就組成了一個(gè)簡單實(shí)用的大功率無級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角，增大R2的阻值到一定程度，便可使兩個(gè)主可控硅阻斷，因此R2還可起開關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí)，SCR1、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路，其原理這里從略。SCR1、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊（110A／1000V），SCR3選用BTl36，即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負(fù)載，應(yīng)增加R4，C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過壓保護(hù)，防止負(fù)載斷開和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅?？煽毓枵{(diào)壓器電路圖（五）一種吸塵器使用可控硅元件構(gòu)成調(diào)速電路可控硅調(diào)壓器電路圖（六）這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源可控硅調(diào)壓器電路圖（七）一種大功率直流電機(jī)調(diào)速電路可控硅調(diào)壓器電路圖（八）使用一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)（NTC）的熱敏電阻。淄博正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營管理體系，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。泰安單向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

兩個(gè)溫度值接近，說明散熱器正常工作。，器件陶磁環(huán)的溫度高于散熱體表面溫度，說明散熱器的效果不好需進(jìn)行處理；，散熱體表面溫度高于器件陶磁環(huán)的溫度，說明器件工作正常而系統(tǒng)連接或散熱器的安裝有問題需處理。東臺(tái)臺(tái)基生產(chǎn)的可控硅是耐高溫的可控硅。這是我們的可控硅的優(yōu)勢(shì)。1、普通的晶閘管可以用于交直流電壓的控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護(hù)電路等應(yīng)用上國內(nèi)很多公司生產(chǎn)的可控硅，能承受的溫度是有限的，一般在45℃左右，一旦超過50℃就會(huì)。但是西東臺(tái)臺(tái)基生產(chǎn)的可控硅不是這樣的。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。在我們技術(shù)部同事的測(cè)試下，可控硅能承受125℃的高溫所以我們的可控硅不像普通的可控硅那樣?jì)扇?。它是有很頑強(qiáng)的生命力的。很多公司總是說，管子（晶閘管）幾天就燒壞了。這個(gè)是怎么回事呢？分析起來，一是可能您購買的晶閘管不能承受高溫。二是有可能貴公司的可控硅配錯(cuò)了散熱器。導(dǎo)致散熱不利造成晶閘管損壞。泰安單向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)淄博正高電氣從國內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。

如溫度控制、燈米調(diào)節(jié)及直流電極調(diào)速和換向電路等，逆導(dǎo)的。主要用于直流供電國輛（如無軌電車）的調(diào)速?？申P(guān)斷的。這是一種新型產(chǎn)品，它利用正的控制極脈沖可觸發(fā)導(dǎo)通，而用負(fù)的控制極脈沖可以關(guān)斷陽極電流，恢復(fù)阻斷狀態(tài)。利用這種特性可以做成無觸點(diǎn)開關(guān)或用直流調(diào)壓、電視機(jī)中行掃描電路及高壓脈沖發(fā)生器電路等。在性能上，可控硅模塊不只具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件，更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。它的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通?？梢詮耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ?、平板形和平底形。以上就是正高的小編為大家?guī)サ年P(guān)于可控硅模塊的了解，希望會(huì)對(duì)大家?guī)ヒ欢ǖ膸椭?/p>

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)。淄博正高電氣品質(zhì)好、服務(wù)好、客戶滿意度高。

但無法使其關(guān)斷。要使導(dǎo)通的晶閘管恢復(fù)阻斷，可降低陽極電壓，或增大負(fù)載電阻，使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流（IH）（當(dāng)門極斷開時(shí)，晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導(dǎo)通所需的小陽極電流叫維持電流），電流會(huì)突然降到零，之后再提高電壓或減小負(fù)載電阻，電流不會(huì)再增大，說明晶閘管已恢復(fù)阻斷。根據(jù)晶閘管陽極伏安特性，可以總結(jié)出：1．門極斷開時(shí)。晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時(shí)，會(huì)使晶閘管導(dǎo)通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會(huì)損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時(shí)，管子不會(huì)導(dǎo)通，但此時(shí)正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài)，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性。是一種理想的無觸點(diǎn)功率開關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通，門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對(duì)于電阻負(fù)載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時(shí)間的反向電壓。淄博正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。泰安單向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

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雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中，其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號(hào)加載到可控硅的控制極。為減小驅(qū)動(dòng)功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路。（過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通，由于采用過零觸發(fā)，因此需要正弦交流電過零檢測(cè)電路）雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其導(dǎo)通條件：總的來說導(dǎo)通的條件就是：G極與T1之間存在一個(gè)足夠的電壓時(shí)并能夠提供足夠的導(dǎo)通電流就可以使可控硅導(dǎo)通，這個(gè)電壓可以是正、負(fù)，和T1、T2之間的電流方向也沒有關(guān)系。因?yàn)殡p向可控硅可以雙向?qū)?，所以沒有正極負(fù)極，但是有T1、T2之分雙向可控硅觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)方案雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。泰安單向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)