電力調(diào)整器其實(shí)有著別的名稱,比如說可以叫做可控硅也可以叫做調(diào)功調(diào)壓器或者是功率調(diào)整器以及還有其他的一些像是調(diào)相器以及調(diào)功器等等,因?yàn)槭菍儆谝环N無級(jí)的電力調(diào)整的設(shè)備,也是屬于在工業(yè)的電熱的行業(yè)中控制的利器,也有一些比較節(jié)能節(jié)電的環(huán)保型的產(chǎn)品。它是一種以晶閘管(電力電子器件)為主要基礎(chǔ)的,可以以智能的數(shù)字進(jìn)行相應(yīng)的控制電路這些為中心的電源功率的控制電器,這樣看來又可以稱為可控硅調(diào)功器,可控硅的調(diào)整器以及可控硅的調(diào)壓器,晶閘管調(diào)整器以及晶閘管調(diào)壓器等等一些別的名稱。這些也具有效率比較高、沒有機(jī)械的噪聲以及磨損,響應(yīng)的速度也是比較快的,體積也比較小,重量同樣也是比較輕的,像是這些的還有很多,而且晶閘管的調(diào)功器也會(huì)通過對(duì)電壓、電流以及功率進(jìn)行控制的,這樣就可以實(shí)現(xiàn)進(jìn)行很精密的控溫。并且可以憑借很先進(jìn)的數(shù)字進(jìn)行控制,這樣也優(yōu)化了電能的使用的功率,相對(duì)于節(jié)約電能起到了一定的作用。晶閘管調(diào)功器的可以在什么行業(yè)進(jìn)行使用呢?電爐行業(yè)有退火爐、烘干爐、燒結(jié)爐以及淬火爐,還有一些是工業(yè)行業(yè)上的像是井式電爐、滾動(dòng)電爐以及臺(tái)車電爐。淄博正高電氣運(yùn)用高科技,不斷創(chuàng)新為企業(yè)經(jīng)營(yíng)發(fā)展的宗旨。貴州交流晶閘管調(diào)壓模塊
所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上,考慮到一些可能會(huì)出現(xiàn)的浪涌電壓因素,在選擇代用參數(shù)的時(shí)候,只能向高一檔的參數(shù)選取。2.選擇額定工作電流參數(shù)可控硅的額定電流是在一定條件的通態(tài)均勻電流IT,即在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件,器件在阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波,導(dǎo)通角不少于l70℃的電路中,當(dāng)穩(wěn)定的額定結(jié)溫時(shí)所答應(yīng)的通態(tài)均勻電流。而一般變流器工作時(shí),各臂的可控硅有不均流因素??煽毓柙诙鄶?shù)的情況也不可能在170℃導(dǎo)通角上工作,通常是少于這一角度。這樣就必須選用可控硅的額定電流稍大一些,一般應(yīng)為其正常電流均勻值的。3.選擇關(guān)斷時(shí)間晶閘管模塊在陽極電流減少為0以后,假如馬上就加上正朝陽極電壓,即使無門極信號(hào),它也會(huì)再次導(dǎo)通,假如在再次加上正朝陽極電壓之前使器件承受一定時(shí)間的反向偏置電壓,也不會(huì)誤導(dǎo)通,這說明晶閘管模塊關(guān)斷后需要一定的時(shí)間恢復(fù)其阻斷能力。從電流過O到器件能阻斷重加正向電壓的瞬間為止的小時(shí)聞間隔是可控硅的關(guān)斷時(shí)間tg,由反向恢復(fù)時(shí)間t和門極恢復(fù)時(shí)間t構(gòu)成,普通晶閘管模塊的tg約150-200μs。通常能滿足一般工頻下變流器的使用,但在大感性負(fù)載的情況下可作一些選擇。貴州交流晶閘管調(diào)壓模塊選擇淄博正高電氣,就是選擇質(zhì)量、真誠(chéng)和未來。
推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>KI負(fù)載U∕U實(shí)際K:安全系數(shù),阻性負(fù)載K=,感性負(fù)載K=2;I負(fù)載:負(fù)載流過的強(qiáng)大電流;U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓;U強(qiáng)大模塊能輸出的強(qiáng)大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的,單相整流模塊為輸入電壓的,其余規(guī)格均為);I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過載能力,溫度越低模塊的輸出電流越大,所以在使用中必須配備散熱器和風(fēng)機(jī),建議采用帶有過熱保護(hù)功能的產(chǎn)品,有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)算,確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào),推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī),用戶自備時(shí)按以下原則選?。?、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s;2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃;3、模塊負(fù)載較輕時(shí),可減小散熱器的大小或采用自然冷卻;4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積;5、緊固模塊的螺釘必須擰緊,壓線端子連接牢固,以減少次生熱量的產(chǎn)生,模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊,以達(dá)到良好散熱效果。6、山東可控硅模塊的安裝與維護(hù)。
整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇可控硅智能調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系,選型的原則是考慮工作可靠性,即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V,選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊,其他電壓的可控硅智能調(diào)壓模塊需要訂做。對(duì)可控硅智能調(diào)壓模塊電流的選擇,必須考慮加熱爐爐絲(或加熱件)的額定工作電流及可控硅智能調(diào)壓模塊的輸出電壓值,如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化,開機(jī)時(shí)溫度很低,額定電流會(huì)很大或加熱到較高溫度時(shí),額定電流會(huì)很大或加熱到較高溫度時(shí),額定電流會(huì)很大),必須考慮加熱絲整個(gè)工作狀態(tài)的電流值,作為加熱絲的額定電流值來確定可控硅智能調(diào)壓模塊的規(guī)格大小。淄博正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn),邁向優(yōu)良品質(zhì)!
