可控硅又稱(chēng)晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件,其主要的功能是功率控制??煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓?、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等??煽毓璧奶攸c(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦?,以小電流控制大電流,以低電壓控制高電壓??煽毓杩梢杂萌f(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè)。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),形成3個(gè)PN結(jié),具有3個(gè)外電極:陽(yáng)極A、陰極K、控制極G。檢測(cè)時(shí),萬(wàn)用表置于“Rx10Ω”檔,黑表筆(表內(nèi)電池正極)接單向可控硅的控制極G,紅表筆(表內(nèi)電池負(fù)極)接單向可控硅的陰極K,這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后,測(cè)其反向電阻,應(yīng)比正向電阻明顯大一些。萬(wàn)用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,紅表筆改接單向可控硅的陽(yáng)極A,阻值應(yīng)為無(wú)窮大。對(duì)調(diào)兩表筆后,再測(cè),阻值仍應(yīng)為無(wú)窮大。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián),正常情況下其正、反向阻值均為無(wú)窮大。二、檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接單向可控硅陽(yáng)極A,紅表筆接單向可控硅陰極K,表針應(yīng)指示為無(wú)窮大。這是用金屬導(dǎo)體將控制極G與陽(yáng)極A短接一下(短接后馬上斷開(kāi))。淄博正高電氣從國(guó)內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備,實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。淄博整流可控硅調(diào)壓模塊批發(fā)
可控硅模塊裝置中產(chǎn)生過(guò)電流保護(hù)的原因有很多,是多種多樣的,那么它采用的保護(hù)措施有哪些?下面可控硅模塊廠家?guī)黄饋?lái)看下。可控硅模塊產(chǎn)生出的過(guò)電流的原因有很多種,當(dāng)變流裝置內(nèi)部的結(jié)構(gòu)元件損壞、控制或者觸發(fā)系統(tǒng)之間發(fā)生的一些故障、可逆?zhèn)鲃?dòng)環(huán)流過(guò)大或逆變失敗、交流電壓過(guò)高或過(guò)低或缺相、負(fù)載過(guò)載等原因,都會(huì)引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過(guò)正常的工作電流。由于可控硅模塊的過(guò)流比一般的電氣設(shè)備的能力要低得多,因此,我們必須采取防過(guò)電流保護(hù)可控硅模塊的措施。接下來(lái)可控硅生產(chǎn)廠家正高為大家詳細(xì)講解一些可控硅模塊裝置中可能采用的4種過(guò)電流保護(hù)管理措施:1、交流進(jìn)線串接漏電阻大的整流變壓器,利用短路電流受電抗限制,但交流電流大時(shí)會(huì)存在交流壓降。2、電檢測(cè)和過(guò)電流檢測(cè)繼電器電流與設(shè)定值進(jìn)行比較,當(dāng)取樣電流超過(guò)設(shè)定值時(shí),比較器輸出信號(hào)使所述相移角增加以減小電流或拉逆變器相比較。有時(shí)一定要停止。3、直流快速開(kāi)關(guān)對(duì)于變流裝置功率大且短路可能性較多的場(chǎng)合,可采用動(dòng)作時(shí)間只有2ms的直流快速開(kāi)關(guān),它可以先于快速熔斷器斷開(kāi)。從而保護(hù)了可控硅模塊,但價(jià)格昂貴所以使用不多。4、將快速熔斷器與普通熔斷器進(jìn)行對(duì)比。廣東大功率可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家“質(zhì)量?jī)?yōu)先,用戶(hù)至上,以質(zhì)量求發(fā)展,與用戶(hù)共創(chuàng)雙贏”是淄博正高電氣新的經(jīng)營(yíng)觀。
必須使陽(yáng)極電流《維持電流,對(duì)于電阻負(fù)載,只要使管子陽(yáng)極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷,通常在管子陽(yáng)極電壓互降為零后,加上一定時(shí)間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù):1.正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓(VDRM、VRRM取其小者)2.額定通態(tài)平均電流IT(AV)——額定電流(正弦半波平均值)3.門(mén)極觸發(fā)電流IGT,門(mén)極觸發(fā)電壓UGT,(受溫度變化)晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓(換流過(guò)電壓、空穴積蓄效應(yīng)過(guò)電壓)及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量產(chǎn)生過(guò)電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部。在關(guān)斷過(guò)程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時(shí),元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大,產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大,這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過(guò)電壓(換相過(guò)電壓)。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。交流側(cè)過(guò)電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開(kāi)時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過(guò)程,會(huì)產(chǎn)生操作過(guò)電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級(jí)之間存在分布電容。
鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過(guò),因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說(shuō)明元件已損壞??煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,可控硅的功用不只是整流,它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。淄博正高電氣為企業(yè)打造高水準(zhǔn)、高質(zhì)量的產(chǎn)品。
壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別?可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,這種可控硅模塊的體積非常的小,結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,對(duì)于維修與安裝都有很大的作用,可控硅模塊的類(lèi)型非常的多,比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,很多人不是很清楚兩者之間的差異,下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講,焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A,這就是講低于160A的模塊,不只是有焊接式的,同時(shí)也有壓接式的。②從外形方面來(lái)講,焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn),焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,但是在使用的時(shí)候是沒(méi)有任何的影響的。③眾所周知,壓接式可控硅模塊的市場(chǎng)占有率是非常大的,有不少的公司都會(huì)使用壓接式可控硅模塊,這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀,除此之外從價(jià)格方面來(lái)講,焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低。淄博正高電氣用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和規(guī)范的質(zhì)量管理,打造優(yōu)良的產(chǎn)品!福建大功率可控硅調(diào)壓模塊批發(fā)
淄博正高電氣優(yōu)良的研發(fā)與生產(chǎn)團(tuán)隊(duì),專(zhuān)業(yè)的技術(shù)支撐。淄博整流可控硅調(diào)壓模塊批發(fā)
晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通后,門(mén)極就對(duì)它失去控制作用,通常在門(mén)極上只要加上一個(gè)正向脈沖電壓即可,稱(chēng)為觸發(fā)電壓。門(mén)極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通,但無(wú)法使其關(guān)斷。要使導(dǎo)通的晶閘管恢復(fù)阻斷,可降低陽(yáng)極電壓,或增大負(fù)載電阻,使流過(guò)晶閘管的陽(yáng)極電流減小至維持電流(IH)(當(dāng)門(mén)極斷開(kāi)時(shí),晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導(dǎo)通所需的小陽(yáng)極電流叫維持電流),電流會(huì)突然降到零,之后再提高電壓或減小負(fù)載電阻,電流不會(huì)再增大,說(shuō)明晶閘管已恢復(fù)阻斷。根據(jù)晶閘管陽(yáng)極伏安特性,可以總結(jié)出:1.門(mén)極斷開(kāi)時(shí)。晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,且隨著管子正向陽(yáng)極電壓升高而增大。當(dāng)陽(yáng)極電壓升到足夠大時(shí),會(huì)使晶閘管導(dǎo)通,稱(chēng)為正向轉(zhuǎn)折或“硬開(kāi)通”。多次硬開(kāi)通會(huì)損壞管子。2.晶閘管加上正向陽(yáng)極電壓后,還必須加上觸發(fā)電壓,并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時(shí),管子不會(huì)導(dǎo)通,但此時(shí)正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài),沒(méi)有中間狀態(tài),具有雙穩(wěn)開(kāi)關(guān)特性。是一種理想的無(wú)觸點(diǎn)功率開(kāi)關(guān)元件。3.晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通,門(mén)極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管。淄博整流可控硅調(diào)壓模塊批發(fā)
淄博正高電氣有限公司是國(guó)內(nèi)一家多年來(lái)專(zhuān)注從事可控硅模塊,晶閘管模塊,可控硅智能模塊,晶閘管智能模塊的老牌企業(yè)。公司位于稷下街道閆家路11號(hào)南院,成立于2011-01-06。公司的產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò)遍布國(guó)內(nèi)各大市場(chǎng)。公司主要經(jīng)營(yíng)可控硅模塊,晶閘管模塊,可控硅智能模塊,晶閘管智能模塊,公司與可控硅模塊,晶閘管模塊,可控硅智能模塊,晶閘管智能模塊行業(yè)內(nèi)多家研究中心、機(jī)構(gòu)保持合作關(guān)系,共同交流、探討技術(shù)更新。通過(guò)科學(xué)管理、產(chǎn)品研發(fā)來(lái)提高公司競(jìng)爭(zhēng)力。公司會(huì)針對(duì)不同客戶(hù)的要求,不斷研發(fā)和開(kāi)發(fā)適合市場(chǎng)需求、客戶(hù)需求的產(chǎn)品。公司產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣,實(shí)用性強(qiáng),得到可控硅模塊,晶閘管模塊,可控硅智能模塊,晶閘管智能模塊客戶(hù)支持和信賴(lài)。淄博正高電氣有限公司依托多年來(lái)完善的服務(wù)經(jīng)驗(yàn)、良好的服務(wù)隊(duì)伍、完善的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的合作伙伴,目前已經(jīng)得到電子元器件行業(yè)內(nèi)客戶(hù)認(rèn)可和支持,并贏得長(zhǎng)期合作伙伴的信賴(lài)。