T1管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，于是電容C通過(guò)T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電，結(jié)果在R2上獲得一個(gè)尖脈沖。這個(gè)脈沖作為控制信號(hào)送到可控硅SCR的控制極，使可控硅導(dǎo)通。可控硅導(dǎo)通后的管壓降很低，一般小于1V，所以張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電通過(guò)零點(diǎn)時(shí)，可控硅自關(guān)斷。當(dāng)交流電在負(fù)半周時(shí)，電容C又從新充電……如此周而復(fù)始，便可調(diào)整負(fù)載RL上的功率了。2：元器件選擇調(diào)壓器的調(diào)節(jié)電位器選用阻值為470KΩ的WH114-1型合成碳膜電位器，這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其佘的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR選用正向與反向電壓大于300V、額定平均電流大于1A的可控硅整流器件，如國(guó)產(chǎn)3CT12：電熱毯溫控器市售電熱毯一般有高、低兩個(gè)溫度檔。使用時(shí)，撥在高溫檔，入睡后總被熱醒；撥在低溫檔，有時(shí)醒來(lái)會(huì)覺(jué)得熱度不夠。為此，筆者制作了這種電熱毯溫控器，它可以把電熱毯的溫度控制在一個(gè)適宜的范圍內(nèi)。工作原理：IC為NE555時(shí)基電路；RP3為溫度調(diào)節(jié)電位器，其滑動(dòng)臂電位決定IC的觸發(fā)電位V2和閾電位Vf，且V5=Vf=2Vz。220V交流電壓經(jīng)C1、R1限流降壓。淄博正高電氣秉承團(tuán)結(jié)、奮進(jìn)、創(chuàng)新、務(wù)實(shí)的精神，誠(chéng)實(shí)守信，厚德載物。遼寧三相晶閘管移相調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用?？煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多?？煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)構(gòu)原件可控硅有三個(gè)極----陽(yáng)極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)，與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)?？煽毓钁?yīng)用時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。山西單向晶閘管移相調(diào)壓模塊批發(fā)淄博正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營(yíng)管理體系，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種）。螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)電極----陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?？煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅嫖覀冇脠D表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先，我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。對(duì)可控硅來(lái)說(shuō)，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)電極----陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先，我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來(lái)分析。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大。BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。淄博正高電氣重信譽(yù)、守合同，嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān)，熱誠(chéng)歡迎廣大用戶前來(lái)咨詢考察，洽談業(yè)務(wù)！

在負(fù)半周期間，C向R3和R2放電并觸發(fā)雙向可控硅，這樣使雙向可控硅繼續(xù)導(dǎo)通，保證負(fù)載正常工作。一旦電網(wǎng)突然停電，C上的電荷經(jīng)R3和R2放電。在電網(wǎng)恢復(fù)供電后，由于K1常開(kāi)，C上又無(wú)電壓，不能使雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通，電路呈斷開(kāi)自鎖狀態(tài)，因此沒(méi)有電流流過(guò)負(fù)載。只有重按一下K1，負(fù)載才能正常工作，從而有效地防止了因斷電后恢復(fù)供電造成的浪費(fèi)和。常閉按鈕K2用于正常供電情況下關(guān)斷電路。10：雙色彩燈本彩燈是以多諧振蕩器為控制信號(hào)，燈光交替閃耀，可給節(jié)日晚上（尤其是舞會(huì)）增加不少光彩和歡快氣氛。工作原理如下圖所示。交流220V電源經(jīng)C1、VD1、VD2及VD3降壓、整流、濾波后，在VD3兩端得到3V的穩(wěn)定電壓。多諧振蕩器中的VT1、VT2輪流導(dǎo)通，其集電極電流控制雙向晶閘管VS1和VS2工作，彩燈將交替閃爍著光彩。元器件選擇：電容C1為μ/400V（滌綸電容）、C2為220μ/6V，C3、C4為50μ/16V。電阻R1為1M/1W，R2、R3為20K／1/4W。二極管VD1、VD2選1N4004。穩(wěn)壓二極管VD3選3V/1W。發(fā)光二極管VD4、VD5為FG114001。雙向晶閘管VS1、VS2為TLC3A/400V。三極管VT1、VT2為3CK9D，60≤β≤120。使用方法：（1）如彩燈不亮，將3V穩(wěn)壓管換成。（2）為防止流過(guò)發(fā)光二極管VD4、VD5的電流過(guò)大。淄博正高電氣產(chǎn)品**國(guó)內(nèi)。云南單向晶閘管移相調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

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TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-09，1．晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓（換流過(guò)電壓、空穴積蓄效應(yīng)過(guò)電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過(guò)電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)斷過(guò)程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時(shí)，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大，這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過(guò)電壓（換相過(guò)電壓）。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側(cè)過(guò)電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開(kāi)時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過(guò)程，會(huì)產(chǎn)生操作過(guò)電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級(jí)之間存在分布電容，初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí)，出現(xiàn)瞬時(shí)過(guò)電壓。遼寧三相晶閘管移相調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

正高電氣，2011-01-06正式啟動(dòng)，成立了可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等幾大市場(chǎng)布局，應(yīng)對(duì)行業(yè)變化，順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進(jìn)而提升正高電氣的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，把握市場(chǎng)機(jī)遇，推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。業(yè)務(wù)涵蓋了可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等諸多領(lǐng)域，尤其可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì)，完成了一大批具特色和時(shí)代特征的電子元器件項(xiàng)目；同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。同時(shí)，企業(yè)針對(duì)用戶，在可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等幾大領(lǐng)域，提供更多、更豐富的電子元器件產(chǎn)品，進(jìn)一步為全國(guó)更多單位和企業(yè)提供更具針對(duì)性的電子元器件服務(wù)。淄博正高電氣有限公司業(yè)務(wù)范圍涉及淄博正高電氣有限公司主營(yíng)電力、電子元?dú)饧霸O(shè)備制造、銷售，電源開(kāi)關(guān)、低壓電器、微電子及相關(guān)配套產(chǎn)品銷售，計(jì)算機(jī)軟硬件設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，太陽(yáng)能、節(jié)能設(shè)備銷售。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))等多個(gè)環(huán)節(jié)，在國(guó)內(nèi)電子元器件行業(yè)擁有綜合優(yōu)勢(shì)。在可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等領(lǐng)域完成了眾多可靠項(xiàng)目。