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時,元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時反向電流減小即diG/dt極大,產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大,這個電勢與電源串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓(換相過電壓)。數(shù)值可達工作電壓的5~6倍。保護措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2.交流側(cè)過電壓及其保護由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程,會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級之間存在分布電容,初級高壓經(jīng)電容耦合到次級,出現(xiàn)瞬時過電壓。措施:在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當電容,就可以減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負載切斷時,因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時,初級拉閘,因變壓器激磁電流的突變,在次級感生出很高的瞬時電壓,這種電壓尖峰值可達工作電壓的6倍以上。日照小功率可控硅調(diào)壓模塊批發(fā)

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