正高講晶閘管模塊驅(qū)動(dòng)電路的工作情況,晶閘管模塊的應(yīng)用十分廣,而且分類也特別多,比如單向晶閘管、雙向晶閘管、快速晶閘管等等,那么快速晶閘管模塊驅(qū)動(dòng)電路的工作情況是什么你知道嗎?下面正高來講一講。(1)快速晶閘管模塊承受反向陽極電壓時(shí),不論門極承受何種電壓,晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。(2)快速晶閘管模塊承受正向陽極電壓時(shí),只在門極承受正向電壓的情況下快速晶閘管才導(dǎo)通。(3)快速晶閘管模塊在導(dǎo)通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,快速晶閘管保持導(dǎo)通,即晶閘管導(dǎo)通后,門極失去作用。(4)快速晶閘管模塊在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí),快速晶閘管關(guān)斷。選用的是快速晶閘管是TYN1025,它的耐壓是600到1000V,電流大達(dá)到25A。它所需要的門級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓是10到20V,驅(qū)動(dòng)電流是4到40mA。而它的維持電流是50mA,擎住電流是90mA。無論是DSP還是CPLD所發(fā)出的觸發(fā)信號(hào)的幅值只有5V。首先,先把只有5V的幅值轉(zhuǎn)換成24V,然后通過一個(gè)2:1的隔離變壓器把24V的觸發(fā)信號(hào)轉(zhuǎn)換成12V的觸發(fā)信號(hào),同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高低壓隔離的功能。淄博正高電氣始終堅(jiān)持以人為本,恪守質(zhì)量為金,同建雄績(jī)偉業(yè)。貴州交流晶閘管調(diào)壓模塊
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晶閘管模塊的應(yīng)用非常廣,大到電氣行業(yè)設(shè)備中的應(yīng)用,小到日常生活中的應(yīng)用,但是如果有使用不當(dāng)?shù)臅r(shí)候就會(huì)造成晶閘管模塊燒壞的情況,下面正高來介紹下晶閘管模塊被燒壞的原因有哪些?晶閘管模塊燒壞都是由溫度過高造成的,而溫度是由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定的,因此保證晶閘管模塊在研制、生產(chǎn)過程中的質(zhì)量應(yīng)從三方面入手:電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性,而且三者是緊密相連、密不可分的,所以在研制、生產(chǎn)晶閘管模塊時(shí)應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力、結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞晶閘管模塊的原因很多,總的說來還是三者共同作用下才致使晶閘管模塊燒壞的,某一單獨(dú)的特性下降很難造成品閘管燒壞,因此我們?cè)谏a(chǎn)過程中可以充分利用這個(gè)特點(diǎn),就是說如果其中的某個(gè)應(yīng)力達(dá)不到要求時(shí)可以采取提高其他兩個(gè)應(yīng)力的辦法來彌補(bǔ)。從晶閘管模塊的各相參數(shù)看,經(jīng)常發(fā)生的參數(shù)有:電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等,甚至有時(shí)控制極也可燒壞。由于晶閘管模塊各參數(shù)性能的下降或線路問題會(huì)造成晶閘管模塊燒損,從表面看來每個(gè)參數(shù)所造成晶閘管模塊燒損的現(xiàn)象是不同的,因此通過解剖燒損的晶閘管模塊就可以判斷出是由哪個(gè)參數(shù)造成晶閘管模塊燒壞的。貴州交流晶閘管調(diào)壓模塊
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