選擇可控硅模塊時不能只看表面，應參考實際工作條件來選擇，選用可控硅模塊的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:(1)強迫風冷：風速≥6m/s，風溫≤40℃；(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強。水溫≤35℃.水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；(3)自冷和負冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃；(4)空氣相對濕度≤85%；(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；(6)氣壓86—106Kpa；(7)無劇烈震動或沖擊；(8)若有特殊場合，應進行相應的試驗，證明工作可靠方可使用。2、可控硅模塊選購注意事項:(1)注明您需要的產品的型號、結構（螺栓、凹臺、凸臺）、配置散熱器型號。(2)注明您關注的參數(shù)要求。(3)選擇電流電壓時要留有適當?shù)挠嗔浚?、可控硅模塊使用注意事項：(1)線路中須有過壓過流保護措施，串并聯(lián)使用時必須有均流措施。(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞：門陰極間電阻，應有十幾或幾十Ω，否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻，應大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良。淄博正高電氣產品**國內。北京雙向晶閘管調壓模塊組件

3、可控硅模塊的應用領域該智能模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業(yè)、通訊、**用等各類電氣操控、電源等，依據(jù)還可經過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接，結束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功用，并可結束過流、過壓、過溫、缺持平維護功用。4、可控硅模塊的操控辦法經過輸入模塊操控接口一個可調的電壓或許電流信號，經過調整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行滑潤調度，結束模塊輸出電壓從0V至任一點或悉數(shù)導通的進程。電壓或電流信號可取自各種操控外表、核算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種辦法；操控信號選用0～5V，0～10V，4～20mA三種對比常用的操控辦法。5、可控硅模塊的操控端口與操控線可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法，別離對應于5芯、9芯、15芯的操控線。選用電壓信號的商品只用前面五腳端口，其他為空腳，選用電流信號的9腳為信號輸入，操控線的屏蔽層銅線應焊接到直流電源地線上,聯(lián)接時注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業(yè)或能夠燒壞模塊?？煽毓枘K操控端口插座和操控線插座上都有編號，請一一對應，不要接反。北京整流晶閘管調壓模塊結構淄博正高電氣傾城服務，確保產品質量無后顧之憂。

晶閘管模塊又稱為可控硅模塊，是硅整流裝置中主要的器件，可應用于多種場合，在不同的場合、線路和負載的狀態(tài)下，選擇適合的晶閘管模塊的重要參數(shù)，使設備運行更良好，使用壽命更長。1.選擇正反向電壓晶閘管模塊在門極無信號，控制電流Ig為0時，在陽（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗狀態(tài)，稱為正向阻斷狀態(tài)，若增大UAK而達到一定值VBO，可控硅由阻斷忽然轉為導通，這個VBO值稱為正向轉折電壓，這種導通是非正常導通，會減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復阻斷峰值電壓（VDRM）。在陽逐一陰極之間加上反向電壓時，器件的一和三PN結（J1和J3）處于反向偏置，呈阻斷狀態(tài)。當加大反向電壓達到一定值VRB時可控硅的反向從阻斷忽然轉變?yōu)閷顟B(tài)，此時是反向擊穿，器件會被損壞。而且VBO和VRB值隨電壓的重復施加而變小。在感性負載的情況下，如磁選設備的整流裝置。在關斷的時候會產生很高的電壓（∈=-Ldi/dt），假如電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會損壞晶閘管模塊。因此，晶閘管模塊也必須有足夠的反向耐壓VRRM。晶閘管模塊在變流器（如電機車）中工作時。必須能夠以電源頻率重復地經受一定的過電壓而不影響其工作。

