模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中必須配備散熱器和風(fēng)機(jī)，建議采用帶有過熱保護(hù)功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)算，確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時(shí)按以下原則選?。?、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s；2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積；5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊，壓線端子連接牢固，以減少次生熱量的產(chǎn)生，模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊，以達(dá)到佳散熱效果。8、模塊的安裝與維護(hù)。（1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊，幾個(gè)螺釘要依次固定，用力要均勻，反復(fù)幾次，直至牢固，使模塊底板與散熱器表面緊密接觸。（2）把散熱器和風(fēng)機(jī)按要求裝配好后，垂直固定于機(jī)箱合適位置。（3）用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，好浸錫。淄博正高電氣過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、優(yōu)良的售后服務(wù)、認(rèn)真嚴(yán)格的企業(yè)管理，贏得客戶的信譽(yù)。東營(yíng)單向晶閘管移相調(diào)壓模塊功能

改變負(fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。如何鑒別可控硅模塊的三個(gè)極鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枘K是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電。東營(yíng)單向晶閘管移相調(diào)壓模塊功能淄博正高電氣始終堅(jiān)持以人為本，恪守質(zhì)量為金，同建雄績(jī)偉業(yè)。

可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，損壞的面積小，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。5、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓（）12V）而損壞，其芯片G-K間有燒焦的通路（短路痕跡）。

是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的，它的型號(hào)，在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示；國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規(guī)格、型號(hào)、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí)，電極引腳向下，面對(duì)標(biāo)有字符的一面)。市場(chǎng)上*常見的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列。關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí)，雙向可控硅（晶閘管）開始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅（晶閘管）要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過允許值時(shí)，就沒有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅（晶閘管）回到導(dǎo)通狀態(tài)。淄博正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn)，邁向優(yōu)良品質(zhì)！

可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化。2,觸發(fā)導(dǎo)通在控制極G上加入正向電壓時(shí)因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)？晶閘管又叫可控硅。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以客戶至上為理念，為客戶提供咨詢服務(wù)。甘肅小功率晶閘管移相調(diào)壓模塊品牌

淄博正高電氣從國(guó)內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。東營(yíng)單向晶閘管移相調(diào)壓模塊功能

常把交流電的半個(gè)周期定為180，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。在橋式整流電路中，把二極管都換成晶閘管是不是就成了可控整流電路了呢？在橋式整流電路中，只需要把兩個(gè)二極管換成晶閘管就能構(gòu)成全波可控整流電路了?，F(xiàn)在畫出電路圖和波形圖，就能看明白了。晶閘管控制極所需的觸發(fā)脈沖是怎么產(chǎn)生的呢？晶閘管觸發(fā)電路的形式很多，常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等。大家制作的調(diào)壓器，采用的是單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。什么是單結(jié)晶體管？它有什么特殊性能呢？單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，是由一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極構(gòu)成的半導(dǎo)體器件。我們先畫出它的結(jié)構(gòu)示意圖。在一塊N型硅片兩端，制作兩個(gè)電極，分別叫做基極B1和第二基極B2；硅片的另一側(cè)靠近B2處制作了一個(gè)PN結(jié)。東營(yíng)單向晶閘管移相調(diào)壓模塊功能

淄博正高電氣有限公司是以可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)為一體的淄博正高電氣有限公司主營(yíng)電力、電子元?dú)饧霸O(shè)備制造、銷售，電源開關(guān)、低壓電器、微電子及相關(guān)配套產(chǎn)品銷售，計(jì)算機(jī)軟硬件設(shè)計(jì)開發(fā)，太陽能、節(jié)能設(shè)備銷售。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))企業(yè)，公司成立于2011-01-06，地址在稷下街道閆家路11號(hào)南院。至創(chuàng)始至今，公司已經(jīng)頗有規(guī)模。本公司主要從事可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊領(lǐng)域內(nèi)的可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等產(chǎn)品的研究開發(fā)。擁有一支研發(fā)能力強(qiáng)、成果豐碩的技術(shù)隊(duì)伍。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長(zhǎng)期合作的關(guān)系。依托成熟的產(chǎn)品資源和渠道資源，向全國(guó)生產(chǎn)、銷售可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊產(chǎn)品，經(jīng)過多年的沉淀和發(fā)展已經(jīng)形成了科學(xué)的管理制度、豐富的產(chǎn)品類型。淄博正高電氣有限公司以先進(jìn)工藝為基礎(chǔ)、以產(chǎn)品質(zhì)量為根本、以技術(shù)創(chuàng)新為動(dòng)力，開發(fā)并推出多項(xiàng)具有競(jìng)爭(zhēng)力的可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊產(chǎn)品，確保了在可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)。