TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門(mén)極觸發(fā)電流VGT=V------------門(mén)極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-09，1．晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓（換流過(guò)電壓、空穴積蓄效應(yīng)過(guò)電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線(xiàn)路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過(guò)電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿(mǎn)元件內(nèi)部，在關(guān)斷過(guò)程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時(shí)，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大，這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過(guò)電壓（換相過(guò)電壓）。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側(cè)過(guò)電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開(kāi)時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過(guò)程，會(huì)產(chǎn)生操作過(guò)電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級(jí)之間存在分布電容，初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí)，出現(xiàn)瞬時(shí)過(guò)電壓。淄博正高電氣重信譽(yù)、守合同，嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān)，熱誠(chéng)歡迎廣大用戶(hù)前來(lái)咨詢(xún)考察，洽談業(yè)務(wù)！青島大功率晶閘管移相調(diào)壓模塊功能

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。可畫(huà)出圖1的等效電路圖。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG2的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2，經(jīng)放大，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō)，觸發(fā)信號(hào)加到控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2，而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2），這一電流遠(yuǎn)大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有斷開(kāi)電源E或降低E的輸出電壓，使BG1、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果E極性反接。北京進(jìn)口晶閘管移相調(diào)壓模塊批發(fā)淄博正高電氣產(chǎn)品**國(guó)內(nèi)。

使其導(dǎo)通，通過(guò)電抗器L使電風(fēng)扇M獲得不同的電壓以實(shí)現(xiàn)調(diào)速的目的。VL6V比分別為強(qiáng)風(fēng)、中風(fēng)、弱風(fēng)指示燈。當(dāng)5腳受到低電平觸發(fā)時(shí)，11一13腳均無(wú)輸出，電風(fēng)扇停轉(zhuǎn)，芯片處于靜止?fàn)顟B(tài)，即關(guān)機(jī)。在關(guān)機(jī)狀態(tài)時(shí)，1腳兼作起動(dòng)端，可使電風(fēng)扇起動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)。15腳受到低電平觸發(fā)，可使風(fēng)類(lèi)在正常風(fēng)與自然風(fēng)之間進(jìn)行切換，VI5為風(fēng)類(lèi)指示燈，熄滅時(shí)為正常風(fēng)，閃爍麥光時(shí)為自然風(fēng)。14腳反復(fù)受到低電平觸發(fā)時(shí)，可使電路處于不定時(shí)-0．5h-1h-2h-4h一不定時(shí)一……，7一10腳所接的VU一VL4分別為4h、2h、lh、0．5h定時(shí)顯示指示燈。由于TWH9238(ICl)數(shù)據(jù)輸出端有效輸出為高電平，故通過(guò)反相器反相將其轉(zhuǎn)換為低電平，以分別觸發(fā)IC3的1、15、14和5，所以通過(guò)遙控發(fā)射機(jī)A一D4個(gè)按鍵就能方便地控制電風(fēng)扇的風(fēng)速、風(fēng)類(lèi)、定時(shí)及關(guān)機(jī)。元器件選擇ICl與發(fā)射器選用廣東中山達(dá)華電子廠生產(chǎn)的TWH9236/9238系列無(wú)線(xiàn)電發(fā)射與接收模塊；IC2的4個(gè)反相器可選用一塊CD4069六反相器數(shù)字集成電路中任意4個(gè)完好的反相器，另2個(gè)不用的反相器應(yīng)將其輸人端進(jìn)行接地處理而不要懸空，可消除不必要的干擾。IC3選用LC901電風(fēng)扇調(diào)速所用集成電路。VTH1-VTH3可用MAC97A6（IA/600V）小型塑料封裝雙向晶閘管。VS選、6V穩(wěn)壓二極管。

模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過(guò)載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中必須配備散熱器和風(fēng)機(jī)，建議采用帶有過(guò)熱保護(hù)功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)算，確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶(hù)自備時(shí)按以下原則選?。?、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s；2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周?chē)目諝饽軐?shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積；5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊，壓線(xiàn)端子連接牢固，以減少次生熱量的產(chǎn)生，模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊，以達(dá)到佳散熱效果。8、模塊的安裝與維護(hù)。（1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊，幾個(gè)螺釘要依次固定，用力要均勻，反復(fù)幾次，直至牢固，使模塊底板與散熱器表面緊密接觸。（2）把散熱器和風(fēng)機(jī)按要求裝配好后，垂直固定于機(jī)箱合適位置。（3）用接線(xiàn)端頭環(huán)帶將銅線(xiàn)扎緊，好浸錫。淄博正高電氣品質(zhì)好、服務(wù)好、客戶(hù)滿(mǎn)意度高。

可控硅可控硅簡(jiǎn)稱(chēng)SCR，是一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。淄博正高電氣以顧客為本，誠(chéng)信服務(wù)為經(jīng)營(yíng)理念。北京進(jìn)口晶閘管移相調(diào)壓模塊批發(fā)

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當(dāng)電容C被充足電后，使三極管V由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)，將可控硅SCR關(guān)斷，電燈也就熄滅了。本電路關(guān)燈延時(shí)期間，延時(shí)時(shí)間由R1、C的取值來(lái)確定，讀者也可根據(jù)各自需要自行確定。本電路中的可控硅，筆者選用的為單向可控硅，在關(guān)燈延時(shí)期間電燈的亮度約為開(kāi)燈時(shí)亮度的一半，以適合人們的視覺(jué)上的需要，同時(shí)又可節(jié)能。電路制作：圖中單向可控硅SCR選用MCR100－8，耐壓須為600V以上。燈泡的功率不大于100W為宜。二極管VD為1N4007，V為C1815。電阻均為1／8W碳膜電阻。制作時(shí)，用一小塊電路板將圖中虛線(xiàn)框內(nèi)各元器件焊裝上。好將本電路裝在拉線(xiàn)開(kāi)關(guān)底部凹槽內(nèi)，用膠水粘牢并將引線(xiàn)接至開(kāi)關(guān)兩接線(xiàn)端即可。8：?jiǎn)捂I自鎖開(kāi)關(guān)單鍵自鎖開(kāi)關(guān)說(shuō)明1、上電不動(dòng)作。2、按鈕按下后再釋放，繼電器吸合。3、按鈕長(zhǎng)按時(shí)，繼電器釋放，松開(kāi)后繼電器吸合。4、按鈕點(diǎn)按時(shí)：繼電器釋放←→吸合循環(huán)動(dòng)作。5、因?yàn)?7Ω電阻有壓降，繼電器可以用DC9V的。9：簡(jiǎn)單的停電自鎖開(kāi)關(guān)電網(wǎng)供電正常時(shí)，它象普通開(kāi)關(guān)一樣使用。按一下K1，220V交流電經(jīng)R1和R2分壓給雙向可控硅提供一觸發(fā)電壓，使雙向可控硅導(dǎo)通。可控硅導(dǎo)通后，在電源電壓正半周期間，少量電流經(jīng)R4、D向C充電，同時(shí)經(jīng)R3、R2分壓觸發(fā)可控硅。青島大功率晶閘管移相調(diào)壓模塊功能

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