直流控制交流可以用可控硅模塊來實現(xiàn)嗎？可控硅模塊的功能很強大，因此在電氣行業(yè)以及生活中的應用都比較普遍，但是直流控制交流可以用可控硅模塊來實現(xiàn)嗎？想要知道就來看看接下來正高電氣分享的這篇文章吧?？煽毓枘K可以用在交流電路中，也可以用在直流電路中。用于直流電路時使用直流下可關斷可控硅，可控硅模塊主回路的在導通情況下關斷時，要滿足主回路電流小于其維持電流的條件才能被關斷，一般可控硅的維持電流在幾毫安——幾十毫安范圍內?？刂平涣麟娐窌r，由于交流電流有過零時刻，可控硅主回路電流小于維持電流，因此能夠滿足關斷條件。直流電路中也可以采用產生反向電流的電路使主回路電流瞬間小于維持電流，而被關斷。用可控硅模塊控制交流的應用很廣，單結晶體管交流調壓電路就是一種典型的交流調壓電路。調壓原理是：通過改變單結晶體管發(fā)出觸發(fā)脈沖的導通角度來控制可控硅的導通時間，來實現(xiàn)交流調壓。此電路中，單結晶體管是接在交流電路中的，通過半波整流和降壓獲取工作電源。可控硅模塊通常在調壓電路中，觸發(fā)電路由控制電路產生，控制電路工作在直流電路中。其實，不必深究是否是直流控制交流，只要知道可控硅模塊的控制原理就行了。淄博正高電氣公司可靠的質量保證體系和經營管理體系，使產品質量日趨穩(wěn)定。

一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管模塊的原因有兩中可能，一是晶閘管模塊電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產生了過電壓，且對晶閘管模塊所采取的保護措施失效。電流燒壞晶閘管模塊通常是陰極表面有較大的燒損痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。由di/dt所引起的燒壞晶閘管模塊的現(xiàn)象較容易判斷，一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點。我們知道晶閘管模塊的等效電路是由兩只可控硅構成，門極所對應的可控硅做觸發(fā)用，目的是當觸發(fā)信號到來時將其放大，然后盡快的將主可控硅導通，然而在短時間內如果電流過大，主可控硅還沒有完全導通，大的電流主要通過相當于門極的可控硅流過，而此可控硅的承載電流的能力是很小的，所以造成此可控硅燒壞，表面看就是門極或放大門極附近燒成一小黑點。至于dv/dt其本身是不會燒壞晶閘管模塊的，只是高的dv/dt會使晶閘管模塊誤觸發(fā)導通，其表面現(xiàn)象跟電流燒壞的現(xiàn)象差不多。淄博正高電氣尊崇團結、信譽、勤奮。新疆小功率晶閘管調壓模塊型號

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所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上，考慮到一些可能會出現(xiàn)的浪涌電壓因素，在選擇代用參數(shù)的時候,只能向高一檔的參數(shù)選取。2.選擇額定工作電流參數(shù)可控硅的額定電流是在一定條件的通態(tài)均勻電流IT，即在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件，器件在阻性負載的單相工頻正弦半波，導通角不少于l70℃的電路中，當穩(wěn)定的額定結溫時所答應的通態(tài)均勻電流。而一般變流器工作時，各臂的可控硅有不均流因素?？煽毓柙诙鄶?shù)的情況也不可能在170℃導通角上工作，通常是少于這一角度。這樣就必須選用可控硅的額定電流稍大一些，一般應為其正常電流均勻值的。3.選擇關斷時間晶閘管模塊在陽極電流減少為0以后，假如馬上就加上正朝陽極電壓，即使無門極信號，它也會再次導通，假如在再次加上正朝陽極電壓之前使器件承受一定時間的反向偏置電壓，也不會誤導通，這說明晶閘管模塊關斷后需要一定的時間恢復其阻斷能力。從電流過O到器件能阻斷重加正向電壓的瞬間為止的小時聞間隔是可控硅的關斷時間tg，由反向恢復時間t和門極恢復時間t構成，普通晶閘管模塊的tg約150-200μs。通常能滿足一般工頻下變流器的使用，但在大感性負載的情況下可作一些選擇。北京雙向晶閘管調壓模塊組件

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