怎么區(qū)分可控硅模塊的損壞緣由當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí),可把管芯從冷卻套中取出,翻開芯盒再取出芯片,調(diào)查其損壞后的痕跡,以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其方位在遠(yuǎn)離操控極上。電壓擊穿??煽毓枰虿荒芙邮茈妷憾鴵p壞,其芯片中有一個光亮的小孔,有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣,而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。淄博正高電氣傾城服務(wù),確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。福建整流晶閘管調(diào)壓模塊分類
在使用晶閘管模塊前必須了解的知識晶閘管模塊也是可控硅模塊,應(yīng)用范圍很大,多數(shù)應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中,是一種能夠在高電壓、大電流條件下工作,成為一些電路中不可或缺的重要元件。但是在晶閘管模塊是需要注意很多常識,下面一起來看看。1、在選用晶閘管模塊的額定電流時(shí),就要注意,除了要考慮通過元件的平均電流之外,還要注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等諸多因素,與此同時(shí),管殼溫度不得超過相應(yīng)電流下的允許值。2、使用晶閘管模塊,要用萬用表檢查晶閘管模塊是否良好,發(fā)現(xiàn)有短路或者斷路現(xiàn)象時(shí),就要立即更換。3、嚴(yán)禁使用兆歐表來檢查元件的絕緣情況。4、電力為5A以上的晶閘管模塊要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件,同時(shí),為了保證散熱器與晶閘管模塊的管心接觸良好,它們之間也要涂上一層有機(jī)硅油或者是硅脂,以幫助能夠更加良好的散熱。5、按照規(guī)定來對主電路中的晶閘管模塊采用過壓及過流保護(hù)裝置。6、防止控制極的正向過載和反向擊穿。威海交流晶閘管調(diào)壓模塊分類淄博正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個環(huán)節(jié),保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問題。
相信大家對于可控硅模塊并不陌生了,現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展,可控硅模塊的使用范圍越來越廣,但是你對可控硅模塊的了解有多少呢,它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎?下面為大家講解??煽毓枘K的主要參數(shù)有:1.額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2.正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓??煽毓枘K承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3.反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4.控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極——陰極間加有一定電壓時(shí),可控硅模塊從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的較小控制極電流和電壓。5.維持電流IH在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的較小陽極正向電流。近年來,許多新型可控硅模塊相繼問世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅模塊,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅模塊,可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通。
在這里單結(jié)晶體管張弛振蕩器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管模塊沒有導(dǎo)通時(shí),張弛振蕩器的電容器C被電源充電,UC按指數(shù)規(guī)律上升到峰點(diǎn)電壓UP時(shí),單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通,在VS導(dǎo)通期間,負(fù)載RL上有交流電壓和電流,與此同時(shí),導(dǎo)通的VS兩端電壓降很小,迫使張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電壓過零瞬間,晶閘管VS被迫關(guān)斷,張弛振蕩器得電,又開始給電容器C充電,重復(fù)以上過程。這樣,每次交流電壓過零后,張弛振蕩器發(fā)出個觸發(fā)脈沖的時(shí)刻都相同,這個時(shí)刻取決于RP的阻值和C的電容量。調(diào)節(jié)RP的阻值,就可以改變電容器C的充電時(shí)間,也就改變了個Ug發(fā)出的時(shí)刻,相應(yīng)地改變了晶閘管的控制角,使負(fù)載RL上輸出電壓的平均值發(fā)生變化,達(dá)到調(diào)壓的目的。雙向晶閘管模塊的T1和T2不能互換。否則會損壞管子和相關(guān)的控制電路。選擇淄博正高電氣,就是選擇質(zhì)量、真誠和未來。
可控硅模塊在電源設(shè)備中的應(yīng)用可以說是相當(dāng)廣了,它的優(yōu)勢也是人人皆知的,那么可控硅模塊具體電流應(yīng)用是怎么的您知道嗎?下面正高電氣在給您講解一下??煽毓枘K可以用在交流電路中,也可以用在直流電路中。用于直流電路時(shí)好使用直流下可關(guān)斷可控硅,可控硅模塊主回路的在導(dǎo)通情況下關(guān)斷時(shí),要滿足主回路電流小于其維持電流的條件才能被關(guān)斷,一般可控硅模塊的維持電流在幾毫安——幾十毫安范圍內(nèi)??刂平涣麟娐窌r(shí),由于交流電流有過零時(shí)刻,可控硅模塊主回路電流小于維持電流,因此能夠滿足關(guān)斷條件。直流電路中也可以采用產(chǎn)生反向電流的電路使主回路電流瞬間小于維持電流,而被關(guān)斷。用可控硅模塊控制交流的應(yīng)用很廣,單結(jié)晶體管交流調(diào)壓電路就是一種典型的交流調(diào)壓電路。調(diào)壓原理是:通過改變單結(jié)晶體管發(fā)出觸發(fā)脈沖的導(dǎo)通角度來控制可控硅的導(dǎo)通時(shí)間,來實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓。此電路中,單結(jié)晶體管是接在交流電路中的,通過半波整流和降壓獲取工作電源。通常在調(diào)壓電路中,觸發(fā)電路由控制電路產(chǎn)生,控制電路工作在直流電路中。其實(shí),不必深究是否是直流控制交流,只要知道可控硅模塊的控制原理就行了,其基本的原理就是用觸發(fā)脈沖控制可控硅的導(dǎo)通。淄博正高電氣材料竭誠為您服務(wù),期待與您的合作!臨沂恒壓晶閘管調(diào)壓模塊功能
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所以脈沖寬度下應(yīng)小于300μs,通常取1ms,相當(dāng)廣50Hz正弦波的18電角度。二、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導(dǎo)通時(shí)間的一致性對于可控硅串并聯(lián)電路,要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時(shí)刻導(dǎo)通,使兩個管子中流過的電流及或承受的電壓及相同。否則,由于元件特性的分散性,在并聯(lián)電路中使導(dǎo)通較早的元件超出允許范圍,在串聯(lián)電路中使導(dǎo)通較晚的元件超出允許范圍而被損壞,所以,針對上述問題,通常采取強(qiáng)觸發(fā)措施,使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。三、觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作,必須使觸發(fā)脈沖能在相應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行移相。同時(shí),無論是在可控整流、有源逆變還是在交流調(diào)壓的觸發(fā)電路中,為了使每—周波重復(fù)在相同位置上觸發(fā)可控硅,觸發(fā)信號必須與電源同步,即觸發(fā)信號要與主回路電源保持固定的相位關(guān)系。否則,觸發(fā)電路就不能對主回路的輸出電壓Ud進(jìn)行準(zhǔn)確的控制。逆變運(yùn)行時(shí)甚至?xí)斐啥搪?,而同步是由相主回路接在同一個電源上的同步變壓器輸出的同步信號來實(shí)現(xiàn)的。以上就是可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)必須滿足的三個必定條件,希望對您有所幫助。福建整流晶閘管調(diào)壓模塊分類
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